在英特爾(Intel)、臺(tái)積電的SRAM仍停留在14納米、16納米制程時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)已搶先研發(fā)出10納米FinFET制程SRAM，這也意味著距離10納米邏輯芯片量產(chǎn)更近一步。

　　速度較DRAM快的SRAM，可運(yùn)用為中央處理器(CPU)緩存存儲(chǔ)器。完成研發(fā)10納米SRAM，也意味著三星在同制程系統(tǒng)芯片生產(chǎn)準(zhǔn)備作業(yè)正順利進(jìn)行。照此趨勢(shì)，2017年初將可正式量產(chǎn)采10納米制程的移動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)。10納米AP將與GB級(jí)數(shù)據(jù)機(jī)芯片整合，移動(dòng)裝置速度將更快。

　　據(jù)南韓ET NEWS報(bào)導(dǎo)，三星將 在國(guó)際固態(tài)半導(dǎo)體研討會(huì)(ISSCC)中發(fā)表的10納米FinFET制程SRAM容量為128Mb，Cell面積為0.040μm2。Cell面積較三星 先前發(fā)表的14納米SRAM縮減37.5%。三星在研討會(huì)論文中強(qiáng)調(diào)，該產(chǎn)品為以最小面積實(shí)現(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)的大容量緩存存儲(chǔ)器。搭載該SRAM的智能型手機(jī) AP晶粒(Die)面積也最小化，且性能獲改善。

　　發(fā)表10納米FinFET SRAM，也意味著三星在次世代系統(tǒng)芯片研發(fā)進(jìn)度上，超越了臺(tái)積電和英特爾。內(nèi)建CPU核心的系統(tǒng)芯片搭載緩存存儲(chǔ)器，需要前導(dǎo)研發(fā)作業(yè)。報(bào)導(dǎo)稱，三星和 臺(tái)積電在2014年2月的ISSCC中，各自發(fā)表14、16納米SRAM，然在實(shí)際商用化方面，三星速度較快。英特爾以高難度制程會(huì)使成本提升為由，將 10納米系統(tǒng)芯片研發(fā)進(jìn)程從2016年推遲到2017年以后。三星則以2016年底商用化10納米制程為目標(biāo)努力。

　　此外，三星也領(lǐng)先業(yè) 界研發(fā)出14納米平面NAND Flash。日系大廠東芝(Toshiba)和美國(guó)美光(Micron)只發(fā)展到15~16納米制程，并表示將不會(huì)再研發(fā)平面NAND Flash。與16納米相比，14納米NAND Flash浮動(dòng)閘極(Floating Gate)約縮減12.5%，晶粒面積縮小，對(duì)降低NAND Flash生產(chǎn)成本將帶來貢獻(xiàn)。

　　研發(fā)出14納米平面NAND Flash，也將大幅提升三星存儲(chǔ)器事業(yè)部的獲利率。目前平面NAND Flash進(jìn)展到16納米制程并已量產(chǎn)。過去南韓業(yè)界認(rèn)為15~16納米已抵達(dá)平面NAND Flash的發(fā)展上限，未來將迅速轉(zhuǎn)換到垂直堆疊的3D NAND Flash。然三星成功研發(fā)出14納米制程，增加平面NAND Flash的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　三星在ISSCC發(fā)表的14納米NAND Flash為128Gb容量的MLC產(chǎn)品。之后若量產(chǎn)，將以內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器(eMMC)、UFS(Universal Flash Storage)介面供應(yīng)。