《電子技術應用》
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智能車競賽中直流電機調速系統(tǒng)的設計與比較
王名發(fā),江智軍,鄒會權
南昌大學 信息工程學院,江西 南昌 330031
摘要: 針對大學生智能車競賽中直流電機的驅動設計了6種方案,經(jīng)過實驗比較分析了各種方案的優(yōu)缺點,最后確立了一套驅動能力強、體積小、性能穩(wěn)定的驅動方法,可廣泛應用于40 V以下的大功率直流電機驅動的場合。
Abstract:
Key words :

摘 要:針對大學生智能車競賽中直流電機的驅動設計了6種方案,經(jīng)過實驗比較分析了各種方案的優(yōu)缺點,最后確立了一套驅動能力強、體積小、性能穩(wěn)定的驅動方法,可廣泛應用于40 V以下的大功率直流電機驅動的場合。
關鍵詞:直流電機;調速系統(tǒng); MC33886; VNH3SP30; BTS7960B; DT340I; IRF3205

  目前大電流直流電機多采用達林頓管或MOS管搭制H橋PWM脈寬調制,因此體積較大;另一方面,由于分立器件的特性不同,使得驅動器的特性具有一定的離散性;此外,由于功率管的開關電阻比較大,因此功耗也很大,需要功率的散熱片,這無疑進一步加大了驅動器的體積。隨著技術的迅猛發(fā)展,基于大功率MOS管的H橋驅動芯片逐漸顯現(xiàn)出其不可替代的優(yōu)勢。但目前能提供較大電流輸出的集成芯片不是很多。例如飛思卡爾半導體公司推出的全橋驅動芯片MC33886和33887、意法半導體公司推出的全橋驅動芯片VNH3SP30、英飛凌公司推出的高電流PN半橋驅動芯片BTS7960。ST微電子公司推出的TD340驅動器芯片是一種用于直流電機的控制器件,可用于驅動N溝道MOSFET管。
  本文在第三、四屆大學生智能車大賽中分別嘗試了上面提到的5塊電機驅動芯片設計的驅動電路,通過現(xiàn)場調試發(fā)現(xiàn)它們的優(yōu)缺點,確定了驅動能力強、性能穩(wěn)定的驅動方案,并得到了很好的應用。
1 直流電機驅動原理
  目前直流電機的驅動方式主要有2種形式:線性驅動方式和開關驅動方式。其中線性驅動方式可以看成一個數(shù)控電壓源。該驅動方式的優(yōu)點是驅動電機的力矩紋波很小,可應用于對電機轉速要求非常高的場合;缺點是該方式通常比較復雜,成本較高,尤其是要提高驅動的功率時,相應的電路成本將提升很多[1]。本文針對H橋驅動電路在智能車競賽中的應用加以分析。
  目前的H橋驅動主要有3種方式。圖1(a)中H橋的4個橋臂都使用N溝道增強型MOS管;圖1(b)中H橋的4個橋臂都使用P溝道增強型MOS管;圖1(c)中上H橋臂分別使用P溝道增強型MOS管和N溝道增強MOS管。由于P溝道MOS管的品種少、價格較高,導通電阻和開關速度等都不如N溝道MOS管,因此最理想的情況應該是在H橋的4個橋臂都使用N溝道MOS管。但是在如圖1(a)中可以看到,為了使電機正轉,Q1和Q4應該導通,因此S4電壓應該高于Q4的源極電壓,S1電壓應該高于Q1的源極電壓,由于此時Q1的源極電壓近似等于Vcc,因此就要求S1必須大于(Vcc+Vgs)。在很多電路中除非作一個升壓電路否則是比較困難得到的,因此圖1(a)這種連接方式比較少見。同理,圖1(b)中為了使電機正轉,S4電壓就必須低于0V- VGS,在使用時也不方便。因此最常用的是圖1(c)的電路,該電路結合了上述2種電路各自的優(yōu)點,使用方便。本文針對3種形式電路進行設計,并進行實驗比較分析。

2 驅動芯片的選擇與比較
  在設計H橋驅動電路時,關鍵要解決4個問題:(1) MOS管均高速驅動;(2)防止共態(tài)導通;(3)消除反向電動勢;(4)PWM信號頻率選擇與光藕隔離。以下是4種方案設計比較:
2.1方案1: 采用1片33886驅動
  MC33886為H橋式電源開關IC, 該IC結合內(nèi)部控制的邏輯、電荷泵、柵極驅動器、以及RDS(ON)=120 mΩ MOSFET輸出電路,可工作在5 V~40 V電壓范圍內(nèi)。能夠控制連續(xù)感性直流負載電流高達5.0 A,可以接受高達10 kHz的2路PWM信號來控制電機的轉向和速度。具有短路保護、欠電壓保護、過溫保護等特點。其原理如圖2所示。

  該方法能夠控制電機正反轉和剎車,且使用方法靈活,但是內(nèi)阻大導致壓降大,開關頻率限制在10 kHz,電機噪聲大,使電機容易發(fā)熱,驅動能力受限制,會拉低電源電壓,容易導致控制器掉電產(chǎn)生復位。
2.2 方案2: 采用2、4片33886驅動
  由于MC33886的導通電阻比較大,產(chǎn)生了較大的壓降,使芯片容易發(fā)熱,為了增強其驅動能力利用多塊33886并聯(lián)使用,如圖3所示。

  該接法降低了MOS管的導通內(nèi)阻,增大了驅動電流,可以起到增強驅動能力、減小芯片發(fā)熱的作用,但是起始頻率受限,電機噪聲大且發(fā)熱嚴重。
2.3 方案3: 釆用2片VNH3SP30
  (1)運動控制H橋組件VNH3SP30性能[2]
  VNH3SP30是意法半導體公司生產(chǎn)的專用于電機驅動的大電流功率集成芯片,其原理框圖如圖4所示,芯片核心是一個雙單片上橋臂驅動器(HSD)和2個下橋臂開關,HSD開關的設計采用ST的ViPowe技術,允許在一個芯片內(nèi)集成一個功率場效應MOS管和智能信號/保護電路。下橋臂開關是采用ST專有的EHD(STripFET)工藝制造的縱向場效應MOS管。3個模塊疊裝在一個表面組裝MultiPowerSO- 30引腳框架電絕緣封裝內(nèi),具體性能指標如下: ①最大電流30 A、電源電壓高達40 V; ②功率MOS管導通電阻0.034 Ω; ③5 V兼容的邏輯電平控制信號輸入;④內(nèi)含欠壓、過壓保護電路;⑤芯片過熱報警輸出和自動關斷。

  (2)驅動器電路設計與運行原理
 ?、貾WM信號調節(jié)方式
  PWM(脈寬調制)信號是VNH3SP30最重要的控制信號,其最大工作頻率為10 kHz.PWM信號通過控制H橋上的功率管的導通時間,從而實現(xiàn)對輸出負載平均電流的調節(jié)。PWM信號的一個低電平狀態(tài)將會關閉2個下橋臂開關,而當PWM輸入端由低電平變?yōu)楦唠娖綍r,下橋臂LSA和LSB導通與否取決于輸入信號INA和INB,只有輸入信號從低電平變?yōu)楦唠娖綍r,下橋臂LSA和LSB才能重新導通。
  ②方向控制信號和橋臂使能信號
  INA和INB為電機轉向控制信號,控制電機的轉向和剎車;ENA/DIAGA和ENB/DIAGB為橋臂使能信號,當這2個信號都為低電平時,H橋將不能導通。當驅動芯片過熱、過壓、欠壓及過流時,ENA/DIAGA和ENB/DIAGB為故障診斷反饋信號,這2個信號返回一個低電平,同時H橋輸出被封鎖。
  該方法較MC33886的一個顯著優(yōu)點就是芯片不會發(fā)熱,且保護功能強大,但是存在開關頻率限10 kHz,電機噪聲大且電機容易發(fā)熱,但芯片較貴,很多場合性價比不高。
2.4 方案4: 采用2片BTS7960
  如圖5所示,采用2個半橋智能功率驅動芯片BTS7960B組合成一個全橋驅動器,驅動直流電機轉動。BTS7960B是應用于電機驅動的大電流半橋集成芯片,它帶有一個P溝道的高邊MOSFET、一個N溝道的低邊MOSFET和一個驅動IC。 P溝道高邊開關省去了電荷泵的需求,因而減少了電磁干擾(EMI)。集成的驅動IC具有邏輯電平輸入、電流診斷、斜率調節(jié)、死區(qū)時間產(chǎn)生和超溫、過壓、欠壓、過流及短路保護功能。BTS7960B的通態(tài)電阻典型值為16 mΩ,驅動電流可達43 A,調節(jié)SR引腳外接電阻的大小可以調節(jié)MOS管導通和關斷時間,具有防電磁干擾功能。IS引腳是電流檢測輸出引腳。INH引腳為使能引腳,IN引腳用于確定哪個MOSFET導通。當IN=1  且INH=1時,高邊MOSFET導通,輸出高電平;當IN=0且INH=1時,低邊MOSFET導通,輸出低電平。通過對下橋臂開關管進行頻率為25 kHz的脈寬調制(PWM)信號控制BTS7960B的開關動作,實現(xiàn)對電機的正反向PWM驅動、反接制動、能耗制動等控制狀態(tài)。

  這塊芯片開頭頻率可以達到25 kHz,可以很好地解決前面提到的MC33886和VNH3SP30使電機噪聲大和發(fā)熱的問題,同時驅動能力有了明顯的提高,響應速度快。但是,電機變速時會使電源電壓下降10%左右,控制器等其他電路容易產(chǎn)生掉電危險,從而使整個電路系統(tǒng)癱瘓。
2.5 方案5:采用DT340和IRF3205
  以TD340驅動器芯片為核心的直流電機PWM調速控制系統(tǒng)可以很好地驅動由低導通電阻IRF3205組成的H橋,大大簡化硬件電路。該系統(tǒng)不僅可以模擬控制,而且具有計算機接口,同時具有良好的保護功能。
  圖6所示為可逆的PWM變換器主電路的H型結構形式。圖中,4個MOSFET管的基極驅動電壓分為2組,其中Q2L和Q1H為一組,當Q2L接收PWM信號導通時,Q1H常開,而Q2H和Q1L截止。這時,電機兩端得到電壓而旋轉,而且占空比越大,轉速越高。由于直流電機是1個感性負載,當MOS關斷時,電機中的電流不能立即降到零,所以必須給這個電流提供一條釋放通路,否則將產(chǎn)生高壓破壞器件。處理這種情況的通常方法是在MOSFET竹旁邊并聯(lián)1個二極管,使電流流過二極管,最后通過歐姆耗散的方式在二極管中消失。對于大電流,耗散是重要的排放方法。這里必須使用高速二極管。電機反轉時原理相同。

  該方案基本上集合了前面4種方法的所有優(yōu)點,初始頻率高達25 kHz,且有微控制器的標準5 V電壓輸出,釆用的開關管IRF3205的導通內(nèi)阻僅有8 mΩ,不需要高速光隔對MCU的PWM隔離電路,從面使整個電路簡單化。
3  實驗結果與分析
  經(jīng)過對電路的選擇和調試實驗,本文重點論述的5種電路對比結果如表1、表2所示。


  綜上分析,每一種驅動方法都有優(yōu)缺點,但是從綜合因素考慮選擇TD34和IRF305組成H橋對電機進行控制是最好的方法。
參考文獻
[1] 曾國強,葛良全.機器人比賽中直流電機驅動電路的設計[J].微計算機信息,2008,24(5-2):236-238.
[2] 侯清鋒, 羅海波, 王洪福.基于VNH3SP30的大電流直流電機驅動器的設計[J].微計算機信息,2007,23 (10-1):92-94.
[3] 伊永峰,楊勇,張立勛.TD340芯片在直流調速系統(tǒng)中的應用[J].國外電子元器件,2004(9):48-50.
 

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