日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內(nèi)P溝道器件最低的導(dǎo)通電阻。

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個晶體管單元。這種最先進的技術(shù)實現(xiàn)了超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。

SiB455EDK具有超低的導(dǎo)通電阻，在4.5 V、2.5 V、1.8 V和1.5 V下的導(dǎo)通電阻分別為27mΩ、39mΩ、69mΩ和130mΩ，比前一代領(lǐng)先的12V P溝道器件在4.5 V、2.5 V、1.8 V下的導(dǎo)通電阻分別低55%、52%和39%。

該MOSFET可用做手機、智能手機、PDA和MP3播放器等手持設(shè)備中的負載、功放和電池開關(guān)。SiB455EDK的低導(dǎo)通電阻意味著更低的導(dǎo)通損耗，小尺寸的PowerPAK SC-75封裝能夠?qū)⒐?jié)省下來的空間用于實現(xiàn)其他功能，或是讓終端產(chǎn)品變得更加小巧。

新器件也是僅有的同時具有10V柵源電壓和可在1.5V電壓下導(dǎo)通的12V MOSFET，因此該器件可用在由于浪涌、尖峰、噪聲或過壓引起柵極驅(qū)動電壓波動的應(yīng)用中，同時也為更小的輸入電壓提供更安全的設(shè)計。

為減少由ESD引起的現(xiàn)場故障，器件的典型ESD保護電壓高達1500V。MOSFET符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定和RoHS指令2002/95/EC。

新款SiB455EDK TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將在2010年第一季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為14周到16周。

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。