文獻(xiàn)標(biāo)碼: A
文章編號(hào): 0258-7998(2014)01-0034-04
TDC(時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器)可應(yīng)用在很多領(lǐng)域,如DPLL/APLL的相位、頻率檢測(cè)[1]以及雷達(dá)和相控陣系統(tǒng)[2]。TDC與VTC(電壓時(shí)間轉(zhuǎn)換器)結(jié)合被廣泛應(yīng)用在時(shí)域ADC的設(shè)計(jì)中[3-5]。千兆采樣率的TDC通過復(fù)用串/并行的延時(shí)線實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換功能[3],但是需要片上DAC來校準(zhǔn)較低的分辨率。大延時(shí)線TDC[4]的主要問題是折疊延時(shí)線會(huì)帶來器件的匹配誤差。循環(huán)脈寬縮減TDC[5]由于包括大量不均勻的門單元,將消耗大量芯片面積而且會(huì)限制轉(zhuǎn)換速率。相比于傳統(tǒng)的延時(shí)線TDC,本文提出的循環(huán)TDC通過重復(fù)使用單增益級(jí)來克服器件變化帶來的時(shí)間不確定性,且循環(huán)結(jié)構(gòu)可獲得小尺寸和低功耗,更適用于片上系統(tǒng)。
循環(huán)TDC的重要組成部分是TDA(時(shí)間差量放大器)。TDA可增強(qiáng)TDC分辨率并且擴(kuò)寬時(shí)間測(cè)量電路的輸入范圍,增加轉(zhuǎn)換增益[6]。S-R鎖存型TDA[7]和交叉雙列延遲鏈TDA[8]限制了輸入范圍和轉(zhuǎn)換的線性度。本文的電容-比較器充放電TDA在不使用校準(zhǔn)電路時(shí)即可獲得需求的增益和較大的輸入范圍。
1 循環(huán)TDC
1.1 循環(huán)TDC的工作原理
圖1為循環(huán)TDC的結(jié)構(gòu)框圖,時(shí)域循環(huán)TDC的余量圖如圖2所示。
式中,±TR為TDC的轉(zhuǎn)換范圍。循環(huán)TDC電路原理圖如圖3所示。當(dāng)多路選擇器MUX被電路復(fù)位信號(hào)TDC_Rst復(fù)位之后,輸入時(shí)間信號(hào)Tin1和Tin2將分別初始化In1和In2。其中,Tref是延時(shí)單元,將決定循環(huán)TDC的量化范圍。由傳輸特性可知,Tref=0.25TR。整個(gè)循環(huán)TDC的轉(zhuǎn)換范圍為±TR,本文設(shè)定Tref=5 ns,則量化范圍即為±20 ns。相位檢測(cè)器PD將會(huì)檢測(cè)信號(hào)變化的差值。這種類型的PD具有消除建立/保持時(shí)間、進(jìn)行失調(diào)檢測(cè)和快速鎖存的操作特性[9]。PD檢測(cè)In1+Tref和In2(或者In2+Tref和In1)的上升沿并決定DTC的輸出。TDA對(duì)時(shí)間余量放大后將新的時(shí)間差返回多路選擇器MUX的輸入端,進(jìn)行新一輪的時(shí)間量化。轉(zhuǎn)換過程一直持續(xù)到Finish_Rst信號(hào)產(chǎn)生。所有的時(shí)序信號(hào)都是由初始時(shí)間量Tin1和Tin2產(chǎn)生。
DTC的電路結(jié)構(gòu)如圖4所示,對(duì)稱輸入結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)式(1)的輸入/輸出關(guān)系,這種設(shè)計(jì)適用于差分TDA,可消除匹配誤差。
表1為DTC的真值表。DTC在完成時(shí)間差量的輸出后產(chǎn)生復(fù)位信號(hào)Rst1和Rst2,CH和CL通過邏輯電路得到對(duì)應(yīng)的碼值C1和C0。
1.3 讀出電路
RSD_TOP讀出電路如圖7所示。每次轉(zhuǎn)換的C0和C1將被按錯(cuò)位相加進(jìn)行操作和存儲(chǔ)。Read信號(hào)由DTC產(chǎn)生,并作為讀出電路的時(shí)鐘信號(hào)。當(dāng)轉(zhuǎn)換達(dá)到所需要的精度時(shí),將產(chǎn)生rst復(fù)位信號(hào),并復(fù)位整個(gè)讀出電路。
2 仿真結(jié)果
通過0.18 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝完成了電路設(shè)計(jì)仿真。圖8顯示了TDA的輸入和輸出關(guān)系。TDA的電流為15 μA,電容值為500 fF,仿真時(shí)間輸入從0~20 ns變化,步進(jìn)為1 ns。傳輸曲線顯示在使用區(qū)域的結(jié)果是線性的。圖9為不同測(cè)試情況下的TDA增益變化。
在小于20 ns輸入時(shí)間時(shí),TDA的增益誤差小于2%,
圖11為TDC的INL和DNL仿真,其值分別為-1.671/+1.59 LSB和-0.5/+0.604 LSB。TDA的誤差累積是限制線性度的主要因素。如果TDA的增益可以很精準(zhǔn),那么TDC的線性度和精度可以得到進(jìn)一步的提高。
表2所示為本文與參考文獻(xiàn)[1]和[10]中提到的TDC的工作性能比較。本文提出的循環(huán)TDC在不進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí)可實(shí)現(xiàn)大輸入范圍和高精度。
本文設(shè)計(jì)并仿真了一種±20 ns輸入范圍的8 bit循環(huán)TDC。該TDC使用電容-比較器型TDA來擴(kuò)展輸入范圍,并重復(fù)使用單增益級(jí)來完成數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換。通過0.18 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝完成了電路設(shè)計(jì)和仿真,在1.3 MPS/s的采樣速率下,功耗為0.951 mW,仿真的INL和DNL分別是-1.671/+1.59 LSB和-0.5/+0.604 LSB,輸入范圍可以擴(kuò)展到±20 ns。本設(shè)計(jì)的基于電容-比較器型TDA的TDC適用于時(shí)域ADC。
參考文獻(xiàn)
[1] KRATYUK V,HANUMOLU P K,OK K,et al.A digital PLL with a stochastic time-to-digital converter[J].IEEE Transactions on Circuits and Systems I:Regular Papers,2009,56(8):1612-1621.
[2] 程翔.11位數(shù)控延遲線組件的設(shè)計(jì)[J].微型機(jī)與應(yīng)用,2013,32(6):27-29.
[3] MACPHERSON A R,TOWNSEND K A,HASLETT J W.A2.5 GS/s 3-bit time-based ADC in 90nm CMOS[C].2011 IEEE International Symposium on Circuits and Systems (ISCAS),Rio de Janeiro,2011:9-12.
[4] DUDEK P,SZCZEPANSKI S,HATFIELD J V.A high resolution CMOS time-to-digital converter utilizing a Vernierdelay line[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits Solid State Circuits,2000,35(2):240-247.
[5] CHEN C C,Lu Wenfu,TSAI C C,et al.A time-to-digital converter-based CMOS smart temperature sensor[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2005,40(8):1642-1648.
[6] ALAHMADI A N M,RUSSELL G,YAKOVLEV A.Time difference amplifier design with improved performance parameters[J].Electronics Letters,2012,48(10):562-563.
[7] MINJAE L,ABIDI A A.A 9b,1.25ps resolution coarse fine time-to-digital converter in 90 nm CMOS that amplifies a time residue[C].2007 IEEE Symposium on VLSI Circuits,Rio de Janeiro,2007:168-169.
[8] MANDAI S,CHARBON E.A 128-channel,8.9-ps LSB,column-parallel two-stage TDC based on time difference amplification for time-resolved imaging[J].IEEE Transactions on Nuclear Science,2012,59(5):2463-2470.
[9] LEE S K,PARK S J,PARK H J,et al.A 21 fJ/conversion-step 100 kS/s 10-bit ADC with a low-noise time domain comparator for low-power sensor interface[J].IEEE Journal of Solid-State Circuits,2011,46(3):651-659.
[10] LIN W F,CHOU H P.A fast single slope ADC with vernier delay line technique[C].2009 IEEE in Nuclear Science Symposium Conference Record:Orlando,F(xiàn)L,America,2009:313-317.