恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達(dá)克代碼：NXPI）近日推出業(yè)內(nèi)首款雙晶體管產(chǎn)品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無(wú)引腳）封裝。15種采用無(wú)引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產(chǎn)品即將上市，它們的集電極電壓(V_CEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。

    這些超小型雙晶體管的集電極電流(I_C)最大值可達(dá)2 A，能夠處理高達(dá)3 A的峰值電流。同時(shí)，它們的效率極高，具有低至60 mV的超低飽和電壓(PBSS4230PANP)，使其針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用具有更低的功耗和更長(zhǎng)的電池壽命。采用DFN2020-6封裝的全新雙晶體管非常適合用于負(fù)載和電源開(kāi)關(guān)、智能手機(jī)和平板電腦等便攜式應(yīng)用中的電源管理和充電電路、背光裝置以及其他空間受限型應(yīng)用。恩智浦采用DFN2020封裝的所有全新低V_CEsat雙晶體管產(chǎn)品均符合AEC-Q101汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)。

     DFN2020-6比標(biāo)準(zhǔn)SO8封裝小8倍，具有出色的熱功耗能力(P_tot = 1 W)。具有熱沉的DFN封裝僅0.6mm高，因此可替代SO8或SOT457等許多尺寸較大的晶體管封裝。

全新的DFN2020封裝類產(chǎn)品豐富了恩智浦的低V_CEsat晶體管產(chǎn)品組合，目前已包括36款采用無(wú)引腳和標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝的雙晶體管，以及250多種高達(dá)500 V和7 A的單晶體管。

鏈接

·         恩智浦采用DFN2020-6封裝的全新低V_CEsat雙晶體管：http://www.nxp.com/group/10921   

·         集電極電壓最高的全新產(chǎn)品（PBSS4112PAN，120 V，1 A NPN/NPN）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4112PAN      

·         飽和電壓最低的全新產(chǎn)品（PBSS4230PANP，30 V，2 A NPN/PNP，V_CEsat：60 mV）：http://www.nxp.com/pip/PBSS4230PANP    

·         DFN2020-6 (SOT1118)封裝信息頁(yè)面：http://www.nxp.com/packages/SOT1118.html