全球最大的硅代工企業(yè)——臺灣臺積電（TSMC）在上屆的“ECTC 2014”上只做了一場演講，而本屆做了四場演講。其中兩場是關于三維積層的，其余兩場是關于晶圓級CSP（wafer-level chip scale package：WLCSP）的。

　　題為“A flexible interconnect technology demonstrated on a Wafer-level Chip Scale Package”的演講（演講序號20-2），是關于旨在提高200mm2大面積芯片的WLCSP封裝可靠性的內容。臺積電不僅從事半導體前工序，還在向晶圓級封裝領域擴大業(yè)務，其技術水平備受關注。

　　不用底部填充樹脂也可以確保封裝可靠性

　　一般而言，WLCSP的芯片面積越大，封裝基板與硅之間的熱膨脹差所導致的應力就越大。因此，基板與WLCSP的接合處——焊球上會產生裂縫，導致封裝可靠性降低。為改善這一點，原來采取的方法是在基板封裝后在基板與芯片之間注入底部填充樹脂來加固的。

　　與之不同的是，此次的目標是，即便是大芯片也不用注入底部填充樹脂便可以確保封裝可靠性。在硅芯片上呈陣列狀排列焊盤（Pad)，以銅線鍵合形成N字形引線端子。將線頭作為連接端子，在以錫膏印刷方式預涂了焊盤(land)的印刷基板上作倒裝芯片接合。

　　臺積電對這種樣品實施了跌落試驗和溫度循環(huán)試驗，評估了封裝可靠性。結果表明，兩項試驗可靠性都得到改善，據稱由此得出即使大面積芯片，也可以不用底部填充樹脂就能實現出色的封裝可靠性。

　　驗證使用的樣品是在200mm2的正方形硅芯片上，呈陣列狀排列了1000多個400μm間隔的圓形焊盤，并作銅線鍵合的。在N字形引線形成技術上，引線鍵合廠商日本KAIJO公司予以了幫助。

　　評估銅線粗細和有無涂層的影響

　　臺積電分別評估了直徑30μm和38μm兩種水平銅線鍵合的樣品。在跌落試驗中，直徑30μm的樣品在跌落30次時出現缺陷，而直徑38μm的樣品的壽命是30μm的大約2倍。而在溫度循環(huán)試驗中，原來利用焊球封裝的樣品在300個周期后出現缺陷，而采用N字形銅線鍵合的樣品壽命達到2000多次。直徑30μm銅線的壽命比38μm銅線的壽命長2.7倍。

　　就這個實驗結果，臺積電解釋說，跌落試驗中粗銅線的機械強度大，不容易斷，而溫度循環(huán)試驗中細銅線容易變形，不會發(fā)生應力集中。如圖2所示，銅線的裂縫是因為應力集中于焊接處造成的。

　　另外，臺積電介紹，在評估裸銅線和鍍鈀銅線2種銅線的溫度循環(huán)可靠性時發(fā)現：鍍鈀銅線的溫度循環(huán)可靠性更好一些。兩者的應力應變曲線不同，鍍鈀銅線能夠承受較大應力，因此可靠性良好。

　　有聽眾尖銳地指出，通過N字形引線鍵合（過去曾稱S字形引線鍵合或cobra conduct等）來提高封裝可靠性的手段15年前就已提出，并反復評估過，臺積電此次的發(fā)布的創(chuàng)新性在哪里？過去所做的評估樣品是以Au線鍵合后再鍍Ni的樣品為主，而此次用銅線來做封裝可靠性評估，其材料的不同可以說是創(chuàng)新吧。其評估和分析都符合邏輯，可見臺積電封裝技術水平的提高。（特約撰稿人：特約撰稿人：中島宏文，IEEE電子元件、封裝及制造技術學會亞太區(qū)計劃主管