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Entegris為先進制造環(huán)境下良率提升提供整體解決方案

2016-03-22

  Entegris半導(dǎo)體與其他高科技產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商,為這些產(chǎn)業(yè)在處理與制造中所用的關(guān)鍵材料,提供純化、保護和運輸所需的多種產(chǎn)品。Entegris擁有廣泛的產(chǎn)品組合,涉及光刻、刻蝕、沉積、清洗、CMP、植入、工廠設(shè)施等多個領(lǐng)域,是整個IC晶圓制造工藝領(lǐng)域的市場領(lǐng)導(dǎo)者。 Entegris專業(yè)從事研究和掌握材料科學(xué)和工程,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于以市場需求為導(dǎo)向的高價值應(yīng)用領(lǐng)域中。 Entegris在半導(dǎo)體及其他高科技行業(yè)所涉及的污染控制、關(guān)鍵材料處理與先進制程材料方面處于同行業(yè)領(lǐng)先位置。同時,Entegris也利用現(xiàn)有技術(shù)開拓對過程控制和純度要求極高的相鄰市場,諸如太陽能光伏及生命科學(xué)等領(lǐng)域。

  Entegris全球市場營銷副總裁楊文革指出,Entegris現(xiàn)已成為半導(dǎo)體業(yè)界材料及配件最大的公司。在先進納米環(huán)境下,提供給半導(dǎo)體業(yè)界客戶高品質(zhì)材料及設(shè)備,協(xié)助客戶提升工藝良率并正常運作。英特格提供包括離子注入、刻蝕、污染控制、光刻、清洗等半導(dǎo)體工藝相關(guān)的產(chǎn)品。半導(dǎo)體業(yè)界公司對于半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈的整合似乎較少見到,而英特格在經(jīng)過多年發(fā)展及并購相關(guān)公司的助益下,現(xiàn)已成為業(yè)界當(dāng)中有能力從半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)制造、運送、應(yīng)用到硅片制造上進行全方位整合。

  2015年,Entegris的營業(yè)額為11億美元,全球有3500名員工。Entegris投注相當(dāng)多的金錢與心力進行產(chǎn)品研發(fā)。Entegris在亞洲地區(qū)也積極建立生產(chǎn)基地,俾使就近服務(wù)廣大的亞洲客戶,同樣也是為因應(yīng)客戶不斷擴充的建廠計畫。中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蒸蒸日上,英特格也相當(dāng)重視中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及市場需求。

  面對半導(dǎo)體工藝更趨復(fù)雜,制造工序經(jīng)常多達(dá)幾百道。因此,良率對客戶十分重要。而要讓半導(dǎo)體的性能提升,除了隨著摩爾定律微縮晶片尺寸外,許多新架構(gòu)、新材料的出現(xiàn)也幫助提升半導(dǎo)體性能。例如現(xiàn)今許多半導(dǎo)體制造的領(lǐng)導(dǎo)供應(yīng)商積極發(fā)展的FinFET,就將應(yīng)用到許多新材料。

  Entegris全球市場營銷副總裁楊文革指出, 隨著芯片的關(guān)鍵節(jié)點降低,制造芯片的工藝步驟將會愈來愈多,10納米節(jié)點將達(dá)到2400個工藝步驟,隨之而來的是芯片對材料的依賴正在與日劇增,材料的好壞優(yōu)劣將直接影響性能。Entegris從技術(shù),人才和工藝各方面來滿足客戶的需求。在技術(shù)組合,全球基礎(chǔ)設(shè)施的布局,以及卓越的運營為公司是在同行業(yè)間的優(yōu)勢。他表示,工業(yè)界往往會推出部分技術(shù)的外包來降低成本,但是Entegris認(rèn)為,很多工藝是非常關(guān)鍵的,同時自由技術(shù)可以支持整個實現(xiàn),所以希望可以更多的通過公司本身的技術(shù)來實現(xiàn)。同時他指出,污染會發(fā)生在晶圓制造化學(xué)過程的多個環(huán)節(jié),Entegris通過整合工藝流程,為客戶降低風(fēng)險,提升體驗。Entegris積極倡導(dǎo)產(chǎn)品安全性,這是隨著工業(yè)發(fā)展的環(huán)境下不得不提的方面,之前的天津爆炸等,都是應(yīng)為氣體存儲安全問題。保障產(chǎn)品的安全性是一個企業(yè)的責(zé)任。

  近期,對先進納米制程,Entegris亦推出適用于半導(dǎo)體制程的新型后化學(xué)機械研磨(post-CMP)清潔溶液。新型PlanarClean AG系列產(chǎn)品是專為10nm以下的制程所設(shè)計,如今加入Entegris領(lǐng)先業(yè)界的post-CMP清潔溶液之列。矽晶圓制造的CMP程序包含機械拋光步驟,過程中會使用化學(xué)研磨液配方,去除集成元件表面上的多余導(dǎo)電性或介電物質(zhì),以便達(dá)到平滑效果而可推疊其他積體電路層。 post-CMP清潔步驟能夠去除奈米顆粒,將晶圓污染的可能性降到最低,同時維持各層既有物質(zhì)的完整性。 PlanarClean AG調(diào)配溶液符合這些需求,在銅、鈷和鎢等高階制程中展現(xiàn)一步到位的優(yōu)異清潔效果,還能保護底層的薄膜和物質(zhì)。專利配方有助于提升可靠度和產(chǎn)量、達(dá)到零腐蝕及零污染的程度、增加等待時間,最后為客戶提高效能。另外,PlanarClean AG能夠減少清潔步驟所需的化學(xué)品用量,進而發(fā)揮持有成本的優(yōu)勢;亦符合最新的晶圓廠化學(xué)品EHS安全要求。


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