《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > 嵌入式技術 > 業(yè)界動態(tài) > 美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

美光新型存儲器要替代NOR快閃存儲器

2015-11-05
關鍵詞: 美光 存儲器 NOR GPS

       是時候該跟平凡無奇的NOR快閃存儲器說再見了?美光科技(Micron)最近發(fā)表最新XTRMFlash系列產(chǎn)品,號稱速度可達到3.2Gb/s,而且與目前市面上的串列式NOR快閃存儲器接腳相容。

  美光嵌入式業(yè)務部門NOR快閃存儲器產(chǎn)品總監(jiān)Richard De Caro表示:“并列式快閃存儲器的時代已經(jīng)結束了,美光新推出的XTRMFlash將可在接下來取代目前市面上的并列式與串列式存儲器──也許除了一些 低密度應用?!泵拦鈱樾庐a(chǎn)品推出容量從128Mb~2Gb的產(chǎn)品,目前第一波512Mb的產(chǎn)品已可提供樣品。

  美光已經(jīng)取得了包括飛思卡 爾半導體(Freescale)在內(nèi)數(shù)家大型晶片供應商的背書;XTRMFlash新產(chǎn)品的問世也正與研究機構Databeans最新預測相符──該機構 預期,車用半導體營收規(guī)模將由今年的285億美元擴展至2020年的400億美元,其中有大部分應用是取決于NOR快閃存儲器,包括GPS、衛(wèi)星無線電、 車輛對車輛通訊以及車用資通訊娛樂系統(tǒng)。

  根據(jù)De Caro的說法,XTRMFlash的性能超越并列式、串列式以及Quad-SPI等類NOR快閃存儲器,其接腳數(shù)比目前的并列式NOR快閃存儲器減少 75%;此外該技術的隨機存取時間最快83奈秒(nanoseconds)、循序位元組讀取(sequential byte read)最快2.5奈秒,傳輸速度400MB/s (高于并列與串列快閃存儲器)。

  XTRMFlash也能與目前串列式快閃存儲器采用 的Quad SPI接腳相容,只需小幅改變電路板設計就能達到上述的性能規(guī)格。美光表示最近已經(jīng)在一些熱門的汽車、工業(yè)與消費性領域“永不關機”應用,測試其 XTRMFlash存儲器,能為人機介面、圖形式使用者介面(GUI)、儀器儀表、車用資通訊系統(tǒng)與先進駕駛人輔助系統(tǒng)(ADAS)帶來及時性的成功。


本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內(nèi)容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。