三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久，因?yàn)槿荖AND Flash最大競爭對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌!

　　日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計(jì)劃于今年下半年透過旗下四日市工廠開始量產(chǎn)上述48層架構(gòu)的3D NAND Flash產(chǎn)品。NAND flash多用于智能機(jī)、平板等行動(dòng)裝置，電源關(guān)閉后，儲(chǔ)存內(nèi)容也不會(huì)消失。

　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝所將量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品存儲(chǔ)容量較現(xiàn)行產(chǎn)品呈現(xiàn)大幅度提高、且也將超越三星的產(chǎn)品。據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品傳出不良率偏高、且獲利不佳，而東芝雖面臨同樣的問題，但因已確立了生產(chǎn)技術(shù)、故已決定進(jìn)行樣品出貨。

　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，東芝和三星皆計(jì)劃于數(shù)年內(nèi)研發(fā)出容量達(dá)1Tb(Tera bit;1Tb=1，000Gb)的3D NAND Flash產(chǎn)品，而一旦實(shí)現(xiàn)，就可在智能手機(jī)儲(chǔ)存高達(dá)數(shù)十小時(shí)的4K影片。

　　根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce公布的資料顯示，2014年第四季三星NAND Flash全球市占率為27.9%、穩(wěn)居首位，其次分別為東芝的21.9%、SanDisk的18.2%、美光的13.7%以及SK Hynix的11.4%。