BILLERICA, Massachusetts，2016 年 1 月 28 日 – Entegris, Inc. (NASDAQ: ENTG)（一家為先進(jìn)制造環(huán)境提供良率提升材料和相關(guān)解決方案的領(lǐng)先企業(yè)）日前發(fā)布了針對(duì)半導(dǎo)體制造的新型化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）后清洗解決方案。新型 PlanarClean? AG 系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)用于 10 nm 及以下的工藝中，并新增到 Entegris 的領(lǐng)先 CMP 后清洗解決方案產(chǎn)品組合。

       “多年來，Entegris 一直是 CMP 后清洗方面的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。我們的 PlanarClean 系列產(chǎn)品已廣泛用于全球的晶圓廠。由于許多新材料（如鈷和鎢）的添加，先進(jìn)節(jié)點(diǎn)處的晶圓生產(chǎn)變得更加復(fù)雜，為了解決這個(gè)問題，我們仔細(xì)重制了PlanarClean 解決方案，既能提供卓越的清洗能力，同時(shí)不破壞先進(jìn)薄膜或新材料”，Entegris CMP 后清洗解決方案總監(jiān) Cuong Tran 表示?！癙lanarClean AG 滿足先進(jìn)工藝的需求，同時(shí)還符合我們客戶制定的新安全指南?！?/p>

       硅晶圓生產(chǎn)中的 CMP 工藝包含機(jī)械研磨步驟，該步驟使用化學(xué)研磨液配方將多余的導(dǎo)電或絕緣材料從集成設(shè)備表面上去除，實(shí)現(xiàn)平整、光滑的表面，用于構(gòu)建多層集成電路。CMP 后清洗步驟去除納米級(jí)顆粒，減少潛在的晶圓缺陷，同時(shí)保持已經(jīng)放置到位的材料層的完整性。

       在高級(jí)工藝中，接觸清洗過程的薄膜和材料的數(shù)量和類型發(fā)生了變化，凸顯了對(duì)特別配方清洗解決方案的需求。此外，研磨液中所使用的微粒也有所改變，使得許多傳統(tǒng) CMP 后清潔劑在領(lǐng)先技術(shù)中顯得無效和低效，特別是在前段 (FEOL) 流程中。如今這些挑戰(zhàn)迫使半導(dǎo)體制造商考慮使用配方清洗解決方案代替商品清洗解決方案。

       PlanarClean AG 配方解決方案能夠滿足這些需求，在包含銅、鈷和鎢的高級(jí)工藝中提供一步式的卓越清洗，同時(shí)保護(hù)底層的薄膜和材料。其專有配方可以提高可靠性和產(chǎn)量、實(shí)現(xiàn)極低甚至零腐蝕和缺陷并增加待機(jī)時(shí)間，進(jìn)而帶來更高的性能。此外，PlanarClean AG 可降低清洗步驟中所需的化學(xué)品量，提供使用成本優(yōu)勢(shì)，并滿足晶圓廠化學(xué)品的最新 EHS 安全要求。相關(guān)產(chǎn)品已在多家領(lǐng)先晶圓廠成功經(jīng)過評(píng)估，目前可供所有客戶購(gòu)買。 

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