前言

自從固態(tài)晶體管取代真空電子管以來，半導(dǎo)體工業(yè)取得了令人驚嘆的突破性進(jìn)展，改變了我們的生活和工作方式。如果沒有這些技術(shù)進(jìn)步，在封城隔離期間我們就無不可能遠(yuǎn)程辦公，與外界保持聯(lián)系?？傊?，沒有半導(dǎo)體的技術(shù)進(jìn)步，人類就無法享受科技奇跡。

舉個例子，處理器芯片運(yùn)算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進(jìn)更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導(dǎo)體微處理器迭代50多年。現(xiàn)在，我們即將到達(dá)原子學(xué)和物理學(xué)的理論極限，需要新的技術(shù)，例如，分層垂直堆疊技術(shù)。

同時，我們也正處于另一場革命浪潮之中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體正在快速發(fā)展，這些新材料具有獨(dú)特的物理性質(zhì)，可以提高器件的能效和功率密度，能夠在更惡劣的熱環(huán)境內(nèi)安全工作。

意法半導(dǎo)體已經(jīng)量產(chǎn)STPOWER SiC MOSFET，這將有助于推進(jìn)電動汽車（EV）應(yīng)用，引爆汽車大規(guī)模電動化時代，最終實現(xiàn)自動駕駛和綠色出行。

在本世紀(jì)初出現(xiàn)的超結(jié)MOSFET是一場高壓（即200V以上）硅基功率晶體管的技術(shù)革命。直到20世紀(jì)90年代末，芯片設(shè)計者還不得不接受這樣一個“公理”，即平面晶體管的品質(zhì)因數(shù)（導(dǎo)通電阻與芯片面積的乘積）與擊穿電壓BV成正比，比例最高到2.5。這個公理意味著，在給定的電壓下，要達(dá)到較低的導(dǎo)通電阻值，唯一的解決辦法就是增加芯片面積，而這一結(jié)果是小封裝應(yīng)用變得越來越難。通過使上述關(guān)系接近線性，超結(jié)技術(shù)拯救了高壓MOSFET。意法半導(dǎo)體將該技術(shù)命名為MDmesh，并將其列入STPOWER的子品牌。

超結(jié)晶體管的原理

超結(jié)晶體管的工作原理是利用一個簡化的麥克斯韋方程，例如，只有垂直軸y的一維坐標(biāo)系，該方程規(guī)定y軸上的電場斜率等于電荷密度r 除以介電常數(shù)e ，用符號表示：dE/dy=r/e。另一個方程是代表電壓V和y軸上的電場分量E的關(guān)系，即E=-dV/dy。換句話說，電壓V是E的積分，或用幾何術(shù)語表示，E曲線下的面積是y的函數(shù)。我們可以通過比較標(biāo)準(zhǔn)平面MOSFET的垂直結(jié)構(gòu)和相同尺寸的超結(jié)MOSFET來了解它們的工作原理。本質(zhì)上，超結(jié)是在垂直漏極內(nèi)部延長基本晶體管的p體，實現(xiàn)一個p型柱。

在平面結(jié)構(gòu)（圖1左圖和圖表）中，從芯片表面開始沿y軸向下，我們看到p體，在到達(dá)A點(diǎn)前，場強(qiáng)斜率一直是正值。從A點(diǎn)到B點(diǎn)是電荷極性為負(fù)的漏極，因此，場強(qiáng)斜率從正變負(fù)。從B點(diǎn)到襯底，負(fù)電荷密度變得更大（n-），所以，場強(qiáng)斜率上升。圖中的綠色區(qū)域表示在關(guān)斷狀態(tài)下可以維持的電壓。在右邊的超結(jié)圖中，p型柱的加入改變了電場分布情況。事實上，從C點(diǎn)到A點(diǎn)，電場分布保持恒定（體和柱的極性相同），然后，因為漏極和襯底的原因，場強(qiáng)變化與平面結(jié)構(gòu)相同，斜率變負(fù)。因此，在電場下方的區(qū)域更大，電壓V2得以維持，這就是P型柱的神奇之處?，F(xiàn)在，在給定的電壓下，我們就可以降低漏極電阻率和導(dǎo)通電阻。

圖1平面MOSFET(左)和超結(jié)MDmesh MOSFET(右)

技術(shù)演變過程

自從問世以來，MDmesh晶體管不斷地被改進(jìn)和完善，如今仍然有大量的變電設(shè)備在使用MDmesh晶體管。垂直p型柱的制造工藝已經(jīng)過大幅優(yōu)化，確保晶體管具有更好的制造良率和工作穩(wěn)健性。根據(jù)目標(biāo)電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和應(yīng)用需求，現(xiàn)在工程師可以選用不同的專用產(chǎn)品系列，這種在技術(shù)層面的多用途和靈活性為系統(tǒng)設(shè)計人員帶來更多的選擇。在400V至650V電壓范圍內(nèi)，通用M2系列具有非常高的性價比，另外，還有應(yīng)用范圍覆蓋PFC、軟開關(guān)LLC和電橋拓?fù)涞哪蛪禾岣咧?700V的專用產(chǎn)品。

除此之外，意法半導(dǎo)體還引入鉑離子注入等壽命終止技術(shù)來提高寄生二極管的性能，減少反向恢復(fù)時間trr和反向恢復(fù)電荷Qrr，提高dV/dt（DM系列）耐量。這些產(chǎn)品特性非常適用于電橋和大功率移相電路。MDmesh快速二極管款甚至可以與低功率電機(jī)驅(qū)動器中的IGBT媲美，而無需在封裝內(nèi)再增加一個二極管。冰箱壓縮機(jī)150W逆變器是一個提高能效的典型例子，如圖2所示。

圖2：MDmesh快速二極管款MOSFET與DPAK封裝IGBT在壓縮機(jī)逆變器應(yīng)用中的能效曲線比較圖。試驗條件：0.23Nm (負(fù)載)，220V/50Hz (輸入電壓)

應(yīng)用廣泛的MDmesh晶體管的出貨量已經(jīng)達(dá)到數(shù)十億顆。M6系列是為諧振變換器優(yōu)化的MDmesh產(chǎn)品，通過與早期的M2系列對比，意法半導(dǎo)體設(shè)計師在迭代改進(jìn)方面花了不少心血，如圖3所示。

圖3：從M2到M6：柵極電荷、閾值電壓和輸出電容三項指標(biāo)被全面改進(jìn)

在圖3中，從左到右，我們看到較低的柵極電荷、較高的閾值電壓和更加線性的電壓和輸出電容比，這些特性可以產(chǎn)生較高的開關(guān)頻率、較低的開關(guān)損耗，在較輕的負(fù)載下實現(xiàn)更高的能效。

超結(jié)晶體管基礎(chǔ)技術(shù)結(jié)合先進(jìn)的制造工藝，通過對dI/dt、dV/d等重要開關(guān)參數(shù)給與特別考慮，意法半導(dǎo)體創(chuàng)造了一種高性能的高壓MOSFET，如圖4的安全工作區(qū)圖所示。由于這些改進(jìn)，DM6 MDmesh系列非常適合太陽能逆變器、充電站、電動汽車車載充電機(jī)（OBC）等應(yīng)用。

圖4 dI/dt與dV/dt安全工作區(qū)域

應(yīng)用領(lǐng)域

意法半導(dǎo)體的MDmesh晶體管的應(yīng)用非常廣泛，我們只能從中選擇幾個有代表性的用例展示產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)。

手機(jī)充電適配器是規(guī)模較大的MDmesh應(yīng)用領(lǐng)域，圖5是一個120W充電適配器。

圖5：手機(jī)充電適配器中的MDmesh

圖6描述了“定制型”M5系列和基本型M2系列在功率較高的1.5kW功率因數(shù)校正電路中的能效比較。兩個MOSFET具有相似的導(dǎo)通電阻(M5和M2的導(dǎo)通電阻分別為37和39 mOhm)和反向耐壓(650V)。

圖6：M5系列（藍(lán)線）如何在大功率條件下提高PFC能效

圖7所示是一個有趣的例子，在車載充電機(jī)OBC的3kW半橋LLC電路中，在Vin=380V-420V、Vout=48V、開關(guān)頻率f=250Hz-140kHz條件下，意法半導(dǎo)體最新的DM6系列 (STWA75N65DM6)與競品比較。

圖7 ：3kW全橋LLC:關(guān)斷電動勢與輸出功率比；能效比與輸出功率比

圖8是損耗分類分析圖，表明導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗的優(yōu)化組合是達(dá)到最低損耗和最高能效的關(guān)鍵因素。

圖8：3kW全橋LLC變換器中各種損耗根源分析

此外，快速增長的5G技術(shù)也將受益于MDmesh技術(shù)創(chuàng)新。5G系統(tǒng)蜂窩小區(qū)密度連續(xù)提高，而基站卻不斷地小型化，從微蜂窩向微微蜂窩發(fā)展，在能效、產(chǎn)能、競爭力和性能方面占優(yōu)的MDmesh是中繼器電源芯片的絕佳選擇。

為了使5G系統(tǒng)的工作能效超過98%，PFC級和DC-DC變換器級的能效都必需達(dá)到99%。PFC的解決方案可以是MCU數(shù)控三角形電流模式（TCM）三通道交錯無橋圖騰柱電路。TCM系統(tǒng)使變換器能夠執(zhí)行零電壓開關(guān)操作，從而顯著降低開關(guān)損耗。總體上，最后得到一個平滑的能效曲線，能效在低負(fù)載時表現(xiàn)良好，此外，還可以使用尺寸更小的電感器、EMI擾濾波器和輸出電容。

MDmesh晶體管為5G無線系統(tǒng)的推出鋪平了道路。

擴(kuò)散焊接和封裝

擴(kuò)散焊接工藝是下一代MDmesh產(chǎn)品的另一個有趣的創(chuàng)新技術(shù)。

在標(biāo)準(zhǔn)焊接工藝（軟釬焊）中，金屬間化合物(IMP)的形成是鍵合的基礎(chǔ)，IMP包括界面上的金屬間化合物薄層和各層中間未反應(yīng)焊料。熱循環(huán)后標(biāo)準(zhǔn)軟焊點(diǎn)失效機(jī)理分析發(fā)現(xiàn)，在未反應(yīng)焊料體積內(nèi)出現(xiàn)疲勞裂紋擴(kuò)大現(xiàn)象。

硬度和脆性是所有金屬間化合物的兩個重要性質(zhì)，這兩個性質(zhì)會降低材料的延伸性。眾所周知，在熱機(jī)械應(yīng)力作用下，脆性會導(dǎo)致設(shè)備失效，從而降低電子設(shè)備的可靠性。

此外，在焊料層中有大小不同的空隙，這不僅會降低芯片和引線框架之間的熱連接可靠性，而且還可能產(chǎn)生“熱點(diǎn)”，即局部溫度非常高的微觀體積。另一個要考慮的效應(yīng)是MOSFET參數(shù)與溫度關(guān)系緊密，例如，隨著溫度升高，導(dǎo)通電阻變大，而閾值電壓降低。雖然前一種趨勢具有穩(wěn)定作用，但后一種趨勢可能對器件有害，尤其是在開關(guān)轉(zhuǎn)換期間。

為了克服這些問題，業(yè)界正在開發(fā)一種結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)焊接與擴(kuò)散焊接特性的等溫擴(kuò)散焊接新工藝。

本質(zhì)上，這種工藝是通過在界面生長IMP來使低熔點(diǎn)材料（例如Sn-Cu焊膏）和高熔點(diǎn)材料（例如來自襯底的Cu）發(fā)生的一種反應(yīng)。

與傳統(tǒng)焊接不同，這種焊接工藝是在焊接過程中，不限于冷卻后，通過等溫凝固方法形成焊點(diǎn)。

形成熔點(diǎn)非常高的合金相這一優(yōu)點(diǎn)還有助于產(chǎn)生優(yōu)異的機(jī)械穩(wěn)健性。因為電力封裝產(chǎn)品的結(jié)溫會達(dá)到200°C，新擴(kuò)散焊接技術(shù)可以改善芯片與基板的連接性能，確保工作溫度不超過會焊接工藝溫度，導(dǎo)致晶體管過早失效。

通過改善熱性能，新焊接工藝解決了軟釬焊的一些缺點(diǎn)，所以，芯片的電氣性能更好。這種焊接工藝與新的封裝概念是完美組合，例如，TO-LL(TO無引腳)等SMD表面貼裝器件具有非常好的封裝面積與熱阻比率，還配備了開爾文引腳，關(guān)斷能效更高，因此，可以用M6解決硬開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計問題與或用導(dǎo)通電阻更低的MD6系列設(shè)計電橋電路。

圖9：TO-LL封裝與SMD封裝對比

為了更全面地介紹這個封裝，圖9展示了一個叫做ACEPACK? SMIT(貼裝隔離正面散熱)的創(chuàng)新的分立電源模塊，如圖9所示。這種模壓引線框架封裝包含一個DBC(直接鍵合銅)基板，可以安裝多個分立芯片，實現(xiàn)各種拓?fù)洹CEPACK SMIT的0.2 °C/W低熱阻率令人印象深刻，背面陶瓷確保最小絕緣電壓達(dá)到3400VRMS(UL認(rèn)證)。

圖10：ACEPACK SMIT封裝

圖11：ACEPACK SMIT內(nèi)部配置的靈活性

MDmesh的未來

經(jīng)過20多年的發(fā)展，STPOWER MDmesh技術(shù)不斷進(jìn)步，與意法半導(dǎo)體創(chuàng)新性的寬帶隙半導(dǎo)體一起，繼續(xù)為市場帶來各種類型的功率晶體管。圖12所示是不斷迭代的MDmesh晶體管與標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓比值及其物理學(xué)理論極限，其中M9和K6現(xiàn)已量產(chǎn)。為了解釋的更清楚，K5和K6代表非常高的電壓（從800V到1700伏）技術(shù)。

圖12：MDmesh導(dǎo)通電阻演變

為了滿足不同應(yīng)用的需求，MDmesh產(chǎn)品經(jīng)過多次升級換代，圖13是從第一代MOSFET到TrenchFET的迭代圖。

下一步計劃是什么呢？在推出MD6之后，意法半導(dǎo)體新的目標(biāo)的是將溝槽柵極結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)應(yīng)用到超級結(jié)中，這會讓MDmesh又向前邁出一大步，然后將溝槽柵極結(jié)構(gòu)擴(kuò)展到SiC等未來的開創(chuàng)性技術(shù)。通過適當(dāng)?shù)恼{(diào)整和優(yōu)化，寬帶隙技術(shù)有望在現(xiàn)有的硅技術(shù)上全面改進(jìn)性能，這個性能征程勢必會帶來更多的驚喜！

圖13: MDmesh里程碑: 走向溝槽柵極技術(shù)

作者簡介：

Filippo Di Giovanni 是意法半導(dǎo)體功率晶體管事業(yè)部的戰(zhàn)略營銷、創(chuàng)新和大項目經(jīng)理，常駐意大利卡塔尼亞。作為技術(shù)營銷經(jīng)理，他幫助推出了第一款帶狀 MOSFET，并在 90 年代末協(xié)調(diào)參與了“超結(jié)”高壓 MOSFET (MDmeshTM) 的開發(fā)，見證了硅功率半導(dǎo)體的突破。

2012 年，他負(fù)責(zé)開發(fā)首批 1,200V 碳化硅 (SiC) MOSFET，為意法半導(dǎo)體取得當(dāng)今市場領(lǐng)導(dǎo)者，和各個應(yīng)用領(lǐng)域（包括不斷增長的電動汽車市場）的主要供應(yīng)商（之一）的地位做出了貢獻(xiàn)。

Di Giovanni 博士的研發(fā)經(jīng)歷還包括研究用于功率轉(zhuǎn)換和射頻領(lǐng)域的硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) HEMT。他經(jīng)常受邀參加各種功率轉(zhuǎn)換相關(guān)的會議和研討會，他還負(fù)責(zé)與 ST 的重要行業(yè)合作伙伴共同開發(fā)硅基氮化鎵。