1.我國(guó)將重點(diǎn)培育集成電路等五大戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè);

　　記者從國(guó)家發(fā)展改革委獲悉，“十三五”時(shí)期我國(guó)將把戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)作為重要任務(wù)和大事來(lái)抓，要重點(diǎn)培育 形成以集成電路為核心的新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)、以基因技術(shù)為核心的生物產(chǎn)業(yè)以及綠色低碳、高端裝備與材料、數(shù)字創(chuàng)意等突破十萬(wàn)億規(guī)模的五大產(chǎn)業(yè)。

　　根據(jù)國(guó)家發(fā)展改革委網(wǎng)站發(fā)布的消息，發(fā)展改革委副主任林念修近日帶隊(duì)赴北京中關(guān)村調(diào)研“雙創(chuàng)”和戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作。他在調(diào)研中提出了上述五大產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)。

　　林念修說(shuō)，加快發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)是實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的先導(dǎo)力量，既能創(chuàng)造新供給、提供新服務(wù)，又能培育新消費(fèi)、滿足新需求，是實(shí)施供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改 革的重要舉措，也是“補(bǔ)短板”的重要內(nèi)容。要進(jìn)一步完善產(chǎn)業(yè)政策環(huán)境，提高供給體系質(zhì)量和效率，推動(dòng)新興產(chǎn)業(yè)供給和需求的有效銜接。要圍繞看得準(zhǔn)、有機(jī)遇 的重點(diǎn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，加大支持力度，盡快實(shí)現(xiàn)突破。

　　2.高通發(fā)布全新音頻平臺(tái)：低端藍(lán)牙音箱也天籟;

　　近日，高通發(fā)布了全新的CSRA64XXX ROM系列音頻平臺(tái)，專門面向入門級(jí)和中端藍(lán)牙音箱設(shè)備，科維奇帶來(lái)全新水平的音質(zhì)和功能。新產(chǎn)品線包括三款全新芯片，以及配套的開發(fā)包，可幫助OEM廠商降低總體物料成本(BOM，并縮短新品研發(fā)時(shí)間。

　　高通發(fā)布全新音頻平臺(tái)

　　該 音頻平臺(tái)支持高通獨(dú)有的音頻技術(shù)，包括TrueWireless Stereo無(wú)線立體聲技術(shù)、cVc降噪技術(shù)、第六代CVC語(yǔ)音增強(qiáng)技術(shù)。頂級(jí)型號(hào)“CSRA64215”還支持以藍(lán)牙連接提供CD級(jí)音質(zhì)的aptX音頻 技術(shù)，以及能在觀看視頻時(shí)同步收聽aptX質(zhì)量音頻的aptX低延遲技術(shù)?！癝RA64210”、“SRA64110”則分別面向立體聲、單聲道的藍(lán)牙音 箱設(shè)備，適合打造低端廉價(jià)產(chǎn)品。

　　高通發(fā)布全新音頻平臺(tái)

　　三 者均內(nèi)置了16位立體聲編解碼器，數(shù)模轉(zhuǎn)換信噪比95dB，都支持藍(lán)牙4.0+EDR標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，支持A2DP 1.3、AVRCP 1.5、HFP 1.6(包含WBS/mSBC)、HSP 1.2等相關(guān)協(xié)議，有效距離10米。CSRA64XXX系列目前已量產(chǎn)上市，相信很快就會(huì)在中低端藍(lán)牙音箱、無(wú)線耳機(jī)、車載音響、無(wú)線免提等產(chǎn)品中看到它 們?？炜萍?/p>

　　3.臺(tái)積電外資持股直逼八成 ；

　　外界對(duì)于臺(tái)積電搶食蘋果A10和A11處理器代工訂單樂(lè)觀看待，外資持股水位持續(xù)攀高，直逼八成，帶動(dòng)臺(tái)積電昨（11）日股價(jià)收最高價(jià)155元，還原權(quán)值創(chuàng)新高，市值突破4兆元，同步攻頂。

　　外資法人自猴年開紅盤以來(lái)對(duì)臺(tái)積電買超積極，至昨天為止，累計(jì)買超逾20萬(wàn)張，推升外資持股水位達(dá)78.2%，三大法人持股比例亦有79.9%。

　　臺(tái)積電看好今年16奈米制程市占率可望攀高，并對(duì)10奈米發(fā)展樂(lè)觀，認(rèn)為明年將成為全球最大10奈米代工廠，外資并看好臺(tái)積電可望搶下多數(shù)、甚至全數(shù)蘋果今年度iPhone 7的A10處理器訂單，持續(xù)看好先進(jìn)制程會(huì)帶動(dòng)明、后年成長(zhǎng)。

　　加上臺(tái)積電提高股利政策，今年每股將配發(fā)6元現(xiàn)金股息，吸引外資積極買超，帶動(dòng)股價(jià)和市值穩(wěn)健走高。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

　　4.LED界的紫光 三安嗆不給入股就吃掉你；

　　三安集團(tuán)的強(qiáng)悍作風(fēng)，有如LED界的“紫光”。在國(guó)家力量支持下，曾嗆聲國(guó)內(nèi)磊晶龍頭的晶電，威嚇“不給入股，就把你吃下來(lái)”；但隨著LED產(chǎn)業(yè)低迷，三安近年轉(zhuǎn)向砷化鎵領(lǐng)域，力拚躋身“半導(dǎo)體”，專搭便車，取得更多國(guó)家補(bǔ)助及市場(chǎng)資金。

　　中資三安光電欲收購(gòu)環(huán)宇通訊半導(dǎo)體（F-環(huán)宇），但因環(huán)宇部分產(chǎn)品還供應(yīng)給美國(guó)國(guó)防客戶，此一收購(gòu)交易獲得美國(guó)通過(guò)的可能性很低。（取自三安光電官網(wǎng)）

　　開5倍薪 挖我LED人才

　　三安集團(tuán)老板林秀成是鋼鐵業(yè)起家，在中國(guó)鋼鐵大好年代，身價(jià)水漲船高，但隨著二○○四年后景氣盛極而衰，他主導(dǎo)的三安從傳產(chǎn)轉(zhuǎn)向科技業(yè)，在國(guó)家力量支持下，大手筆擴(kuò)充LED產(chǎn)能，不但制造LED晶粒的MOCVD機(jī)臺(tái)有補(bǔ)助，政府也提供LED路燈訂單，扶植壯大。

　　業(yè)界人士描述，晶電曾有整個(gè)部門上百人團(tuán)隊(duì)，昨天還在上班，今天就全部消失不見(jiàn)，被三安以五倍薪資挖走。

　　林秀成女婿林科闖也活躍于LED業(yè)界。晶電高層表示，林科闖曾經(jīng)前來(lái)叩門，向晶電董事長(zhǎng)李秉杰表達(dá)入股意愿，碰了軟釘子后，他竟嗆聲“不給入股就把你吃下來(lái)?！?/p>

　　專搭便車 搶中國(guó)政策補(bǔ)助

　　二○一二年底，三安買下國(guó)內(nèi)磊晶二哥璨圓的十九％股權(quán)，成為兩岸首宗入股案；二○一四年七月，晶電反將三安一軍，百分之百收購(gòu)璨圓，被業(yè)界戲稱為“攔胡”。

　　三安一統(tǒng)兩岸LED的壯志沒(méi)有完成，加上LED產(chǎn)業(yè)走下坡，過(guò)去三年，三安每股獲利不超過(guò)一元（人民幣），去年六月時(shí)股價(jià)一度高達(dá)三十三元（人民幣），但近來(lái)已跌破二十元，資本市場(chǎng)不再給予高評(píng)價(jià)。

　　于是三安又將腦筋動(dòng)到了砷化鎵領(lǐng)域。主要就是中國(guó)積極發(fā)展半導(dǎo)體，而砷化鎵是沾得上邊的“光電半導(dǎo)體”。這種補(bǔ)助、壯大、產(chǎn)能過(guò)剩，將藍(lán)海市場(chǎng)變紅海的惡性循環(huán)，似乎不停地在中國(guó)上演。自由時(shí)報(bào)

　　5.中芯國(guó)際與RRAM領(lǐng)軍企業(yè)Crossbar達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議；

　　上海2016年3月11日電 /美通社/ -- 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司（簡(jiǎn)稱“中芯國(guó)際”，紐約證交所股票代碼：SMI，香港聯(lián)交所股票代碼：981），中國(guó)內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路 晶圓代工企業(yè)，與阻變式存儲(chǔ)器（RRAM）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Crossbar，今日共同宣布雙方就非易失性RRAM開發(fā)與制造達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議。

　　作為雙方合作的一部分，中芯國(guó)際與Crossbar已簽訂一份代工協(xié)議，基于中芯國(guó)際40納米CMOS制造工藝，提供阻變式存儲(chǔ)器組件。這將幫助客戶將低 延時(shí)、高性能和低功耗嵌入式RRAM存儲(chǔ)器組件整合入MCU及SoC等器件，以應(yīng)對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、消費(fèi)電子、工業(yè)及汽車電子市場(chǎng)需求。

　　“Crossbar產(chǎn)品持續(xù)按計(jì)劃推進(jìn)，目前正在授權(quán)階段。我們很榮幸宣布與中芯國(guó)際的合作，這是我們的RRAM技術(shù)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的重要一 步。”Crossbar CEO及聯(lián)合創(chuàng)始人George Minassian表示，“高度集成的MCU及SoC設(shè)計(jì)者需要非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，此技術(shù)能夠更加便捷地集成到他們的產(chǎn)品中去并且能夠應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)的 CMOS邏輯制程制造。Crossbar的RRAM技術(shù)與中芯國(guó)際專業(yè)制造能力的結(jié)合將創(chuàng)造獨(dú)特的存儲(chǔ)器架構(gòu)，安全性更嚴(yán)格，功耗更低，同時(shí)提供更大容量 和更快的進(jìn)入時(shí)間。”

　　Crossbar的RRAM CMOS兼容性及對(duì)更小工藝尺寸的可擴(kuò)展性使非易失性存儲(chǔ)器組件在更低工藝節(jié)點(diǎn)的MCU和SoC中集成成為可能。RRAM元件能夠集成到標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏 輯工藝當(dāng)中，在標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓的兩條金屬線之間。這將促成高度集成的非易失性存儲(chǔ)器解決方案的實(shí)現(xiàn)，將片上非易失性存儲(chǔ)器、處理器核、模擬及射頻集成在 一個(gè)單獨(dú)的芯片上。

　　“基于中芯國(guó)際40納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，我們能夠?yàn)榭蛻籼峁?yīng)用于智能卡和多種物聯(lián)網(wǎng)器件的高容量、低功耗且具有獨(dú)特安全性的存儲(chǔ)器技術(shù)?！敝行緡?guó)際首席執(zhí)行官 兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“我們很高興與Crossbar在中芯國(guó)際穩(wěn)定可靠的40納米技術(shù)平臺(tái)上展開合作。我們能夠?yàn)槿蚩蛻籼峁┚哂懈?jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)， 幫助他們縮短入市時(shí)間。我們也致力于與更多世界領(lǐng)先的公司展開長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作，共同服務(wù)市場(chǎng)并在未來(lái)實(shí)現(xiàn)共贏。”

　　Crossbar的RRAM技術(shù)為需要低功耗、高性能非易失性代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能的嵌入式應(yīng)用提供具有性價(jià)比的集成存儲(chǔ)器解決方案。

　　6.Flash與SAS硬盤價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

　　資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu) 進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。

　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)域。

　　觀 察今年企業(yè)對(duì)IT的需求，主要可觀察三大主軸發(fā)展，其中由于融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)將突破資料中心限制，并將繁瑣的硬體整合工作減到最低，從而提高企業(yè)對(duì)市場(chǎng)等商業(yè)需求的反應(yīng)速度，將讓今年融合式基礎(chǔ)架構(gòu) 可有更好的發(fā)展性出現(xiàn)。

　　其次，為降低企業(yè)IT開發(fā)人員與營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)間的磨合，DevOps工具方案應(yīng) 運(yùn)而生，且因DevOps具備更佳訊息傳達(dá)、協(xié)同合作、整合與自動(dòng)化等優(yōu)勢(shì)，讓其對(duì)企業(yè)組織的整合效率提升有所助益，同時(shí)可加速應(yīng)用程式的交付速度，并縮 短部屬的時(shí)程，也讓其預(yù)計(jì)在今年可有更好的應(yīng)用性出現(xiàn)，也將進(jìn)一步推動(dòng)融合式基礎(chǔ)架構(gòu)的需求成長(zhǎng)性。

　　此外，NetApp指出，對(duì)應(yīng)Flash單價(jià)下滑，預(yù)估2016年All Flash資料中心也將出現(xiàn)，并真正進(jìn)入主流應(yīng)用領(lǐng)域。

　　TLC 架構(gòu)的Flash儲(chǔ)存方案推出后，由于更具成本優(yōu)勢(shì)，讓美國(guó)在1、2年前即有All Flash儲(chǔ)存方案的需求性出現(xiàn)，臺(tái)灣市場(chǎng)方面預(yù)估今年也可看到更多All Flash儲(chǔ)存架構(gòu)的布建。且經(jīng)由TLC架構(gòu)的Flash價(jià)格直落，預(yù)計(jì)最快今年每GB的TLC儲(chǔ)存成本，就可與SAS死亡交叉。Digitimes