推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON)，針對(duì)數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴(kuò)大其寬廣的產(chǎn)品陣容。

　　這些器件能提供低得令人難以置信的導(dǎo)通電阻RDS(on) 值，從而將導(dǎo)通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅(qū)動(dòng)損耗。
　　安森美半導(dǎo)體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導(dǎo)通電阻值(Vgs為10 V時(shí))分別為0.74毫歐(m?)、0.9 m?和2.8 m?，連續(xù)漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導(dǎo)通電阻分別為1.2 m?、 1.5 m? 和 4.7 m?，而相關(guān)的連續(xù)漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。而相關(guān)的連續(xù)漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結(jié)溫都高達(dá)175 ?C，從而為工程師的設(shè)計(jì)提供更大的熱余裕。安森美半導(dǎo)體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK 和 TO220來(lái)擴(kuò)大此產(chǎn)品線。
　　安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“OEM的工程團(tuán)隊(duì)不斷致力于創(chuàng)建更高能效的電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)占用更少用板空間。我們新加的器件擴(kuò)大了我們廣泛的功率MOSFET產(chǎn)品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達(dá)到更高能效的設(shè)計(jì)目標(biāo)。”
　　封裝和定價(jià)
　　NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝，每10,000片批量的單價(jià)從0.42美元起。
　　訪問(wèn)安森美半導(dǎo)體于PCIM的展臺(tái)-9號(hào)展館展臺(tái)559
　　關(guān)于安森美半導(dǎo)體
　　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)致力于推動(dòng)高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先于供應(yīng)基于半導(dǎo)體的方案，提供全面的高能效電源和信號(hào)管理、邏輯、標(biāo)準(zhǔn)及定制器件陣容。公司的產(chǎn)品幫助工程師解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療及軍事/航空應(yīng)用的獨(dú)特設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。公司運(yùn)營(yíng)敏銳、可靠、世界一流的供應(yīng)鏈及品質(zhì)項(xiàng)目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)包括制造廠、銷售辦事處及設(shè)計(jì)中心在內(nèi)的業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)。更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.cn。
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