SK 海力士 20日舉行股東會(huì)，社長(zhǎng)樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級(jí)DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競(jìng)爭(zhēng)者。

　　海力士目前最先進(jìn)的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領(lǐng)域，且預(yù)估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會(huì)以20奈米制程打造。

　　據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報(bào)導(dǎo)，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進(jìn)的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤(rùn)空間。隨著8GB DDR4記憶體時(shí)代來(lái)臨，20奈米制程被認(rèn)為是記憶體廠決勝的關(guān)鍵。

　　除了 三星之外，美光去年第四季也已開(kāi)始試生產(chǎn) 20奈米記憶體，預(yù)計(jì)今年進(jìn)入量產(chǎn)，但初期產(chǎn)量將相當(dāng)有限，預(yù)估2015年底，每月會(huì)有8萬(wàn)片晶圓轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米制程。