《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Qorvo GaN產(chǎn)能即將實(shí)現(xiàn)翻倍

使用6英寸晶圓的碳化硅基氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)高容量、低成本GaN應(yīng)用
2015-09-15
關(guān)鍵詞: Qorvo QorvoGaN MMIC 射頻器件

       中國北京,2015年9月15日 – 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路(MMIC)。預(yù)計(jì)從4英寸過渡到6英寸晶圓,大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍,并且有利于降低制造成本 - 對(duì)價(jià)格實(shí)惠的射頻器件生產(chǎn),能起到顯著的推進(jìn)作用。

       “在6英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)碳化硅基氮化鎵單片微波集成電路,為顯著提高生產(chǎn)能力和成本效益鋪平了道路”,Qorvo公司的基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品部(IDP)總裁James Klein表示?!斑@是一個(gè)重要的里程碑,鞏固了Qorvo在商業(yè)和國防市場(chǎng)提供一流工藝和GaN產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

       Qorvo成功地證明,其高產(chǎn)、X波段功率放大器(PA)單片微波集成電路(MMIC)的QGaN25生產(chǎn)工藝可成功地從4英寸擴(kuò)展到6英寸碳化硅基氮化鎵晶圓。這同樣有助于將公司的所有碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換到6英寸晶圓,柵極長度范圍為0.15 um至0.50 um,涵蓋整個(gè)微波至mmW應(yīng)用領(lǐng)域。預(yù)計(jì)將于2016年實(shí)現(xiàn)全面生產(chǎn)。

       12瓦X波段的點(diǎn)對(duì)點(diǎn)MMIC功率放大器,符合80%以上的直流和射頻收益率要求,引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。這一工藝可行性為高速生產(chǎn)商用收發(fā)器基站(BTS)和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電、CATV及國防產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)。

       晶圓尺寸擴(kuò)展進(jìn)一步鞏固了其作為美國國防部制造電子局認(rèn)可的1A類供應(yīng)商(1A Trusted Source)的領(lǐng)導(dǎo)地位。Qorvo于2014年圓滿完成DPA Title III碳化硅基氮化鎵項(xiàng)目,是首個(gè)達(dá)到制造成熟度(MRL)9級(jí)的公司,表明其高性能制造工藝可以投入全面生產(chǎn)。

       美國國防部的制造成熟度評(píng)估(MRA)確保制造、生產(chǎn)和質(zhì)量要求能夠滿足作戰(zhàn)任務(wù)需求。該過程確保產(chǎn)品或系統(tǒng)從工廠順利過渡到現(xiàn)場(chǎng),為客戶提供最高的價(jià)值,并滿足全部性能、成本和產(chǎn)能目標(biāo)。

Qorvo簡介

       Qorvo (Nasdaq: QRVO) 是面向移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施和航天航空/國防應(yīng)用提供核心技術(shù)與射頻解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。由RFMD與TriQuint合并組建而成,Qorvo在全球擁有6000多名員工,致力于為實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)的各種應(yīng)用提供解決方案。Qorvo擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的產(chǎn)品組合和核心技術(shù);還有通過ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949認(rèn)證的世界級(jí)生產(chǎn)廠。


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