摘 要： 根據(jù)USB3.0的發(fā)送速率要求和高速串行發(fā)送原理，使用Verilog HDL描述語言設(shè)計(jì)了一種基于多相位技術(shù)的USB3.0發(fā)送電路。電路各模塊在ISE中編譯和仿真，給出了電路實(shí)現(xiàn)的結(jié)構(gòu)圖、模塊的接口信號(hào)以及部分程序和仿真波形圖，并將仿真結(jié)果進(jìn)行比較驗(yàn)證，證明多相位技術(shù)設(shè)計(jì)的電路能滿足數(shù)據(jù)發(fā)送的準(zhǔn)確性和時(shí)序要求。
關(guān)鍵詞： USB3.0；多相位技術(shù)；Verilog HDL
0 引言
USB（通用串行總線）是一種標(biāo)準(zhǔn)的傳輸接口[1]，從1995年USB1.0版本開始，歷經(jīng)USB1.1、全速USB2.0（FullSpeed）、高速USB2.0（HighSpeed），到USB3.0（SurperSpeed）[2]，數(shù)據(jù)傳輸速率已經(jīng)提升至5 Gb/s，相比USB 2.0的480 Mb/s提升了約10倍。從2008年11月首次發(fā)布規(guī)范以來，USB3.0已經(jīng)在快速存儲(chǔ)、大數(shù)據(jù)高速傳輸?shù)阮I(lǐng)域逐漸展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力?？v觀各個(gè)版本的USB硬件設(shè)計(jì)，USB3.0以其高達(dá)5 Gb/s的I/O轉(zhuǎn)換速率給設(shè)計(jì)者帶來了很大的難題，同時(shí)，功耗的控制也成為需要考慮的重要環(huán)節(jié)。本文將介紹多相位技術(shù)的一種應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)電路復(fù)雜度、實(shí)用性以及功耗方面的平衡。
1 發(fā)送電路的功耗分析
目前，數(shù)字集成電路普遍采用CMOS工藝。COMS工藝的功耗估算[3]，以反相器為例，設(shè)電路的工作頻率為f，其中每個(gè)周期的一半時(shí)間![LE}`RWXT278VNNYMZ)@]NX2.png](http://files.chinaaet.com/images/2016/02/19/6359151089429900001879833.png "LE}`RWXT278VNNYMZ)@]NX2.png")
是通過PMOS管對(duì)負(fù)載電容器充電。若此時(shí)的電源電壓為Vdd，記電容器上的實(shí)時(shí)充電電壓為V，由于充電電流![B51AF@7D7C_4J){)[2G4G]8.jpg](http://files.chinaaet.com/images/2016/02/19/6359151087365600007855297.jpg "B51AF@7D7C_4J){)[2G4G]8.jpg")
，那么，這一期間轉(zhuǎn)移到電容器上的能量為：![$C]1N[UODA6B00Z3]RT`]}H.jpg](http://files.chinaaet.com/images/2016/02/19/6359151088523800002741648.jpg "$C]1N[UODA6B00Z3]RT`]}H.jpg")
，將上式代入得到能量轉(zhuǎn)移為：
這是一個(gè)經(jīng)典的估算公式。同一期間PMOS管能量消耗為：
上述兩項(xiàng)是相等的。同樣，NMOS管能量消耗與電容器上存儲(chǔ)的能量相等。因此，一個(gè)反相器平均動(dòng)態(tài)功率消耗大致為：P=CfVdd2。
經(jīng)過上文的分析可知，降低CMOS電路功耗的三種主要途徑為：降低電源電壓Vdd、改進(jìn)工藝減少負(fù)載電容C以及降低工作頻率f。對(duì)于USB3.0高達(dá)5 Gb/s的串行輸出，在供電電壓一定、制造工藝相同的條件下進(jìn)行電路的優(yōu)化，有效地降低內(nèi)部器件的工作頻率，成為降低功耗的首要之選。
2 發(fā)送電路的結(jié)構(gòu)與實(shí)現(xiàn)
2.1 發(fā)送電路結(jié)構(gòu)
USB3.0發(fā)送模塊結(jié)構(gòu)如圖1所示。
發(fā)送電路輸入的數(shù)據(jù)為36 bit位寬，包括32 bit數(shù)據(jù)和4 bit數(shù)據(jù)有效控制位；時(shí)鐘管理模塊根據(jù)不同的數(shù)據(jù)位寬，產(chǎn)生不同的時(shí)鐘，協(xié)調(diào)各模塊的同步運(yùn)行。
如圖1所示，幀管理模塊以125 MHz/32 bit的速率從FIFO讀取數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)換成為500 MHz/8 bit數(shù)據(jù)流傳送至擾碼模塊；擾碼模塊和8 bit/10 bit編碼器模塊均采用500 MHz的時(shí)鐘，對(duì)并行8 bit的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理；經(jīng)過 8 bit/10 bit編碼模塊后，數(shù)據(jù)流變成500 MHz/10 bit，送入并轉(zhuǎn)串模塊，最終以差分輸出的方式輸出串行數(shù)據(jù)。
2.2 基于多相位技術(shù)的并轉(zhuǎn)串模塊結(jié)構(gòu)
并轉(zhuǎn)串模塊是結(jié)構(gòu)優(yōu)化的重點(diǎn)[4]。傳統(tǒng)的并轉(zhuǎn)串電路通過移位寄存器實(shí)現(xiàn)，在0.15 ?滋m CMOS工藝條件下只能達(dá)到3.0 Gb/s的頻率，并且所有器件運(yùn)行在最高工作頻率，功耗將非常大。采用多相位技術(shù)后，數(shù)據(jù)位在8個(gè)同頻不同相的時(shí)鐘控制下并發(fā)處理，電路運(yùn)行的時(shí)鐘頻率可以降為原先的1/8，顯著降低功耗。
并轉(zhuǎn)串模塊結(jié)構(gòu)電路如圖2所示。
為了適應(yīng)輸入數(shù)據(jù)的位寬需求，在并轉(zhuǎn)串模塊輸入端插入一個(gè)數(shù)據(jù)位寬轉(zhuǎn)換模塊，將10 bit位寬的數(shù)據(jù)調(diào)整為8 bit位寬，也就是將500 MHz的10 bit并行數(shù)據(jù)調(diào)整為625 MHz的8 bit并行數(shù)據(jù)流。主要方法為：將500 MHz*10 bit的數(shù)據(jù)流拼接為125MHz*40 bit的并行數(shù)據(jù)流，輸出則使用625 MHz時(shí)鐘以8 bit的位寬讀出。部分關(guān)鍵代碼如下：
reg[39：0] shift_buf40；
always@（posedge clk_500M_i or negedge rstn_i）begin
if（!rstn_i）
shift_buf40<=40′h0；
else//拼接成40 bit
shift_buf40<={shift_buf10，shift_buf40[39：10]}；
end
reg stitch_load；//40 bit載入信號(hào)
always@（posedge clk_625M_i or negedge rstn_i）begin
if（!rstn_i）
stitch_load<=1′b0；
else if（clk_625M_i）
stitch_load<=~stitch_load；
else
stitch_load<=1′b0；
end
reg[39：0]stitch_buf40；
always@（posedge clk_625M_i or negedge rstn_i）begin
if（!rstn_i）
stitch_buf40<=40′h0；
else if（stitch_load）
stitch_buf40<=shift_buf40；//40 bit載入
else
stitch_buf40<={stitch_buf40[7：0]，
stitch_buf40[39：8]}；//每個(gè)clk移位8 bit
end
assign split_buf8_o=stitch_buf40[7：0]；
此段代碼實(shí)現(xiàn)了不同時(shí)鐘的數(shù)據(jù)位寬變換。
PLL產(chǎn)生8個(gè)頻率為625 MHz的Clock，相鄰時(shí)鐘間相移為45°，占空比為1：1。通過8輸入的或門，在1/8時(shí)刻允許8 bit并行數(shù)據(jù)的某一位數(shù)據(jù)輸出。在此選用Xilinx的Virtex-5系列FPGA進(jìn)行設(shè)計(jì)仿真驗(yàn)證，由于單個(gè)PLL資源所限，使用2個(gè)PLL進(jìn)行8路多相時(shí)鐘輸出：其中一個(gè)PLL產(chǎn)生0°、45°、90°和135°相移，另一個(gè)PLL則產(chǎn)生180°、225°、270°和315°的相移，其配置如圖3所示。
2.3 并轉(zhuǎn)串模塊的電路實(shí)現(xiàn)
使用Verilog HDL[5]語言對(duì)并轉(zhuǎn)串部分進(jìn)行描述，部分關(guān)鍵代碼如下：
reg sdata_0；
always@（clk_mp045_i or clk_mp090_i）begin
if（clk_mp045_i &!clk_mp090_i）
sdata_0<=pdata_i[0]；
else
sdata_0<=1′b0；
end
以上是其中的1/8個(gè)數(shù)據(jù)處理模塊，經(jīng)過ISE綜合后得到的RTL電路如圖4所示。
電路非常簡(jiǎn)潔，8個(gè)部分結(jié)構(gòu)完全一致，數(shù)據(jù)發(fā)送的精度取決于PLL的相位精度與8個(gè)相同結(jié)構(gòu)單元的布線。顯然，PLL在625 MHz產(chǎn)生45°的相移間隔可以達(dá)到很高的精確度，門電路布線長(zhǎng)度的一致性也很容易實(shí)現(xiàn)。也就是說該電路布局產(chǎn)生的時(shí)延可以做到基本一致，這一點(diǎn)對(duì)于高速電路的設(shè)計(jì)非常有利。
3 仿真及驗(yàn)證
編寫test bench，循環(huán)發(fā)送8′h00~8′hFF數(shù)據(jù)，在ISim中對(duì)設(shè)計(jì)的多相位發(fā)送電路進(jìn)行仿真驗(yàn)證，仿真波形如圖5所示，并轉(zhuǎn)串模塊輸入的數(shù)據(jù)為8′hFF，圖中矩形框中為經(jīng)過并轉(zhuǎn)串模塊后的8路獨(dú)立輸出，下方箭頭指向經(jīng)過8輸入或門處理后的串行輸出，結(jié)果完全正確，滿足USB3.0協(xié)議規(guī)范要求。
4 結(jié)論
多相位技術(shù)的應(yīng)用可以使高速發(fā)送電路的大部分器件工作在一個(gè)相對(duì)較低的頻率下，并能在一定程度上降低制作器件的工藝難度。因此，多相位技術(shù)對(duì)降低功耗、提高性能而言，具有十分重要的現(xiàn)實(shí)意義。
參考文獻(xiàn)
[1] ANDERSON D， DZATKO D． USB系統(tǒng)體系（第二版）[M]．孟文，譯.北京：中國(guó)電力出版社，2003．
[2] Hewlett-Packard Company， Intel. Universal serial bus 3.0 specification revision1.0[R]． USA： Hewlett-Packard Company， 2008．
[3] 汪小會(huì)．集成電路低功耗設(shè)計(jì)[J]．電子工程師，2006（1）：9-11．
[4] 亓磊．3.125Gbps高速串行RapidIO數(shù)據(jù)發(fā)送器設(shè)計(jì)[D]．長(zhǎng)沙：國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)，2010．
[5] 夏字聞．Verilog數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)（第二版）[M]．北京：北京航空航天大學(xué)出版社，2008．