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聯(lián)電攻穿戴 28納米流程出爐

2015-01-27

晶圓代工廠聯(lián)電與電子設計自動化工具(EDA)廠益華電腦(Cadence)共同合作,推出28奈米設計參考流程,適用于以ARM Cortex-A7 MPCore為基礎的系統(tǒng)單晶片。

聯(lián)電今年加快28奈米擴產速度,不僅第1季晶 圓出貨量可望與上季持平,營運淡季不淡,今年中月產能將達2萬片,成為營收成長主要動能。聯(lián)電與Cadence擴大合作,采用Cadence的EDA工具 提供28奈米設計參考流程,流程包括Cadence Encounter數(shù)位設計實現(xiàn)系統(tǒng)、Tempus時序Signoff解決方案、Voltus IC電源完整性解決方案、Quantus QRC萃取解決方案、實體驗證系統(tǒng)、Litho Physical Analyzer與CMP Predictor等,并用來量產28奈米ARM Cortex-A7為基礎的系統(tǒng)晶片,瞄準入門級智慧型手機、平板、高階穿戴裝置和其他先進行動裝置等目標。

聯(lián)電因此將試產前置時間縮短了33%,更達成了1.7GHz的核心運算時脈效能。此外,聯(lián)電也達成了低于200mW的動態(tài)功耗,這代表比前一代流程降低了20%。

聯(lián)電矽智財開發(fā)與設計支援資深處長林世欽表 示,運用Cadence提供的大量平行運算架構,聯(lián)電得以大幅節(jié)省在signoff分析、設計實現(xiàn)與收斂所花費的時間,能夠迅速地為市場提供高品質參考設 計,超越聯(lián)電28奈米的功耗、效能與面積的預期目標。聯(lián)電行動客戶的裝置需求非常特殊,而且全新晶片通過測試,確保穩(wěn)定的28奈米晶片使用參考設計。

聯(lián)電28奈米良率穩(wěn)定提升,多晶矽氮氧化矽 (Poly SiON)制程良率已超過90%,高介電金屬閘極(HKMG)良率也由去年第4季的80%,至本季開始朝向90%提升,客戶對聯(lián)電28奈米需求暢旺,包括 聯(lián)發(fā)科(2454)、高通、邁威爾、瑞昱(2379)等客戶均開始采用聯(lián)電28奈米投片。

為了因應客戶需求,聯(lián)電去年第4季28奈米月產能約達1.2萬片,今年中月產能可達2萬,今年底希望可以拉高月產能至2.5萬片規(guī)模。而28奈米今年接單滿載,也成為聯(lián)電晶圓代工營收成長的最大動能。

聯(lián)電去年第4季營收372.35億元,去年全年營收1,400.12億元,均創(chuàng)下歷史新高,第1季以來8寸廠產能利用率仍維持滿載,12寸廠產能利用率也跨過9成水準,法人樂觀看待聯(lián)電第1季晶圓代工營收有機會與較上季持平或下滑5%以內。

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