英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合，雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。

    作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板GaN技術(shù) 備受關(guān)注。一方面，它可以實(shí)現(xiàn)很高的功率密度，從而縮小設(shè)備的外形尺寸(如電源和適配器);另一方面，它是提高能效的關(guān)鍵。一般而言，基于硅基板GaN技 術(shù)的功率器件適用于各種領(lǐng)域，從高壓工業(yè)設(shè)備，如服務(wù)器電源(這也是600V GaN器件的潛在應(yīng)用領(lǐng)域之一)，到低壓設(shè)備，如直流-直流轉(zhuǎn)換器(如在高端消費(fèi)電子產(chǎn)品中)。IHS發(fā)布的市場研究報(bào)告顯示，與硅基板GaN技術(shù)相關(guān)的 功率半導(dǎo)體市場，將以高達(dá)50%以上的復(fù)合年增長率(CAGR)增長，也就是說，到2023年，其市場容量將從2014年的1500萬美元，增至8億美 元。