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低成本隔離式 3.3V 到 5V DC/DC 轉(zhuǎn)換器的分立設(shè)計(jì)

2013-06-27
作者:Thomas Kugelstadt

隔離式 3.3V 到 5V 轉(zhuǎn)換器通常用于遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸網(wǎng)絡(luò),這種網(wǎng)絡(luò)中總線節(jié)點(diǎn)控制器由一個(gè) 3.3V 電源工作以節(jié)省電量,而總線電壓為 5V,以保證在遠(yuǎn)距離傳輸過(guò)程中的信號(hào)完整性并提供高驅(qū)動(dòng)能力。盡管市場(chǎng)上已經(jīng)有了 3.3V 到 5V 轉(zhuǎn)換的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器組件,但集成的 3.3V 到 5V 轉(zhuǎn)換器仍然很難找到。即使找到,這些特定的轉(zhuǎn)換器(特別是那些具有穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器)通常都有較長(zhǎng)的產(chǎn)品交付時(shí)間、價(jià)格相對(duì)昂貴并且一般都有一定的隔離電壓限制。

如果應(yīng)用要求 2 kV 以上的隔離電壓、60% 以上的轉(zhuǎn)換器效率或者標(biāo)準(zhǔn)組件可靠的有效性,那么分立設(shè)計(jì)就是一種能夠替代集成組件的低成本方案。分立 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)是需要做大量的工作——選擇穩(wěn)定的振蕩器結(jié)構(gòu)和先斷后通電路,選擇可以通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)邏輯門(mén)有效驅(qū)動(dòng)的MOSFET,適宜實(shí)施溫度和長(zhǎng)期可靠性測(cè)試。所有這些努力都要花費(fèi)時(shí)間和資金。因此,在倉(cāng)促進(jìn)行這樣一個(gè)計(jì)劃以前,設(shè)計(jì)人員應(yīng)該考慮到下列事項(xiàng):集成組件通常已通過(guò)溫度測(cè)試,并且擁有其他工業(yè)資質(zhì)。這些組件不僅僅是最可靠的解決方案,而且還擁有較快的上市時(shí)間。

不穩(wěn)定輸出轉(zhuǎn)換器每 1000 片的起售定價(jià)一般為 4.50 到 5.00 美元,而穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器通常為此價(jià)格的兩倍,大約為 10.00 美元或更高。因此,合理的做法是購(gòu)買(mǎi)具有不穩(wěn)定輸出的轉(zhuǎn)換器,或者利用降壓電容對(duì)輸出進(jìn)行緩沖,或者將其送入低成本、低壓降穩(wěn)壓器 (LDO),例如:TI 的 TPS76650。

圖 1 所示的分立 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)僅使用了一些現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)組件(例如:邏輯 IC 和 MOSFET 等),服務(wù)于變壓器驅(qū)動(dòng)器,以及一個(gè)用于穩(wěn)定輸出電壓的LDO。該電路使用許多通孔組件制成樣機(jī),從而使其比集成組件的體積要大,但是由于使用TI的Little Logic™器件,板空間得到了極大縮減。

這種設(shè)計(jì)的主要好處是較少的材料清單 (BOM),以及為 1 到 6kV 范圍隔離電壓選擇隔離變壓器的自由度。我們的目標(biāo)是:通過(guò)使變壓器驅(qū)動(dòng)器級(jí)為穩(wěn)定輸出全集成 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和獨(dú)立變壓器驅(qū)動(dòng)器提供一款低成本的替代方案。

圖 1 隔離式 3.3V 到5V 推拉式轉(zhuǎn)換器

工作原理

低成本、隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器一般為推挽式驅(qū)動(dòng)器類型。工作原理非常簡(jiǎn)單。帶推挽輸出級(jí)的方波振蕩器驅(qū)動(dòng)一個(gè)中心抽頭變壓器,其輸出經(jīng)過(guò)整流,可以穩(wěn)定或非穩(wěn)定 DC 形式使用。一個(gè)重要的功能性要求是方波必須具有 50% 占空比,以確保變壓器鐵心對(duì)稱磁化。另一個(gè)要求是磁化電壓 (E) 和磁化時(shí)間 (T) 的乘積(稱作 ET 乘積,單位為 Vμs),不得超出由其廠商規(guī)定的變壓器典型 ET乘積。我們還必須緊挨振蕩器安裝使用先斷后通電路,以防止推挽輸出級(jí)的兩個(gè)變壓器鐵芯柱同時(shí)導(dǎo)電從而引起電路故障。

分立設(shè)計(jì)

著名的三反相門(mén)振蕩器由 U1a、U2a 和 U2b 組成,選擇它是因?yàn)樗诠╇姴▌?dòng)方面較為穩(wěn)定。通過(guò)一個(gè) 100-pF 陶瓷電容器(COSC)和兩個(gè) 10-kΩ 電阻器(ROSC1 和 ROSC2),它的正常頻率被設(shè)定為 330kHz。在 3.0-V 到 3.6-V 電源電壓波動(dòng)范圍內(nèi),振蕩器擁有接近 50% 的占空比,以及低于 ±1.5% 的最大頻率波動(dòng)。圖 2 顯示了 ROSC1 和 ROSC2 (TP1) 相加點(diǎn)和振蕩器輸出 (TP2) 處的波形。所有電壓均為參考電路基準(zhǔn)電壓測(cè)得。

圖 2 TP1 和 TP2 的振蕩器波形

施密特觸發(fā)電路 NAND 柵極(U1c、U1d)實(shí)現(xiàn)先斷后通功能,以避免 MOSFET 導(dǎo)通階段交疊。其他兩個(gè)NAND門(mén)(U2c,U2d)配置為反相緩沖器,從而產(chǎn)生驅(qū)動(dòng) N 通道 MOSFET(Q1、Q2)必需的正確信號(hào)極性。圖 3 顯示了完整的先斷后通動(dòng)作。為了適應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)邏輯門(mén)的有限驅(qū)動(dòng)能力,我們選擇了 MOSFET,因?yàn)槠漭^低的總電荷和較短的響應(yīng)時(shí)間。

圖 3 先斷后通波形

隔離變壓器 (T1) 擁有 2:1 的次級(jí)對(duì)初級(jí)匝數(shù)比、0.9 mH 的初級(jí)線圈電感,以及 3kV 的保證隔離電壓。圖 4 顯示了變壓器的輸入和輸出波形。

圖 4 變壓器波形

兩個(gè)二極管(D1、D2)均為快速肖特基整流器,在滿負(fù)載電流條件下(200 mA 時(shí) VFW < 0.4 V)提供低正向電壓的同時(shí)進(jìn)行全波整流。從這些二極管后面的降壓電容器 (Cb3) 直接獲得輸出電壓是可能的。這種情況下,輸出不穩(wěn)定,但具有 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的最大效率。然而,設(shè)計(jì)人員必須保證不超出受影響電路的最大電源電壓,其在低負(fù)載或開(kāi)路狀態(tài)下時(shí)較容易發(fā)生。如果最小負(fù)載條件下的非穩(wěn)定輸出電壓過(guò)高,則必需在全波整流器之后使用一個(gè)線性穩(wěn)壓器,以提供穩(wěn)定的輸出電源電壓。

線性穩(wěn)壓器的主要好處是低紋波輸出。其他好處還包括短路保護(hù)和超溫關(guān)閉。但是,主要缺點(diǎn)是效率非常低。

圖 5 顯示了 4.93 V 輸出電壓條件下圖 1 所示電路的紋波,而圖 6 將該電路的效率同具有穩(wěn)定輸出的集成 DC/DC 組件進(jìn)行了對(duì)比。

圖 5 VOUT=4.93V 時(shí)的輸出紋波

圖 6 效率對(duì)比

下表提供了分立式DCDC轉(zhuǎn)換器的BOM。請(qǐng)注意,旁路電容器值大于常用于一些低速應(yīng)用的 10 nF。這是由于高速 CMOS 技術(shù)(例如:AHC、AC 和 LVC 等)具有高動(dòng)態(tài)負(fù)載,因此旁路電容器值必須為 0.1 μF 或者更高以保證正常運(yùn)行。這對(duì)驅(qū)動(dòng) MOSFET 的反相緩沖器特別重要,其旁路電容器值為 0.68 μF。

結(jié)論

不存在電路板空間限制的情況下,具有穩(wěn)定輸出的隔離式 3.3-V 到 5-V DC/DC 轉(zhuǎn)換器離散設(shè)計(jì)可以成為穩(wěn)定輸出集成 DC/DC 組件的一款現(xiàn)實(shí)低成本代替方案。離散設(shè)計(jì)的主要好處是可以自由選擇隔離變壓器,以滿足各種隔離電壓要求。

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