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Vishay Siliconix發(fā)布用于功率MOSFET的免費在線仿真工具

更強大的在線熱仿真工具讓使用者能夠定義更多的真實條件,同時用戶使用更加友好
2013-03-06

 

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于功率MOSFET、microBUCK® 功率IC和DrMOS產(chǎn)品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線,功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關(guān)鍵特性,比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能,定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性,減輕對用戶使用經(jīng)驗的要求。

其他熱仿真工具只能進行封裝級的仿真,而ThermaSim使用有限元分析(FEA)技術(shù)來提高精度。這款免費在線工具在高電流、高溫應用中特別有用,例如汽車、固網(wǎng)通信、桌面和筆記本電腦,以及工業(yè)系統(tǒng)。最新版本的仿真工具還非常適合裕量小的設計,以及會受UIS(未鉗位的電感開關(guān))和汽車拋負載等瞬態(tài)情況影響的應用。

 

ThermaSim可幫助設計者在產(chǎn)品原型前對Vishay Siliconix的功率MOSFET、IC和DrMOS產(chǎn)品進行詳盡的熱仿真,從而縮短上市時間。對于高可信設計,ThermaSim 3.0在很多方面提供了大量新的和改進的功能;可到http://www.vishay.com/doc?49641找到詳細介紹,并包括以下內(nèi)容:

 

瞬態(tài)熱仿真(僅對MOSFET):

對仿真的功率耗散數(shù)據(jù)進行時間縮放(最大1000級),提高設計可靠性。這種方法可以在仿真曲線的時間段上的多個位置進行縮放,對高功率脈沖(kW級)及持續(xù)時間短(≥1ns)的情況特別有用。此外,工具能夠以最初MOSFET裸片面積的10%、15%或25%作為散熱區(qū),以便對低柵極驅(qū)動和漏源電壓尖峰等情況進行更好的分析。

 

改善用戶體驗:

為節(jié)省時間和消除可能的數(shù)據(jù)錄入錯誤,ThermaSim 3.0允許用戶上傳Excel®格式的功率曲線數(shù)據(jù)包,可根據(jù)需要的次數(shù)反復上傳數(shù)據(jù)包,當需要的時候用戶之間可交換仿真結(jié)果和整個設計的副本。另外,強大的工具用圖形顯示的方式在PCB上擺放元器件。

 

根據(jù)“真實條件”進行仿真:

用戶甚至可以定義更多的條件,包括在頂層和底層PCB板上的銅擴散,焊錫厚度,焊點質(zhì)量,氣隙,膠/隔離層的厚度,以及在PCB上或PCB外的導線端接。

 

高效仿真:

異步重新加載和web接口(Ajax),以及負載均衡和高網(wǎng)格解析度,能更快得到仿真結(jié)果。

 

ThermaSim 3.0現(xiàn)提供在線免費使用,網(wǎng)址http://www.vishay.com/mosfets/thermasim。

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領先者。有關(guān)Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com

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