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中芯與燦芯40LL雙核ARM Cortex-A9測試達1.3GHz

ARM Cortex-A9雙核測試芯片實測成果達預期目標
2012-06-20

中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際",紐約證券交易所:SMI,香港聯(lián)合交易所:981)和國際領先的IC設計公司及一站式服務供應商 -- 燦芯半導體(上海)有限公司(以下簡稱"燦芯半導體")今日宣布采用中芯國際40納米低漏電工藝的ARM® Cortex™-A9 MPCore™雙核芯片測試結(jié)果達到1.3GHz。

該測試芯片基于ARM Cortex-A9雙核處理器設計,采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器包括一個32KB I-cache和32KB D-cache以及其他所需之存儲器模塊、ARM NEON™、調(diào)試和追蹤的ARM CoreSight™等等, 另外還透過AMBA® AXI總線集成了內(nèi)建SRAM與DMA、NOR flash、SDRAM、VGA等等介面。除了高速標準單元庫以外,該測試芯片還采用了中芯國際高速定制存儲器和單元庫(SMIC Performance Enhancement Kit)以提高性能。

中芯國際首席商務長季克非表示:"燦芯半導體在短短幾個月內(nèi),就能達成此預定目標,證明了燦芯半導體在技術(shù)上與國際先進水平相當,同時也證明了中芯國際工藝的穩(wěn)定度和市場領導地位。我們?nèi)焦餐献魈峁┑?0LL綜合平臺,不僅能縮短客戶產(chǎn)品的上市周期,而且可以減低客戶在先進技術(shù)設計上開發(fā)的風險。今天,這個里程碑式的合作再次證明了我們竭誠為客戶提供行業(yè)領先技術(shù)的決心。 中芯國際將繼續(xù)加強先進工藝技術(shù)的開發(fā),為高性能的消費類電子產(chǎn)品提供極具競爭力的解決方案。"

燦芯半導體總裁兼首席執(zhí)行官職春星博士指出:"ARM Cortex-A9雙核測試芯片的實測結(jié)果達到了我們的預期目標,這證明燦芯半導體在技術(shù)上完全有實力達到目前業(yè)界需求。此外,我們很快將在同一工藝上開始下一顆A9測試芯片的流片,而這顆芯片將達到更高的性能。燦芯半導體致力于為客戶提供最先進的平臺和解決方案,我們也一直在朝這個目標努力,相信在中芯國際、ARM以及其他合作伙伴的支持下,必將實現(xiàn)我們的目標,為客戶帶來巨大價值!"

ARM中國區(qū)總裁吳雄昂說:"來自燦芯半導體、中芯國際和ARM持續(xù)不斷的緊密合作所達成的里程碑是產(chǎn)業(yè)絕佳范例,展示出我們?nèi)绾喂餐献魍脐惓鲂?,推動下一代智能連網(wǎng)設備的核心技術(shù)!ARM相當重視與燦芯半導體及中芯國際的合作關(guān)系,并承諾將通過基于ARM架構(gòu)的技術(shù),為我們共同的客戶提供最先進的設計與生產(chǎn)平臺,進而符合他們在功耗、性能與上市周期的需求。"  

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