新材料和IGBT是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的熱門話題。新材料主要是GaN, SiC這些寬帶隙(WBG)材料。WBG材料前景非常好! 目前仍有許多問題需要克服。
寬禁帶半導(dǎo)體材料的主要電性測試,用簡單的器件結(jié)構(gòu)來驗(yàn)證新材料的高壓/高流下的IV特性。
(大)功率半導(dǎo)體器件(有時(shí)也稱電力電子器件),主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件, 如整流,開關(guān)器件等(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安,電壓為數(shù)百伏以上)。其中典型代表為 GTO (門極或關(guān)斷晶閘管), GTR(電力晶體管, 巨型晶體管),power MOSFET(功率場應(yīng)晶體管), IGBT(絕緣柵雙極晶體管) 等。
功率半導(dǎo)體器件的主要特性:
吉時(shí)利產(chǎn)品專注于器件級(jí)特性分析,可以提供功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)測試解決方案。完善的解決方案包括SMU儀器、電纜、測試夾具、軟件、測試程序庫和樣本器件。
功率半導(dǎo)體測試中的幾個(gè)要點(diǎn):
A. 高電流測試時(shí)的連線方法-- 四線法連線(remote sense)。
B. 自熱效應(yīng)-- 脈沖測試(Pulse Measurement)。
C. 高壓電容測試-- BiasT, Protection Module, CV測試。
D. 器件振蕩及解決方案。
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