0 引言

　　目前，全球應(yīng)用于智能手機(jī)等便攜性移動(dòng)設(shè)備的移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)急速發(fā)展和擴(kuò)張，且多功能智能手機(jī)應(yīng)用愈加廣泛，為滿足用戶實(shí)時(shí)通信的用戶體驗(yàn)，應(yīng)用于智能手機(jī)的通信系統(tǒng)應(yīng)該能夠更加有效地處理文字、聲音和視頻數(shù)據(jù)并實(shí)現(xiàn)全球漫游。為了提供高數(shù)據(jù)速率的大數(shù)據(jù)傳輸，現(xiàn)代通信系統(tǒng)（WCDMA/3G/4G/LTE）采用了更加復(fù)雜的高頻譜效率的調(diào)制方式，如OFDM或QPSK和QAM等相移鍵控和幅移鍵控相結(jié)合的調(diào)制方式。為滿足不同用戶的使用需求，智能手機(jī)一般都支持兩種或者兩種以上網(wǎng)絡(luò)制式，而隨著手機(jī)的工作制式不同，其有效的頻率帶寬不同，因此，作為通信模組之一的功率放大器（PA）應(yīng)具備多頻多模（Multi-band and Multi-mode）的能力。

　　作為3GPP(3rd Generation Partnership Project)的演進(jìn)路線中的主流技術(shù)，LTE-Advanced將是2015年的主流通信方式。LTE的關(guān)鍵技術(shù)有多載波和多天線技術(shù)，其中多載波技術(shù)采用正交頻分復(fù)用(OFDM)的調(diào)制方式，使各個(gè)子載波重疊排列，大大提高頻譜效率的同時(shí)保持了載波之間的正交性，以避免載波之間的干擾。不過，LTE信號(hào)在給定的受限的帶寬內(nèi)，有著非常高的峰均比(PAPR)，這使PA常工作在功率回退區(qū)，造成PA的實(shí)際效率低下的現(xiàn)象。另外，為了線性放大LTE這類非常包絡(luò)信號(hào)(non-constant envelope signal)，要求PA有著較高的線性度(Linearity)，因此，應(yīng)用于新一代通信系統(tǒng)的功率放大器，必須有著較高的功率效率和線性度，且有著較寬的工作帶寬或者是滿足多頻多模的通信要求。

　　隨著便攜設(shè)備的功能模塊越來越復(fù)雜，將各個(gè)模塊單片集成起來，將大大縮短設(shè)備制造商的加工時(shí)間，因此，如何減小芯片的有效面積和用廉價(jià)的工藝在單一芯片上實(shí)現(xiàn)整個(gè)射頻模組將是未來的研究主流?，F(xiàn)代比較流行的集成電路工藝主要有六種:硅CMOS、BICMOS、Bipolar、GaAs、HBT和SiGe，但由于硅工藝是最為成熟的，也是成本最低、集成度高和應(yīng)用最廣泛的集成工藝，另外，大多數(shù)無線收發(fā)機(jī)的基帶處理部分都使用硅工藝，因此，硅CMOS工藝是單片實(shí)現(xiàn)各個(gè)模塊集成的理想解決方案。不過CMOS工藝自身存在著物理缺陷，如低截止電壓(breakdown voltage)、較差的電流能動(dòng)能力、片上無源器件的Q值小、較大的寄生電容、地襯底電阻率較低、沒有較為精確的RF模型和較差的線性度等，這些缺陷都大大限制了CMOS在RFIC領(lǐng)域的應(yīng)用，而且通信系統(tǒng)對(duì)高效率、高線性度和可實(shí)現(xiàn)性有著很高的要求，所以目前PA制造商還是常使用價(jià)格比較昂貴的III-V類混合硅半導(dǎo)體工藝器件(Compound Semiconductor Device)[1-4]，這些器件通過TWV(Through-Wafer-via)技術(shù)提供一個(gè)具有良好散熱效率的理想環(huán)境，常用于Bluetooth、WLAN和GSM/GPRS等應(yīng)用[5]。不過，CMOS工藝的物理缺陷可以通過一系列技術(shù)來緩解，在高供電電壓的情況下，可以選擇HV CMOS和BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝[6]。采用下行鍵合線(Down-bonding Wires)可以實(shí)現(xiàn)在給定的負(fù)載下得到較高的輸出功率，這種方法的缺點(diǎn)是會(huì)減小電壓擺幅，不過可以通過引入差分結(jié)構(gòu)克服這個(gè)缺點(diǎn)。解決CMOS工藝低截止電壓的一個(gè)很好的技術(shù)是引入共源共柵的Cascode結(jié)構(gòu)，不過這種結(jié)構(gòu)會(huì)使等效的knee電壓增加，所以也會(huì)在一定程度上減小電壓擺幅。CMOS的寄生電容和襯底較低的電阻率，使得在晶體管引腳間的信號(hào)存在著耦合，不過這種耦合影響也不全是消極的，通過利用在Cascode結(jié)構(gòu)中的共柵(CG)晶體管的RF泄露信號(hào)(Leakage signals)提供一個(gè)負(fù)反饋，不僅可以增強(qiáng)線性度，而且可以減小柵極和漏極間的電壓耦合，這種方法最大的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是不需要額外的器件和芯片面積，而且容易實(shí)現(xiàn)。由于CMOS的跨導(dǎo)較低，其電流驅(qū)動(dòng)能力較其他III-V類半導(dǎo)體低，需要通過級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)(Cascaded-stage)較大的功率增益，所以，多級(jí)級(jí)聯(lián)(multistage cascade topology)是CMOS PA中最常見的一種電路拓?fù)?。雖然采用Cascode結(jié)構(gòu)和柵氧厚度較厚的晶體管可以減輕CMOS的熱載流體效應(yīng)和低柵氧厚度的低擊穿電壓的問題，但這并不是最理想的辦法。根據(jù)最新的研究報(bào)告，應(yīng)用于3G/4G的手持設(shè)備的硅工藝PAs的性能已經(jīng)可以和III-V類PAs相比擬[7]，另外，類似于III-V類工藝的TWV技術(shù)，在SiGe BiCMOS工藝中， TSV（Through-Silicon-Via）技術(shù)同樣可以為SiGe BiCMOS工藝提供一個(gè)理想的回流地環(huán)境和熱釋放條件，因此，采用TSV技術(shù)的SiGe CMOS工藝將會(huì)是PA設(shè)計(jì)的一個(gè)首選方案[8]。

1 PA效率增強(qiáng)技術(shù)的關(guān)鍵研究進(jìn)展

　　功率放大器是手持移動(dòng)設(shè)備中耗能最大的模塊之一，因此為了延長(zhǎng)電池的使用壽命和迎合新一代通信(4G/LTE)的要求，高效率是PA設(shè)計(jì)的一個(gè)很重要而且頗有挑戰(zhàn)性的指標(biāo)。由于傳統(tǒng)的PA供電電壓是固定的，而且它的最優(yōu)負(fù)載僅僅是當(dāng)PA輸出最大功率時(shí)的最優(yōu)阻抗，對(duì)于LTE這種有著高PAPR的調(diào)制方式，PA常工作在功率回退區(qū)，因此PA的實(shí)際工作效率非常低。

　　提高這類PA效率的關(guān)鍵技術(shù)主要有兩類：通過一定方法調(diào)制負(fù)載，使每個(gè)功率回退點(diǎn)都對(duì)應(yīng)于一個(gè)最優(yōu)阻抗[9]和通過輸出的瞬時(shí)功率調(diào)制供電電壓，從而減小功率回退時(shí)的靜態(tài)功耗。第一種通過調(diào)制負(fù)載的方法常用于手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，第二種方法常常直接通過利用調(diào)制信號(hào)的包絡(luò)直接去調(diào)制PA的工作電壓，從而減小功耗[10]。

　　通過直接調(diào)制PA的工作電壓而達(dá)到增強(qiáng)PA效率的技術(shù)主要有PM(Polar Modulation)、EER(Envelope Elimination and Restoration)和ET(Envelope Tracking)，如圖1所示。PM利用數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)(DSP)來產(chǎn)生相位和幅度調(diào)制信號(hào)[11，12]，不過這種方法受限于DC-DC轉(zhuǎn)換器自身的效率、帶寬和面積，并且DC-DC轉(zhuǎn)換模塊通常需要使用片外的電感和開關(guān)實(shí)現(xiàn)，這大大限制了PM在RFIC中的應(yīng)用。EER和ET是目前PA效率增強(qiáng)的主流技術(shù)。EER通過包絡(luò)檢波器和限幅器將輸入信號(hào)分解成幅度信號(hào)和相位信號(hào)，因此可以用非線性PA來放大相位信號(hào)，而PA的電壓則由幅度信號(hào)調(diào)制，從而可以達(dá)到較大的效率，如圖2所示，但EER內(nèi)部固有的非線性導(dǎo)致幅度調(diào)制路徑和相位調(diào)制路徑間存在延時(shí)[13，14]。

　　與EER不同的是，ET使用線性的PA，如圖3所示。因此，ET的最大的一個(gè)好處就是沒有類似于EER的這種延時(shí)失配現(xiàn)象[15]，從而使ET技術(shù)可以在增強(qiáng)效率的基礎(chǔ)上通過其他技術(shù)來取得線性度和效率之間的折中，并可以應(yīng)用于寬帶信號(hào)[16]。ET主要目標(biāo)是為了當(dāng)輸入高PARP信號(hào)時(shí)，同時(shí)在最大輸出功率和在功率回退區(qū)域獲得最大工作效率，且滿足高線性度的要求，如EVM和ACLR等。另外，ET技術(shù)的效率和線性度依賴于電源調(diào)制器（Supply Modulator），如果電源調(diào)制效率低下，則ET整體的效率就非常低，因此必須增強(qiáng)電源調(diào)制器的線性度，文獻(xiàn)[17]通過雙開關(guān)和前饋信號(hào)來增強(qiáng)電源調(diào)制器的效率。為了精確跟蹤寬帶信號(hào)并不產(chǎn)生明顯失真，需要提高電源調(diào)制器的工作帶寬[18]。

　　使用ET技術(shù)可以大幅度提高功率回退時(shí)的效率，如圖4所示，為了減小復(fù)雜性和提高跟蹤精度，電源調(diào)制器可以通過開關(guān)實(shí)現(xiàn)在線性區(qū)使PA工作電壓保持一個(gè)較小的恒定值，而在過渡區(qū)和壓縮區(qū)則通過調(diào)制信號(hào)的包絡(luò)來調(diào)制PA的工作電壓，如圖5所示。采用這種方式的ET技術(shù)有一個(gè)缺點(diǎn)，那就是增益會(huì)有所降低，如圖6所示，但這種方式較固定電壓的方式有著較低的ACLR和EVM，特別是在高輸出功率的情況下，如圖7和圖8所示。

　　ET技術(shù)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是相位調(diào)制和幅度調(diào)制環(huán)路間沒有延遲失配，故可以在效率、線性度和帶寬間進(jìn)行折中設(shè)計(jì)，這些技術(shù)都可以歸納為ET的優(yōu)化技術(shù)，其中較為重要的是改善線性度，而包絡(luò)整形(Envelope-shaping)是改善線性度的一個(gè)有效方法[1]，其結(jié)果可以通過跟蹤掃描的點(diǎn)來表示出來[19]。這種方法可以改善工作于ET方式下的PA性能，包括效率和線性度[20]，通過結(jié)合其他電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可以更進(jìn)一步改善ET PA的效率。文獻(xiàn)[21]通過采用偽差分的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，結(jié)合SiGe BICMOS的TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)高效率的ET-PA系統(tǒng)。

　　改善ET的效率的另一個(gè)有效的方法是像傳統(tǒng)開關(guān)PA一樣引入工作在飽和區(qū)的功率放大器（Saturated Power Amplifier），這樣不僅可以提高ET PA的輸出功率，還可以最大化效率。

　　為了同時(shí)改善PA的動(dòng)態(tài)范圍、線性度和效率，可以采用動(dòng)態(tài)反饋控制(Dynamic feedback control)和共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)的電路拓?fù)鋄22]，這種結(jié)構(gòu)中的CG級(jí)采用了自偏置技術(shù)，從而改善了線性度和效率。不過這種結(jié)構(gòu)也存在著自身的缺陷，因?yàn)镃G級(jí)的晶體管的非線性會(huì)使整體的線性度下降，而且漏-柵間的擊穿電壓?jiǎn)栴}將是這種結(jié)構(gòu)的一個(gè)瓶頸。這是因?yàn)楣ぷ饔贓T PA的CG級(jí)在ET PA工作于功率回退區(qū)時(shí)，由于電源調(diào)制器的作用，PA的工作電壓會(huì)很小，而且Cascode結(jié)構(gòu)的飽和電壓相對(duì)較高（如knee電壓），使晶體管工作在線性區(qū),從而使ET PA在峰值功率和回退時(shí)的功率增益會(huì)有著很大的偏差，這就使PA的線性度和動(dòng)態(tài)范圍性能下降了[23]。這個(gè)問題存在的根本原因是因?yàn)镃G級(jí)的偏置電壓是固定的，因此，可以通過柵極自適應(yīng)動(dòng)態(tài)偏置技術(shù)和Cascode反饋偏置(Cascode Feedback Bias Technique)技術(shù)進(jìn)行折中設(shè)計(jì)，反饋偏置技術(shù)利用在CMOS工藝下CG晶體管的泄露信號(hào)通過負(fù)反饋環(huán)路反饋到偏置電路，從而改善CMOS PA的線性度[24]，采用共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)的另外一個(gè)需要仔細(xì)考慮的問題是關(guān)于CG級(jí)和CS級(jí)的尺寸比例，這在一定程度上會(huì)影響PA整體的效率[22]。對(duì)于ET技術(shù)在多頻多模情況下的應(yīng)用，簡(jiǎn)單而高效的方法是通過并聯(lián)一個(gè)開關(guān)電容從而實(shí)現(xiàn)兩個(gè)模式間的切換，文獻(xiàn)[1]通過結(jié)合升壓電源調(diào)制器(Boosted supply modulator)和開關(guān)電容實(shí)現(xiàn)了一個(gè)雙模多頻帶的高效率ET功率放大器，使ET PA不僅可以工作在高功率模式，還可以工作于低功率模式。

　　由于多數(shù)移動(dòng)設(shè)備可以在多個(gè)網(wǎng)絡(luò)制式間相互切換，因此，對(duì)于工作于類似于GSM/EDGE網(wǎng)絡(luò)制式下的PA，可以采用其他技術(shù)來增強(qiáng)效率。如采用反相結(jié)構(gòu)（outphasing architecture）的PA，這種結(jié)構(gòu)最大的優(yōu)點(diǎn)是可以使用非線性PA，且不需要額外的電源調(diào)制器就可以獲得較大的效率并不會(huì)引起輸出電壓擺幅下降，最大的缺點(diǎn)就是輸出端的求和電路不可避免會(huì)存在著功率損耗，因此求和的兩條路徑間的匹配會(huì)影響到整體電路的效率[25]。Doherty PA也是一種能夠有效提高功率回退區(qū)效率的增強(qiáng)技術(shù)，最大的理論效率可以達(dá)到79%，并擴(kuò)展大概6 dB的線性范圍[26]，不過，這種技術(shù)由于需要采用1/4波長(zhǎng)傳輸線，不僅增加了損耗，還需要占據(jù)較大的芯片面積，從而大大限制了其在RFIC的應(yīng)用。

　　高電壓應(yīng)用下的效率增強(qiáng)，可以采用傳統(tǒng)的開關(guān)功率放大器，其中關(guān)鍵問題是片上電源的耦合和反彈[27]，一個(gè)可行的解決方案是采用兩個(gè)較寬的開關(guān)PA并聯(lián)代替原來的開關(guān)PA，從而避免了開關(guān)PA的感性反饋，從而減小了電源耦合[6]。另外，通過采用壓電器件(Piezoelectric Device)，可以使PA輸出幾十瓦的功率并且有著很高的集成度，這種壓電器件有著很好的噪聲控制[28]，又因壓電反應(yīng)可以等效為一個(gè)壓電電容，因此并不會(huì)增加電路分析的復(fù)雜度。

2 高線性PA的關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

　　當(dāng)PA工作于高效率區(qū)時(shí)，PA將會(huì)因本身的非線性而出現(xiàn)功率壓縮，從而減小了PA的功率增益，而當(dāng)PA工作于功率回退區(qū)時(shí)，PA的實(shí)際工作效率非常低，這將會(huì)消耗大部分電能，因此，PA的線性化目的是改善PA的整體線性度，且使整體的效率比功率回退時(shí)的效率高。PA的線性體現(xiàn)為兩個(gè)方面：AM-AM和AM-PM失真。而衡量PA的線性度和偏離程度的指標(biāo)，應(yīng)該根據(jù)系統(tǒng)的要求和調(diào)制方式來決定。PA常用的線性度指標(biāo)有ACPR、EVM、1 dB壓縮輸出功率和三階交調(diào)點(diǎn)，在工程上常用單音(single tone)和雙音信號(hào)(two tone)對(duì)PA分別進(jìn)行諧波和交調(diào)失真等非線性測(cè)量與分析。此時(shí)，ACPR代表頻譜帶外的失真，而EVM代表帶內(nèi)失真。由于雙音信號(hào)會(huì)對(duì)相鄰信道造成干擾，所以對(duì)于某一信道，都有一個(gè)頻譜限制(spectral mask)。

　　改善PA的線性度的一個(gè)常用方法是通過反相的非線性補(bǔ)償電路來抵消原來電路的非線性[29-31]，這些電路通過補(bǔ)償AM-AM或者是AM-PM失真來達(dá)到優(yōu)化線性度的目的，然而，2-D電路綜合技術(shù)（2DCST），利用電流-電壓轉(zhuǎn)換器和可調(diào)的壓控電容（Voltage Characteristic Capacitor）實(shí)現(xiàn)同時(shí)補(bǔ)償AM-AM和AM-PM失真，且不需要反相電路[32]。雖然這些技術(shù)可以比較有效地改善PA的線性度，不過這些技術(shù)需要額外的控制單元，如電流-電壓轉(zhuǎn)換器等，從而限制了其在RFIC方面的廣泛應(yīng)用。

　　反饋是改善PA線性度的另外一種有效的方法，而且可以改善帶寬，不過前提是犧牲了增益。前饋技術(shù)(Feed Forward)廣泛應(yīng)用于高穩(wěn)定性要求的PA設(shè)計(jì)中，主要通過前饋錯(cuò)誤環(huán)路獲得原始信號(hào)的錯(cuò)誤信號(hào)，然后將放大后的信號(hào)與錯(cuò)誤信號(hào)相減，從而得到線性的信號(hào)，如圖9所示。如果其內(nèi)部的兩級(jí)PA是穩(wěn)定的，則整體的PA就是非常穩(wěn)定的，然而前饋技術(shù)的如下幾個(gè)缺陷使其在RFIC中的應(yīng)用極其有限：

　　(1)如果延時(shí)單元由無源器件組成，則會(huì)增大PA整體的損耗，如果由有源器件組成，則會(huì)因?yàn)闊o源器件的非線性造成失真；

　　(2)輸出級(jí)的減法器間的損耗，大大降低了PA的整體效率；

　　(3)整PA線性度的改善決定于每個(gè)減法器的信號(hào)的增益和相位匹配。

　　采用Cartesian負(fù)反饋技術(shù)(Cartesian Feedback)[33]可以克服前饋技術(shù)的以上缺點(diǎn)，因?yàn)镃artesian Feedback 不需要使用減法器，如圖10所示，并且對(duì)環(huán)路間的失配不敏感，與Cartesian Feedback技術(shù)相似的還有極化環(huán)路反饋技術(shù)(Polar Loop Feedback)[34]，這兩種技術(shù)有著相反的特性，不過都對(duì)負(fù)載和PVT的變化不敏感，而較大的缺點(diǎn)就是環(huán)路的帶寬受限，文獻(xiàn)[33]通過犧牲較大的輸出功率而實(shí)現(xiàn)帶寬超過10 MHz的PA。與改善效率的方法一樣，同樣可以通過在Cascode結(jié)構(gòu)中結(jié)合反饋和自適應(yīng)偏置技術(shù)來改善線性度[35]。

　　將RF輸出信號(hào)直接反饋到輸入端，雖然可以獲得較大的帶寬，但在RF頻率上容易造成PA不穩(wěn)定，從而產(chǎn)生振蕩，雖然文獻(xiàn)[36]通過結(jié)合偏置技術(shù)改善了這種情況，但其所采用的方法僅僅適用于驅(qū)動(dòng)級(jí)。為了克服直接負(fù)反饋在RF頻率下不穩(wěn)定的缺點(diǎn)，文獻(xiàn)[37]通過直接檢測(cè)輸入和輸出端的信號(hào)相位和幅度，采用雙路閉環(huán)負(fù)反饋結(jié)構(gòu)。這種方法又稱功率反饋(Power Feedback)，這種結(jié)構(gòu)通過消除AM-AM失真的方法來實(shí)現(xiàn)輸出較大的功率而沒有群延時(shí)失真[38]，不過這種方法得益于III-V類工藝的優(yōu)點(diǎn)，因此并不適用于CMOS工藝，因?yàn)镃MOS工藝本身的線性度較差，且其非線性的柵極電容會(huì)造成較大的AM-AM和AM-PM失真。

　　采用預(yù)失真技術(shù)（Pre-distortion）也是一種比較可行的線性PA結(jié)構(gòu)，不過這種結(jié)構(gòu)得益于預(yù)先可估計(jì)的失真模型，從而構(gòu)建與之相反的模型電路來達(dá)到失真補(bǔ)償?shù)哪康?。如果PA的非線性特性隨工藝、溫度和負(fù)載阻抗變化時(shí)，預(yù)失真技術(shù)并不是理想的解決方案，因?yàn)楹茈y去同時(shí)構(gòu)建一個(gè)全方面的失真模型。

3 總結(jié)

　　隨著移動(dòng)設(shè)備的功能越來越復(fù)雜，集成度越來越高，單片實(shí)現(xiàn)RF前端模組有著重要的研究意義，又因?yàn)镽F的基帶處理單元基本都使用硅工藝，與之兼容的硅CMOS工藝是很好的解決方案。雖然CMOS工藝因?yàn)槲锢砣毕菰谛阅苌媳炔簧螴II-V類工藝，但是隨著研究的深入，通過結(jié)合其他優(yōu)化技術(shù)，使用CMOS實(shí)現(xiàn)RF的一些重要模塊已經(jīng)成為可能。

　　隨著新一代網(wǎng)絡(luò)（4G/LTE）的應(yīng)用和逐漸普及，移動(dòng)通信的數(shù)據(jù)空前增長(zhǎng)，移動(dòng)設(shè)備對(duì)電池續(xù)航時(shí)間的要求也大大提升。LTE上行鏈路信號(hào)采用SC-FDMA調(diào)制方式，均峰比明顯高于W-CDMA。PA作為移動(dòng)終端中耗能最大的模塊之一，LTE上行鏈路信號(hào)的功率電平大部分時(shí)間都保持在較低值，極少達(dá)到峰值功率，因此，PA大部分時(shí)間工作在功率回退區(qū)，從而消耗電池電能，進(jìn)而影響設(shè)備的散熱設(shè)計(jì)功耗(TDP)。

　　包絡(luò)跟蹤(ET)技術(shù)根據(jù)PA的輸入信號(hào)的包絡(luò)動(dòng)態(tài)調(diào)整PA的工作電壓，使PA在回退時(shí)也有著較高的效率，且ET內(nèi)部有著固有的線性特性，使ET PA很容易在線性度、效率和帶寬之間的進(jìn)行折中設(shè)計(jì)，所以ET是應(yīng)用于LTE環(huán)境的一個(gè)較好的解決方案。

　　非線性是PA處理類似于LTE這些高PAPR信號(hào)的另外一個(gè)問題，因?yàn)殡S著輸入信號(hào)功率的加大，PA會(huì)因?yàn)閮?nèi)部的非線性而出現(xiàn)功率增益壓縮，從而無法線性放大輸入信號(hào)而出現(xiàn)失真，最終導(dǎo)致ACLR和EVM超標(biāo)。PA的線性度的改善可以采用反饋和數(shù)字預(yù)失真的方法，不過采用預(yù)失真的方法需要提供一個(gè)比較完善的失真模型，而反饋則會(huì)使增益下降。隨著DSP技術(shù)的成熟，數(shù)字預(yù)失真技術(shù)也逐漸成為ET PA的主流線性優(yōu)化技術(shù)。

參考文獻(xiàn)

　　[1] YUNSUNG C，DAEHYUN K，JOOSEUNG K，et al.A dual power-mode multi-band power amplifier with envelope tracking for handset applications[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，2013，61(4)：1608-1619.

　　[2] KANG D，DAEKYU Y，KYOUNGJOON M，et al.A highly efficient and linear class-AB/F power amplifier for multi-mode operation[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，2008，56(1)：77-87.

　　[3] YU Z，METZGER A G，ZAMPARDI P J，et al.Linearity improvement of HBT-based Doherty power amplifiers basedon a simple analytical model[J].IEEE Transactions on Mic-rowave Theory and Techniques，2006，54(12)：4479-4488.

　　[4] YOUNGOO Y，CHOI K，WELLER K P.DC boosting effect of active bias circuits and its optimization for class-ABInGaP-GaAs HBT power amplifiers[J].IEEE Transactions onMicrowave Theory and Techniques，2004，52(5)：1455-1463.

　　[5] CHOWDHURY D，HULL C D，DEGANI O B，et al.A fullyintegrated dual-mode highly linear 2.4 GHz CMOS power amplifier for 4G WiMax applications[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits，2009，44(12)：3393-3402.

　　[6] Haifeng M，van der Zee R，Nauta B.Design and analysis ofa high-efficiency high-voltage class-D power output stage[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits，2014，49(7)：1514-1524.

　　[7] KRISHNAMURTHY V，HERSHBERGER K，EPLETT B，et al.SiGe power amplifier ICs for 4G(WIMAX and LTE)  mobile and nomadic applications[C].Radio Frequency Integrated Circuits Symposium(RFIC)，2010 IEEE；2010 23-

　　25 May 2010.

　　[8] RUILI W，LOPEZ J，YAN L，et al.A highly efficient 1-Watt broadband class-J SiGe power amplifier at 700 MHz[C].Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems(SiRF)，2012 IEEE 12th Topical Meeting on；2012 16-18 Jan.2012.

　　[9] JOONGJIN N，JIN-HO S，KIM B.A handset power amplifierwith high efficiency at a low level using load-modulation technique[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，2005，53(8)：2639-2644.

　　[10] YAN L，LOPEZ J，PO-HSING W，et al.A SiGe envelope-tracking power amplifier with an integrated CMOS envelopemodulator for mobile WiMAX/3GPP LTE transmitters[J].IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques，2011，59(10)：2525-2536.

　　[11] NAKATANI T，RODE J，KIMBALL D F，et al.Digitally-controlled polar transmitter using a Watt-Class current-mode class-D CMOS power amplifier and guanella reverse balun for handset applications[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits，2012，47(5)：1104-1112.