全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布,為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步,已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約,雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù),目標(biāo)為在2017年實用化。
東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解,海力士(Hynix)除同意支付東芝2.78億美元(約330億日圓)和解金外,雙方當(dāng)時也宣布將攜手研發(fā)被稱為「納米壓印(Nanoimprint)」的次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)。
據(jù)日經(jīng)新聞指出,東芝已于2014年開始量產(chǎn)全球最先端的15nm NAND Flash產(chǎn)品,而就現(xiàn)行技術(shù)來看,15nm被視為是存儲器電路線幅細(xì)微化的極限,而東芝期望借由研發(fā)NIL技術(shù)、突破細(xì)微化極限,讓已逼近極限的電路線幅能進(jìn)一步細(xì)微化,以借此提高產(chǎn)品性能及成本競爭力。
日經(jīng)指出,東芝目前已和Canon攜手研發(fā)NIL制造設(shè)備,而東芝和SK 海力士(SK Hynix)于NIL制程技術(shù)的研發(fā)成果也將回饋至制造設(shè)備的研發(fā)上。
另據(jù)日刊工業(yè)新聞指出,東芝期望藉由NIF技術(shù)的實用化來降低3D NAND Flash的成本。