推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號： ON)，針對數據網絡、電信和工業(yè)應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣的產品陣容。

　　這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS(on) 值，從而將導通損耗降至最低并提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss)，確保保持盡可能低的驅動損耗。
　　安森美半導體新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V)，最大導通電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐(m?)、0.9 m?和2.8 m?，連續(xù)漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，額定擊穿電壓60 V，最高導通電阻分別為1.2 m?、 1.5 m? 和 4.7 m?，而相關的連續(xù)漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。而相關的連續(xù)漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175 ?C，從而為工程師的設計提供更大的熱余裕。安森美半導體將推出采用更多的電阻值和不同的封裝，如micro8FL、DPAK 和 TO220來擴大此產品線。
　　安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說：“OEM的工程團隊不斷致力于創(chuàng)建更高能效的電力系統(tǒng)設計，同時占用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產品陣容，為客戶提供高性能的器件，采用緊湊的、高熱能效的封裝，幫助他們達到更高能效的設計目標。”
　　封裝和定價
　　NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都采用緊湊的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝，每10,000片批量的單價從0.42美元起。
　　訪問安森美半導體于PCIM的展臺-9號展館展臺559
　　關于安森美半導體
　　安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)致力于推動高能效電子的創(chuàng)新，使客戶能夠減少全球的能源使用。安森美半導體領先于供應基于半導體的方案，提供全面的高能效電源和信號管理、邏輯、標準及定制器件陣容。公司的產品幫助工程師解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、醫(yī)療及軍事/航空應用的獨特設計挑戰(zhàn)。公司運營敏銳、可靠、世界一流的供應鏈及品質項目，及在北美、歐洲和亞太地區(qū)之關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處及設計中心在內的業(yè)務網絡。更多信息請訪問http://www.onsemi.cn。
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