存儲(chǔ)器，也稱之為內(nèi)存，其分類關(guān)系如下圖：

在PCB 設(shè)計(jì)的過(guò)程中，關(guān)注的是它們存取數(shù)據(jù)的速率，這個(gè)速率關(guān)系的細(xì)節(jié)的處理。

如，速率高的內(nèi)存顆粒，PCB 設(shè)計(jì)時(shí)為了減小串?dāng)_，盡量拉大信號(hào)線的間距；同時(shí)，由于

速率不同，控制蛇形線的誤差范圍也不一樣；

下文結(jié)合FLASH、SDRAM、DDR2 來(lái)介紹布局布線設(shè)計(jì)要點(diǎn)。這里先概述一下布局和

布線。

布局：內(nèi)存中的數(shù)據(jù)是用來(lái)被控制器（CPU,如DSP、MCU、ARM、FPGA 等）讀寫(xiě)的，

因此需要結(jié)合PCB 單板尺寸、器件密度、走線密度情況，選擇合適的位置擺放；至于那些

去耦電容、儲(chǔ)能電容時(shí)必不可少的，怎么擺放，就不再贅述。如果還有匹配電阻如串阻、上

下拉，結(jié)合它們的作用來(lái)擺放。

布線：首先要對(duì)信號(hào)線分類，然后然后分好組，處理這兩步后，后續(xù)的走線、繞等長(zhǎng)等，

同一組的按統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)處理就行了。在這里將信號(hào)線分為三類：數(shù)據(jù)信號(hào)、地址信號(hào)、控制信

號(hào)。對(duì)于PCB 設(shè)計(jì)工程師，首先要培養(yǎng)出在原理圖中識(shí)別信號(hào)種類的能力，然后能夠在PCB

中能把分類的信號(hào)線進(jìn)行分組。通俗的分組方法：數(shù)據(jù)組和地址組。

數(shù)據(jù)組：在這里舉例說(shuō)明一下，如果有一片只有8 位的SRAM，自然分成一組。如果

是一顆16 為的DDR2，數(shù)據(jù)組可以分成高低各8 為的兩組。小組成員自然是數(shù)據(jù)信號(hào)線，

可能會(huì)有其他信號(hào)線，如DDR2 的一組信號(hào)線中，要包含相應(yīng)的數(shù)據(jù)掩碼信號(hào)和數(shù)據(jù)鎖存

信號(hào)。

地址組：包含地址信號(hào)線和控制信號(hào)線，時(shí)鐘信號(hào)也屬于地址組。

上面說(shuō)過(guò)同一組的按統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)處理，主要指以下兩點(diǎn)：

a. 同一組盡量走在同一層；

b. 同一組在控制等長(zhǎng)時(shí)標(biāo)準(zhǔn)一樣，可以和其他組不一樣，這算是自治；當(dāng)然也不能太離譜，

不能出現(xiàn)一個(gè)地球標(biāo)準(zhǔn)、一個(gè)火星標(biāo)準(zhǔn)；

接下來(lái)結(jié)合具體設(shè)計(jì)來(lái)講解。

FLASH 設(shè)計(jì)

Flash 的速率一般比較低，因此在布局和布線方面放的比較寬松。首先分析原理圖，如

下圖，分清數(shù)據(jù)類型：

從圖中示例，F(xiàn)lash 的電源和地管腳很好識(shí)別；經(jīng)判斷DQxx 為數(shù)據(jù)信號(hào)；Axx 為地址

信號(hào)；其他判定控制信號(hào)：這樣分析后，就可以在allegro 的規(guī)則管理器中對(duì)數(shù)據(jù)分組了。

如下圖：

這里沒(méi)有將數(shù)據(jù)再分成低8 位和高8 位，因?yàn)槲以u(píng)估過(guò)，分成一組，我這邊也有空間走

線和繞等長(zhǎng)。因此，在設(shè)置時(shí)要靈活把握。

Flash 布局：不再詳述，看完后文，應(yīng)該會(huì)找到門路。在此強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)：擺放時(shí)，盡量留

足空間扇孔、扇線和繞等長(zhǎng)；

Flash 布線：注意一下三點(diǎn)：

a. Flash 信號(hào)線需要控制阻抗，阻抗為50Ω；

b. 如果空間允許，信號(hào)線間距為3W；

c. 等長(zhǎng)控制范圍：±200mil；

設(shè)計(jì)實(shí)例如下圖：

SDRAM 設(shè)計(jì)

前期思路和Flash 設(shè)計(jì)的思路一致，例如下圖所示原理圖：

從上圖中，信號(hào)的定義很清楚，F(xiàn)lash 設(shè)計(jì)中也講過(guò)，不再贅述。需要注意的是兩個(gè)信

號(hào)：DQML 和DQMH，這兩個(gè)信號(hào)是數(shù)據(jù)信號(hào)的掩碼信號(hào)，分別屬于低8 位和高8 位。因

此在分組時(shí)，分別把它們添加到低8 位組和高8 位組。這樣每個(gè)數(shù)據(jù)小組將有9 根信號(hào)線。

就這么升級(jí)下去，到DDR 還會(huì)加信號(hào)，每小組有10 位了；再升級(jí)到DDR2，甚至有一

對(duì)差分要加入數(shù)據(jù)小組。因此，在設(shè)計(jì)時(shí)，從原理圖中預(yù)演分類和分組時(shí)很必要，這個(gè)能力

一定要習(xí)得。

SDRAM 布局：盡量使信號(hào)線不要太長(zhǎng)，潛臺(tái)詞---靠近控制器（xxx）放置；

對(duì)于1 片SDRAM，采用“點(diǎn)對(duì)點(diǎn)”拓?fù)洌缦聢D：

至于兩片的拓?fù)洌梢钥聪挛腄DR2 設(shè)計(jì)的布局，布局要靈活，最好能舉一反三。

SDRAM 布線：

a. 分組：根據(jù)前面介紹的數(shù)據(jù)分類，數(shù)據(jù)組可分為低8 位和高8 位兩組：

低8 位：（BUS 名稱可自定義一個(gè)有意義的名稱）：D0~D7、DQML，共9 根信號(hào)線;

高8 位：D8~D15、DQMH，共9 根信號(hào)線;

注：有時(shí)候網(wǎng)絡(luò)名稱可能不這么命名，也要能夠識(shí)別出來(lái)；

地址和控制信號(hào)分成一組；

b. 信號(hào)線控制阻抗為50Ω，保持有完整的參考平面；

c. 拉大信號(hào)線間距，保持3W 間距；

d. 等長(zhǎng)控制：參照時(shí)鐘等長(zhǎng)；

e. 等長(zhǎng)誤差控制范圍：數(shù)據(jù)組：±50mil；地址組：±100mil；

f. 在信號(hào)層換層的附近添加一些回流地過(guò)孔；

DDR2 設(shè)計(jì)

這里跳過(guò)了DDR 而直接介紹DDR2，在正式開(kāi)始前，先大致說(shuō)明一下DDR。

DDR 可以看作是SDRAM 的升級(jí)，相比較下，數(shù)據(jù)線分組分別出現(xiàn)了低8 位鎖存信號(hào)

（LDQS）和高8 位鎖存信號(hào)( UDQS)，此時(shí)每個(gè)小組有10 根信號(hào)線了；而地址、控制、

時(shí)鐘仍為一組，DDR 管腳如下示例：

而DDR2 是DDR 的升級(jí)，數(shù)據(jù)交換速率升高了；同時(shí)在管腳方面也有一些變化：DDR

的單端信號(hào)鎖存信號(hào)變成了一對(duì)差分信號(hào)，這樣一來(lái)，數(shù)據(jù)小組每組有11 根信號(hào)線。

另外一個(gè)變化就是工作電壓的變化，通常FLASH 為3.3V、SDRAM/DDR 為2.5V， DDR2

為1.8V，到后面的DDR3 變?yōu)?.5V，因?yàn)檩^低的電壓可以帶來(lái)電平更快的翻轉(zhuǎn)。

DDR2 的布線

和SDRAM 的要求類似；也有一些變化：

a. 由于有了差分信號(hào)線，差分信號(hào)阻抗控制為100Ω；

b. 差分需要做對(duì)內(nèi)等長(zhǎng)，誤差控制在5mil；

c. 等長(zhǎng)誤差控制范圍要求更高：數(shù)據(jù)線：±20mil；地址±50mil；

d. 請(qǐng)注意VREF 電源，這個(gè)走線要求加粗15~30mil;濾波電容靠近DDR 管腳放置；

DDR2 的布局

前面分別介紹了FLASH 和SDRAM 的布局，僅為1 顆的情況下采用點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的布局。在

存在多顆時(shí)，布局也比較固定。（布局時(shí)，器件間距控制，布局者自己把握）

2 顆內(nèi)存顆粒，有兩種方式：關(guān)于控制器對(duì)稱放置和頂?shù)讓?duì)貼放置：如下圖實(shí)例：

這種布局，地址信號(hào)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，我們通常稱為遠(yuǎn)端分支，也叫做”T” 型拓?fù)?地址信

號(hào)先接到正中間，然后分到兩邊的DDR，正中間的VIA 稱之為T 點(diǎn);

當(dāng)空間比較有限時(shí)候，采用頂?shù)讓?duì)貼的布局方式，地址部分依然可以采用上圖中的扇孔

方式，而數(shù)據(jù)部分的扇孔就比較麻煩了，需要手動(dòng)調(diào)整。如下圖示例：

從上圖示例中可以看出：地址仍采用中間扇孔、數(shù)據(jù)需要手動(dòng)扇孔，由于頂?shù)讓?duì)貼了

DDR,去耦電容只能擺放在四周了。

當(dāng)有4 顆DDR 時(shí)，布局思路同兩顆類似：空間足夠，放在同一面，此時(shí)注意T 點(diǎn)的位置；空間比較有限時(shí)，先兩兩對(duì)貼，然后再采用T 型拓?fù)?；其拓?fù)浞謩e如下圖：

還有一種拓?fù)湫问剑壕栈ㄦ?，通常在DDR3 的布局中比較多的采用；還有一種菊花鏈

的形式：控制器驅(qū)動(dòng)多路負(fù)載，如CPU 后掛的有SDRAM，同時(shí)夜游FLASH，這時(shí)候采用

菊花鏈拓?fù)洌篊PU---SDRAM---FLASH,優(yōu)先保證速率高的信號(hào)拓?fù)洹?/p>

關(guān)于DDR 布局，還有很多衍生的布局，如5 顆DDR2，其中有一顆是糾錯(cuò)用的，通常

放在中間，它的地址線在做等長(zhǎng)時(shí)，不再和其他4 顆放在一起了，其他4 顆內(nèi)存也能形成比

較完美的T 型拓?fù)洹?/p>

總而言之，基礎(chǔ)就是這些東西，關(guān)鍵是能夠理解它，這樣就可以靈活發(fā)揮了。