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解讀UltraScale+ Xilinx在16nm繼續(xù)領(lǐng)先一代的奧義所在

2015-02-27
作者:王偉
關(guān)鍵詞: FPGA 16nm 3D IC

   時(shí)至今日,相信已經(jīng)沒(méi)有任何人能否認(rèn)XilinxFPGA領(lǐng)域的霸主地位。尤其是近年來(lái),Xilinx通過(guò)不斷創(chuàng)新,大幅提高系統(tǒng)級(jí)性能,降低功耗,節(jié)約物料成本,在28nm 20nm 持續(xù)領(lǐng)先,為客戶提供領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一代的價(jià)值。

2015223日,Xilinx宣布推出全新的16nm UltraScale+系列FPGA、3D ICMPSoC系列,包括Kintex UltraScale+ FPGA、Virtex UltraScale+ FPGA3D IC系列,以及包含了業(yè)界首款全可編程MPSoCZynq UltraScale+系列。這些新的器件進(jìn)一步擴(kuò)展了XilinxUltraScale產(chǎn)品系列。

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Xilinx全球高級(jí)副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人先生表示:“包處理與傳輸、無(wú)線、視頻與音頻、云和數(shù)據(jù)中心、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)是我們關(guān)注的應(yīng)用市場(chǎng)。這些應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)期間提出了三點(diǎn)嚴(yán)苛的要求。即性能與功耗的可擴(kuò)展性、系統(tǒng)集成與智能化,以及保密性和安全性。在我們的16nm器件研發(fā)過(guò)程中,這三點(diǎn)是必須要考慮的。

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Xilinx全球高級(jí)副總裁、亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人

 

憑借新型存儲(chǔ)器、3D-on-3D和多處理SoCMPSoC)技術(shù),16nm UltraScale+系列再次實(shí)現(xiàn)了領(lǐng)先一代的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。

UltraRAM:最新的存儲(chǔ)技術(shù)

以往,如果某個(gè)應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)器的容量要求較高,設(shè)計(jì)中往往會(huì)加入外部存儲(chǔ)器。但同時(shí)不可避免的會(huì)出現(xiàn)性能降低、功耗提高的情況。UltraRAM的出現(xiàn)填補(bǔ)可這片空白。在器件內(nèi)部,存儲(chǔ)器最高容量可達(dá)432Mb,滿足深度數(shù)據(jù)包緩沖、視頻緩沖的要求,可以應(yīng)用在4K/8K數(shù)字電視等視頻應(yīng)用場(chǎng)合。

SmartConnect:智能互聯(lián)

16nm UltraScale+系列采用了一項(xiàng)全新的基于工具的互聯(lián)優(yōu)化技術(shù)——SmartConnect。這項(xiàng)技術(shù)能夠根據(jù)特定設(shè)計(jì)的吞吐量、時(shí)延和面積要求自動(dòng)優(yōu)化互聯(lián),可將系統(tǒng)性能功耗比提升20%,從而解決系統(tǒng)級(jí)IP互聯(lián)瓶頸。

3D-on-3D:行業(yè)首創(chuàng)

Xilinx首次在第三代3D IC上集成了3D晶體管,相比于平面晶體管,3D晶體管的性能功耗比呈非線性提升。湯立人表示:“3D-on-3D帶來(lái)的不僅僅是性能功耗比的提升,它同時(shí)實(shí)現(xiàn)了集成度和成本的突破。單芯片的集成度是非常有限的,采用3D封裝,集成度會(huì)提高很高。就成本來(lái)說(shuō),做一個(gè)完整的芯片和分成三個(gè)芯片做,其成本相差非常大。

MPSoC:異構(gòu)多處理技術(shù)

“前一代Zynq期間集成了兩個(gè)ARM核,不能完全滿足客戶需求。全新的Zynq UltraScale MPSoC實(shí)現(xiàn)了前所未有的異構(gòu)多處理能力,我們?yōu)楹线m的任務(wù)提供合適的引擎。例如針對(duì)視頻編解碼,提供了ARM Mail-400MP專(zhuān)用圖形處理器;針對(duì)4K/8K應(yīng)用,提供了H.265視頻編解碼器單元等。湯立人分析到:這些新期間相比此前解決方案可將系統(tǒng)級(jí)性能功耗比提升約5倍。

TMSC:領(lǐng)先的工藝

Xilinx和全球首屈一指的服務(wù)代工廠臺(tái)積公司保持緊密合作,新一代的UltraScale+系列采用了臺(tái)積公司的16FF+ FinFET 3D晶體管技術(shù),大幅提升了器件的性能功耗比。通過(guò)系統(tǒng)級(jí)的優(yōu)化,UltraScale+提供的價(jià)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)移植所帶來(lái)的價(jià)值。

 

通過(guò)部署上述所有領(lǐng)先技術(shù),Xilinx16nm FinFET FPGAMPSoC可以提供領(lǐng)先一代的價(jià)值優(yōu)勢(shì)。其性能功耗比提高了2~5倍,同時(shí)實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)集成和智能化的巨大飛躍,以及客戶所需要的最高級(jí)別的保密性和安全性。憑借這些產(chǎn)品組合,Xilinx將在LTE-Advanced、早期5G無(wú)線、Tb級(jí)有線通信、ADAS系統(tǒng)以及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用市場(chǎng)進(jìn)一步鞏固其市場(chǎng)領(lǐng)先地位。

 


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