《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術 > 業(yè)界動態(tài) > 考慮采用轉換器或控制器調節(jié)大電流電壓

考慮采用轉換器或控制器調節(jié)大電流電壓

住在市區(qū)還是郊區(qū)?
2016-06-12

  一般來講,尋求更大生活空間的居民會放棄在市區(qū)附近生活。盡管住在市區(qū)上班方便,并能享受城市服務,但他們更愿意搬到郊區(qū),因為那里房子更大,院子更寬敞。同樣,當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時,他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利,取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器,與郊區(qū)環(huán)境相類似,具有相對的靈活性和經濟性,但會占據更多不動產,更多的電路板空間。  

      1.png3.png

  直到最近,電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSFET的控制器。設計簡易,布局簡單,物料清單(BOM)中部件更少的轉換器解決方案雖然具有高可靠性高密度,但通常只能提供有限的電量。

  諸如網絡路由器、開關、企業(yè)服務器和嵌入式工業(yè)系統(tǒng)等應用的耗電量越來越高,它們的POL設計需要20A、30A、40A甚至更多電量。然而,這些應用對空間要求極為嚴格,很難兼容采用控制器和外部MOSFET的解決方案。問題在于,在一個需要大電流的應用中,您如何使用轉換器而非控制器呢?

  答案很大程度上在于最近在MOSFET和封裝技術方面取得的進展。在一個特定硅面積內,新一代MOSFET(諸如德州儀器的NexFET? 電源MOSFET)具有較低的電阻率(Rdson),還可提高電流能力。PowerStack?封裝技術可堆疊集成電路和MOSFET,多層疊加,類似于市區(qū)建筑,可在特定的空間內放入更多東西。

2.png

  圖1:控制器集成電路和MOSFET垂直堆疊在PowerStack封裝中

  PowerStack封裝中芯片堆疊和封裝黏著的獨特組合與其它傳統(tǒng)并列安放 MOSFET 的解決方案相比,可實現尺寸更小、熱力性能更佳、電流能力更強、集成度更高的四方扁平無引線封裝解決方案。

  隨著MOSFET和封裝技術的最新發(fā)展,德州儀器現在可提供集成FET轉換器的產品,用于高功率、高密度POL應用。TPS548D22屬于德州儀器高電流同步SWIFT? DC/DC 降壓轉換器系列,可提供高達40A的連續(xù)電流,并采用40管腳、5mm×7mm×1.5mm stack-clipped的QFN PowerStack封裝。訪問DC/DC端口可了解更多德州儀器產品。那些不得不搬到郊區(qū)的人現在可考慮搬回市區(qū)了!


本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。