《電子技術(shù)應(yīng)用》
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意法半導(dǎo)體(ST)發(fā)布先進(jìn)功率MOSFET系列產(chǎn)品,抓住新興生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和綠色能源市場機(jī)會

2012-09-13
來源:來源:意法半導(dǎo)體
關(guān)鍵詞: SuperMESH? 超結(jié)MOSFET

先期推出的900V和950V兩款 SuperMESH™ 5 功率MOSFET

分別創(chuàng)下業(yè)內(nèi)最高能效和最高額定電壓新記錄,提升應(yīng)用可靠性

中國,2012912—— 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)對功率和能效的要求,瞄準(zhǔn)太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應(yīng)用。

新產(chǎn)品包括業(yè)內(nèi)首個可承受950V峰值電壓的超結(jié)晶體管(MOSFET)、同類產(chǎn)品中能效最高的900V晶體管和全球上唯一采用節(jié)省空間的PowerFLAT 8x8 HV超薄封裝的850V器件。超結(jié)技術(shù)可提高M(jìn)OSFET管的工作電壓,降低導(dǎo)通電阻-芯片尺寸比,使電源產(chǎn)品在縮減封裝總體尺寸的同時提高系統(tǒng)可靠性和能效。

意法半導(dǎo)體是超結(jié)MOSFET(super-junction MOSFETs)的主要供應(yīng)商,現(xiàn)在開始提供目前市場上額定電壓最高的解決方案,同時還是目前僅有的兩家900V超結(jié)晶體管供應(yīng)商之一。此外,該系列產(chǎn)品不久后將增加800V器件。

超結(jié)技術(shù)讓世界更環(huán)保

在展示SuperMESH 5器件的高能效的同時,意法半導(dǎo)體還公布了首個成功應(yīng)用超高壓MOSFET的客戶設(shè)計(jì)的細(xì)節(jié)。意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI (www.tcisaronno.net)在其最新的LED驅(qū)動器設(shè)計(jì)中選用LEDIPAK封裝的950V STU6N95K5做主電源,為設(shè)計(jì)先進(jìn)且功能豐富的LED照明燈供電,使其成為高成本效益的小型LED照明市場的能效標(biāo)桿。意法半導(dǎo)體功率晶體管產(chǎn)品部市場總監(jiān)Maurizio Giudice表示:“意法半導(dǎo)體最新的SuperMESH 5技術(shù)讓TCI創(chuàng)立了市場上最高的能效和安全系數(shù),為客戶提供極具吸引力的價值主張。”

意法半導(dǎo)體新的超結(jié)MOSFET的其它主要應(yīng)用包括平板電視、PC電源、LED照明驅(qū)動器和高壓氣體放電燈(HID)電子鎮(zhèn)流器。MOSFET將讓設(shè)計(jì)人員能夠達(dá)到美國能源之星(Energy Star)和歐盟能源相關(guān)產(chǎn)品(Energy-related Products,ErP)指令等生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)中日益嚴(yán)格的功率上限和能源下限要求。

例如,最新的能源之星電視機(jī)能效規(guī)范(5.3版)提出了更嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)定,要求50英寸以及以上的平板電視的最大絕對功率為108.0瓦。另一個生態(tài)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)日益嚴(yán)格的例子是,ErP的照明指令提高了2012年至2017年期間制造的各類HID燈的能效下限標(biāo)準(zhǔn)。

意法半導(dǎo)體的新超結(jié)MOSFET耐高壓特性可提高系統(tǒng)安全性和可靠性。對于HID燈鎮(zhèn)流器和其它的以電網(wǎng)或更高電壓為電源的電力應(yīng)用系統(tǒng),例如太陽能微逆變器和電動汽車充電樁,耐高壓是一個重要優(yōu)點(diǎn)。為最大限度減少電動汽車的充電時間和運(yùn)行成本,充電樁需要極高的功率轉(zhuǎn)換效率。在微型發(fā)電機(jī)逆變器內(nèi),高能效的MOSFET讓設(shè)計(jì)人員能夠使用更高的開關(guān)頻率,輸出高質(zhì)量的交流電能,同時降低能耗和解決方案尺寸。

SuperMESH™ 5 MOSFET的主要特性:

新推出的MOSFET晶體管是首批采用意法半導(dǎo)體的SuperMESH™ 5第五代超結(jié)技術(shù)的產(chǎn)品。新產(chǎn)品包括采用各種封裝的900V STx21N90K5、950V STx20N95K5和950V STx6N95K5。STL23N85K5 850V采用PowerFLAT 8x8 HV高壓表面貼裝封裝,占位面積為64mm2, 比工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK封裝小56%。此外,這款產(chǎn)品的安裝高度為1mm,比工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的D2PAK封裝低77%,適用于超薄型應(yīng)用設(shè)計(jì)。

900V STP21N90K5的靈敏值(Figure of Merit,F(xiàn)OM)反映了該產(chǎn)品接通電源以及導(dǎo)通和關(guān)斷時的總體能效,比市場上唯一可比產(chǎn)品低62.5%。如果不使用其它品牌而選用STP21N90K5,設(shè)計(jì)人員即可大幅提高能效。

產(chǎn)品型號

額定電壓

RDS(ON)

封裝選項(xiàng)

注釋

STx23N85K5

850V

0.275?

TO-247, PowerFLAT 8x8 HV

PowerFLAT 1mm厚表面貼裝

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測試

G-S齊納二極管保護(hù)

STx21N90K5

900V

0.299?

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

TO-220封裝的900V-950V的RDS(ON)最低

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測試

G-S齊納二極管保護(hù)

STx20N95K5

950V

0.330?

TO-220, TO-220FP, TO-247, D2PAK

STx6N95K5

950V

1.25?

TO-220, TO-220FP, TO-247, DPAK, IPAK

最低的FOM (RDS(ON) x Qg)

超低柵電荷

100%雪崩測試

G-S齊納二極管保護(hù)

新的SuperMESH 5產(chǎn)品已開始提供樣片并接受生產(chǎn)訂單,詳情請查詢www.st.com/pmos

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