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Vishay超薄IGBT/MOSFET驅動器在小尺寸逆變器中有效節(jié)省空間

器件的高度為2.5 mm,具有高隔離電壓,可用于電機驅動、可替代能源和其他高壓應用
2015-05-28

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅動器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小,高度為2.5mm,最小間隙和外部爬電距離為8mm。除了尺寸小的特點,器件還具有高隔離電壓,VIORM和VIOTM分別為1050V和8000V,非常適合在更高工作電壓或污染程度更嚴重條件下運轉,例如電機驅動、可替代能源、焊接設備和其他高工作電壓的應用。

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  VOL3120的高度比標準DIP封裝的器件低30%,能節(jié)省空間,并實現(xiàn)類似電磁爐面,以及民用太陽能電池和電機驅動中的小尺寸逆變器等扁平外形的應用。VOL3120不僅具有優(yōu)異的隔離能力,還具有當今最佳的電氣性能。器件的過壓鎖定功能可保護IGBT/MOSFET,避免出現(xiàn)故障,對共模瞬態(tài)的抑制能力超過48kV/μs,能消除來自PCB上低壓區(qū)域的噪聲。
  VOL3120的工作損耗電流最大為2.5mA,在要求高頻工作的電源應用里是很實用的選擇。器件的典型延遲小于250ns,典型上升和下降時間為100ns,極為適合要求IGBT和MOSFET快速開關的應用。
  今天推出的驅動器可在15V~32V電源電壓和-40℃~+100℃的工業(yè)溫度下工作。VOL3120的潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020 1級,倉儲壽命不限。器件符合RoHS和Vishay綠色標準,無鹵素。
  VOL3120現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產,大宗訂貨的供貨周期為八周到十周。
  VISHAY簡介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

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