在美國加州圣克拉拉舉辦的閃充峰會上，三星宣布了一項技術升級突破：第四代V-NAND（立體堆疊3D閃存）已經(jīng)實現(xiàn)了64層晶粒（DIE）堆疊， 存儲密度再次突破新高，超過了外媒剛經(jīng)過測評的Portable SSD T3中相當令人震撼的48層V-NAND立體堆疊.。
新一代立體堆疊的V-NAND芯片可實現(xiàn)單獨晶粒（DIE）512Gb (64GB)的存儲容量，單獨晶粒數(shù)據(jù)傳輸速度可達100MB/S，三星預計能夠在2016年第四季度試產基于新技術的存儲產品。
按此速度到2020年即可量產容量達100TB的SSD固態(tài)硬盤，三星已經(jīng)計劃將新技術率先應用到企業(yè)級SSD產品中，與32層（每層）1TB存儲技術混合生產32TB的企業(yè)級SSD盤產品。其實不單止是SSD產品，三星的疊V-NAND 3D閃存堆疊技術適用于各個領域，當然也包括手機。這意味著今后手機的存儲容量有望大幅增加。
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