中國，上海 — 2010 年 5 月 27 日 — 全球射頻產品的領導廠商和晶圓代工服務的重要供應商TriQuint半導體公司（納斯達克：TQNT），日前宣布推出首款新型高效率、綠色環(huán)保的3G/4G無線基站TriPower™射頻集成電路系列。TriPower器件解決網絡運營商對消費者智能手機及類似產品迅速增長的高帶寬要求的兩大挑戰(zhàn)。TriPower降低啟動網絡基站放大器的所需的電力，同時運營商能更容易地提高網絡容量和速度。
　
　　更有效的放大器意味著節(jié)省更多的費用。以一個覆蓋中型城市和周邊地區(qū)含有2,000個此類放大器的通信網絡為例，基于TriPower的通信網絡每年可比目前部署的典型系統(tǒng)少排放340噸的二氧化碳。如按照美國林業(yè)局每畝森林年吸收2.6噸二氧化碳的標準進行換算，使用TriPower這樣的系統(tǒng)相當于在生態(tài)系統(tǒng)增加130多畝的樹木。
　
　　TriQuint半導體的中國區(qū)總經理熊挺指出：“TriPower對基站放大器具有革命性的意義。傳統(tǒng)半導體技術無法有效滿足3G和4G網絡復雜的調制要求。作為GaAs（砷化鎵）和 GaN（氮化鎵）工藝技術的領導者，TriQuint檢驗兩種不同工藝的器件在大功率基站應用的潛力。我們認為，從可靠性、成本和效率角度看，TriPower的砷化鎵 HV-HBT技術是最佳選擇。我們最新推出的 TriPower器件提供目前市場上最低的功耗，并支持新型、高效、塔頂遠端射頻頭設計。TriPower技術改變了游戲規(guī)則。”
　
　　熊挺補充說TriQuint公司采用專利工藝、設計和制造技術實現(xiàn)TriPower出色的效能表現(xiàn)。TriPower射頻集成電路可以很容易地使用傳統(tǒng)的數(shù)字預失真（DPD）技術來線性化。
　
　　市場研究機構EJL Wireless Research LLC.總裁Earl J. Lum指出：“我們認為像 TriPower這樣可提高整體射頻放大器功率的任何技術，未來將使業(yè)界能滿足高PAR（峰均比）放大器更嚴格的能源需求。我們預測到2013年，在出貨量方面，較高的峰均比多模的3G WCDMA / HSPA和4G LTE基站，將迅速取代傳統(tǒng)的2G GSM移動通信基站（基站收發(fā)信機），并且其市場份額將從25％提高到超過50％。按單位出貨量計算，從2008 年到2013年，高峰均比基站放大器將以每年85%的速度急劇增長。”
　
詳細技術說明
　　TriPower系列是高功率晶體管產品，重要組成部分影響放大器的設計和整體基站電力消耗。“TriPower” 的名稱是來自技術的三個主要效益： 高功率、高效率、高線性度。不使用TriPower技術的系統(tǒng)，平均效率接近42％；而采用TriPower技術的系統(tǒng)能夠減少電力需求和較小規(guī)模的碳足跡，其效率達到創(chuàng)紀錄的55％。
　
　　TriPower產品在設計上采用高壓異質結雙極型晶體管(HV-HBT)和砷化鎵工藝 (GaAs)，有助于無線基站制造商和網絡運營商提高效率，同時滿足3G/4G蜂窩通信系統(tǒng)線性要求。當用在提高對稱Doherty放大器的最大效率，兩個TriQuint TG2H214120 120 W 器件效率可以提供大于60 W WCDMA平均功率時的55%效率。由于TriPower具有極高效率，因此，運營商可將大型放大器安裝在現(xiàn)有基站塔頂上，毋需相應增加尺寸和重量，相對地大功率放大器可以提高基站范圍內所有用戶的數(shù)據(jù)傳輸速率。
　
　　TriQuint公司的兩個高效TriPower新產品 --- TG2H214120 (120W) 和TG2H214220 (220W)，是本系列首度推出的兩款產品，自2010年起將陸續(xù)發(fā)布包括更多頻段和功率級別產品。這些新器件將擴大TriPower技術對全球不同蜂窩通信系統(tǒng)的綠色環(huán)保影響。關于TriPower的更多信息，請訪問：http://cn.triquint.com/tripower。
　
　　1“高效率的WCDMA基站放大器包絡線跟蹤與砷化鎵 HVHBTs執(zhí)行”， © IEEE, 2008年11月; Donald Kimball 等教授。
　　
TriQuint --- 不斷前行的25年
　　TriQuint公司成立于1985年，25年來，通過向全球主要通信公司提供高性能的射頻模塊、元件和晶圓代工服務，達到“連接數(shù)碼世界，貫通全球網絡”的理念。TriQuint公司不僅為全球五大移動手機設備制造商中提供產品，同時也是全球主要國防、航天設備承包商的砷化鎵(GaAs)器件領先供應商。TriQuint公司利用先進的工藝，采用砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、聲表面波（SAW）、聲體波（BAW）技術等，制造標準和定制產品，為包括無線電話、筆記本電腦、GPS/PND、基站、寬頻通信和國防等應用領域提供解決方案。TriQuint還是一家在多年DARPA方案中開發(fā)先進GaN放大器的領先的研究公司。根據(jù) Strategy Analytics公司報告2，TriQuint公司是全球第三大砷化鎵設備供應商和全球最大的商用砷化鎵晶圓代工供應商。TriQuint在俄勒岡、得克薩斯和佛羅里達州均設有經ISO9001認證的工廠，并在哥斯達黎加設有工廠。設計中心則設于北美和德國。請瀏覽TriQuint 的網站 http://cn.triquint.com/rf 注冊并訂閱我們的電子期刊。
　
前瞻性聲明
　　根據(jù)《1995年美國私人證券訴訟改革法案》（Private Securities Litigation Reform Act of 1995）的“安全港”聲明，TriQuint Semiconductor, Inc. (Nasdaq: TQNT)的這份新聞稿中包括前瞻性陳述。請讀者注意前瞻性陳述中蘊含的風險與不確定性。讀者應認真閱讀本新聞稿中的警示性陳述，這些陳述適用于所有相關內容。凡是帶有“領先的”、“卓越的”、“高效率”、“關鍵作用”、“領先供應商”或類似術語的陳述均被視為包含不確定性的前瞻性陳述。許多因素都會對TriQuint的經營績效產生影響，導致公司的未來實際經營結果與本新聞稿或者TriQuint直接做出的、或第三方代替TriQuint做出的任何其他前瞻性陳述中闡述的結果存在較大出入，包括但不限于：客戶對我們的產品和技術的接納程度以及需求的不可預測性和多變性；我們生產廠的能力；供應商滿足我們需求的能力；我們的生產廠和供應商生產足夠的產品來維護可盈利性的能力；以及TriQuint在最新提交給“美國證券交易委員會”的10-Q報告中所提出的其他“風險因素”。這和其他報告，可在美國證券交易委員會的網站，www.sec.gov獲得。本新聞稿的讀者應該明白，這些和其他風險可能導致實際結果與預期大不相同表示/在前瞻性陳述中所暗示。
　
　　2分別于2009年2月和5月宣布