Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補(bǔ)式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計(jì)針對(duì)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器，為專(zhuān)用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機(jī)、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機(jī)頂盒等設(shè)備的處理器。

　　降壓轉(zhuǎn)換器可利用獨(dú)立的脈沖寬度調(diào)制控制器及外部MOSFET來(lái)提升設(shè)計(jì)靈活性，同時(shí)從開(kāi)關(guān)元件提供分布式熱耗散。DMC1028UFDB MOSFET組合優(yōu)化了性能，可盡量提高3.3V到1V降壓轉(zhuǎn)換器的效率，并驅(qū)動(dòng)高達(dá)3A的負(fù)載。這些優(yōu)化性能包括針對(duì)在三分之二的開(kāi)關(guān)周期都處于導(dǎo)通狀態(tài)的低側(cè)N通道MOSFET，Vgs=3.3V下的19mΩ低導(dǎo)通電阻，還有為P通道MOSFET而設(shè)，Vgs=3.3V下的5nc低柵極電荷，從而把開(kāi)關(guān)損耗減到最低。
　　DMC1028UFDB利用P通道MOSFET部署高側(cè)開(kāi)關(guān)元件，相比需要充電泵的N通道MOSFET，能夠簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)及減少元件數(shù)量。與采用了相同尺寸封裝的獨(dú)立MOSFET相比，這種把P通道和N通道器件集成到單一DFN2020封裝的互補(bǔ)式雙 MOSFET組合可使整體功率密度翻倍。
　　新產(chǎn)品以三千個(gè)為出貨批量。如欲了解進(jìn)一步產(chǎn)品信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.diodes.com。
　　Diodes簡(jiǎn)介
　　Diodes公司 (Diodes Incorporated) 是一家標(biāo)準(zhǔn)普爾小市值 600 指數(shù) (S&P SmallCap 600 Index) 及羅素 3000 指數(shù)公司，是全球領(lǐng)先的分立、邏輯及模擬半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造商及供應(yīng)商，服務(wù)于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、通信、工業(yè)及汽車(chē)等不同市場(chǎng)。Diodes的產(chǎn)品包括二極管、整流器、晶體管、MOSFET、保護(hù)器件、特殊功能陣列、單門(mén)邏輯、放大器和比較器、霍爾效應(yīng)及溫度傳感器，涵蓋 LED 驅(qū)動(dòng)器、AC-DC轉(zhuǎn)換器和控制器、DC-DC 開(kāi)關(guān)和線性穩(wěn)壓器、電壓參考在內(nèi)的電源管理器件，以及USB 電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電壓監(jiān)控器及電機(jī)控制器等特殊功能器件。
　　Diodes公司的總部及美國(guó)銷(xiāo)售辦事處位于美國(guó)德克薩斯州普萊諾市，在普萊諾、加利福尼亞州圣荷西、臺(tái)北、英國(guó)曼切斯特和德國(guó)諾伊豪斯設(shè)有設(shè)計(jì)、市場(chǎng)及工程中心；在密蘇里州堪薩斯城及曼切斯特設(shè)有晶圓制造廠，另有兩座設(shè)于上海；在上海、成都、臺(tái)北及德國(guó)諾伊豪斯各設(shè)一座組裝及多座測(cè)試廠；在臺(tái)北、香港、上海、深圳、南韓城南市、曼切斯特及慕尼黑設(shè)有工程、銷(xiāo)售、倉(cāng)儲(chǔ)及物流辦事處；并在世界各地設(shè)有銷(xiāo)售及支持辦事處。
　　更多詳盡信息，包括美國(guó)證交會(huì)檔案，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站：www.diodes.com。