GLOBALFOUNDRIES今日宣布將公司的55 奈米(nm) 低功耗強(qiáng)化型(LPe)制程技術(shù)平臺(tái)進(jìn)行了最新技術(shù)強(qiáng)化, 推出具備ARM公司合格的下一代存儲(chǔ)器和邏輯IP解決方案的55nm LPe 1V 。“55nm LPe 1V”是業(yè)內(nèi)首個(gè)且唯一支持ARM 1.0/1.2V物理IP庫(kù)的強(qiáng)化型制程節(jié)點(diǎn)，使芯片設(shè)計(jì)人員能夠在單一系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）中使用單一制程同時(shí)支持兩個(gè)工作電壓。

    GLOBALFOUNDRIES產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)副總裁Bruce Kleinman表示：“‘55nm LPe 1V’的核心優(yōu)勢(shì)在于，一個(gè)設(shè)計(jì)庫(kù)可同時(shí)適用于1.0伏電壓及1.2伏電壓的設(shè)計(jì)環(huán)境。這意味著設(shè)計(jì)人員可以在該平臺(tái)上始終采用同一套設(shè)計(jì)規(guī)則和模型，無(wú)需增加額外光罩層數(shù)或特殊制程，在保證功耗效率和性能優(yōu)化的同時(shí)節(jié)省了成本且提高了設(shè)計(jì)靈活性。”

    基于ARM的1.0V/1.2V標(biāo)準(zhǔn)單元和存儲(chǔ)器編譯器，GLOBALFOUNDRIES “55nm LPe 1V”能夠幫助設(shè)計(jì)人員在速度、功耗和面積設(shè)計(jì)方面獲得優(yōu)化，特別有利于在設(shè)計(jì)SoC解決方案時(shí)面臨功耗限制的設(shè)計(jì)人員。

   ARM為GLOBALFOUNDRIES先進(jìn)的55納米LPe制程提供了全面的8軌、9軌和12軌庫(kù)的硅晶驗(yàn)證平臺(tái)，以及高速、高密度存儲(chǔ)器編譯器。

   ARM公司物理IP部門(mén)營(yíng)銷(xiāo)副總裁John Heinlein博士表示：“1伏和1.2伏操作環(huán)境的結(jié)合，以及對(duì)邏輯電平轉(zhuǎn)換的支持，可以提供低功耗、高性能和更小芯片面積的完美結(jié)合。與之前的解決方案相比，雙電壓特性及Artisan下一代存儲(chǔ)器編譯器架構(gòu)減少了至少35%的動(dòng)態(tài)功耗和靜態(tài)功耗。”

    “55nm LPe 1V”尤其適用于大容量、電池供電的移動(dòng)消費(fèi)設(shè)備以及各種綠色節(jié)能產(chǎn)品。制程設(shè)計(jì)(PDK)和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具包現(xiàn)已面市，并提供多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù)。

    Artisan存儲(chǔ)器提供了靈活的生產(chǎn)選擇，被廣泛應(yīng)用于全世界數(shù)十億產(chǎn)品。這些下一代存儲(chǔ)器是更廣泛的65納米至20納米Artisan物理IP平臺(tái)的組成部分，其特性包括：可延長(zhǎng)電池壽命的低電壓和待機(jī)模式，可實(shí)現(xiàn)最快處理器速度的超高速緩存，以及可減少低成本SoC設(shè)計(jì)面積的專(zhuān)有設(shè)計(jì)工藝。

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GLOBALFOUNDRIES是全球首家真正擁有國(guó)際生產(chǎn)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)且能夠提供全方位服務(wù)的半導(dǎo)體晶圓代工廠商。自2009年3月成立后，公司非常迅速地發(fā)展成為全球規(guī)模最大的代工廠之一，為超過(guò)150家客戶提供先進(jìn)技術(shù)和制造工藝的獨(dú)特結(jié)合。GLOBALFOUNDRIES在新加坡、德國(guó)和美國(guó)設(shè)有制造中心，是世界上唯一跨三大洲提供靈活且安全的制造能力的代工廠。公司擁有3個(gè)300mm晶圓廠和5個(gè)200mm晶圓廠，提供從主流到尖端的完整工藝技術(shù)。公司的主要研發(fā)和設(shè)計(jì)設(shè)施位于美國(guó)、歐洲和亞洲半導(dǎo)體活動(dòng)樞紐附近，以便為其全球制造業(yè)務(wù)提供支持。GLOBALFOUNDRIES隸屬于Advanced Technology Investment Company (ATIC)。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：http://www.globalfoundries.com。