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松下量產新一代半導體 采用氮化鎵可降低電耗

2015-05-20

  松下研發(fā)出用于電源和馬達控制的新一代半導體,將于2016年春季在日本國內企業(yè)中率先量產。新一代半導體采用氮化鎵(GaN),能將耗電量控制在原來一半左右。松下目前已與日本國內外約10家企業(yè)就供貨進入最終交涉。新一代半導體被松下定位為重振持續(xù)虧損的半導體業(yè)務的戰(zhàn)略產品。

  松下計劃首先將向服務器電源裝置等供貨。半導體材料氮化鎵作為能發(fā)藍光的LED得到普及。在電壓控制型功率半導體中,碳化硅(SiC)產品正在增加,但氮化鎵將成為新一代產品。

  氮化鎵也被稱為“終極半導體材料”,世界上僅有美國風險企業(yè)涉足。松下希望通過量產在世界市場獲得領先地位。將在生產子公司松下電器半導體有限公司(panasonic Semiconductor Solutions )的魚津工廠(位于富山縣魚津市)進行量產。


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