《電子技術(shù)應(yīng)用》
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中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

2014-09-11

 中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際,紐約證交所股票代碼:SMI,香港聯(lián)交所股票代碼:981)今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒,中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā),可滿(mǎn)足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求,使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域??蛻?hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接口SPINAND 市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(zhǎng)的 IoT 相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用。此次中芯國(guó)際成功推出38納米 NAND 閃存技術(shù),能夠幫助客戶(hù)滿(mǎn)足中國(guó)及全球市場(chǎng)對(duì)此技術(shù)的需求。

中芯國(guó)際技術(shù)研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示,此前中芯國(guó)際已開(kāi)發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺(tái)。經(jīng)過(guò)研發(fā)團(tuán)隊(duì)專(zhuān)注及系統(tǒng)的努力,我們成功推出了38納米 NAND 閃存,在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展,也為后續(xù)開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩(wěn)固的基礎(chǔ)。我們將繼續(xù)努力推進(jìn) NAND 閃存技術(shù)的開(kāi)發(fā),以滿(mǎn)足無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對(duì)高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求。

中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示,這一重要里程碑對(duì)中芯國(guó)際以及特殊存儲(chǔ)器客戶(hù)及合作伙伴,都具有重大的戰(zhàn)略性意義。對(duì)客戶(hù)來(lái)說(shuō),中芯國(guó)際顯示了其在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的決心和能力。此外,還證明中芯國(guó)際有足夠的實(shí)力在精心選擇的細(xì)分市場(chǎng)確立領(lǐng)導(dǎo)地位。

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