SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產(chǎn)，將可在高階產(chǎn)品趕上三星與美光等競爭者。
海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數(shù)PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據(jù)科技網(wǎng)站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數(shù)量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產(chǎn)成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，20奈米制程被認為是記憶體廠決勝的關鍵。
除了 三星之外，美光去年第四季也已開始試生產(chǎn) 20奈米記憶體，預計今年進入量產(chǎn)，但初期產(chǎn)量將相當有限，預估2015年底，每月會有8萬片晶圓轉(zhuǎn)進20奈米制程。
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