致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)推出新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8™技術(shù)，與競(jìng)爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
美高森美新的分立元件產(chǎn)品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨(dú)提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝提供，以便簡化產(chǎn)品開發(fā)和制造。其它特性包括：
· 相比競(jìng)爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能；
· 硬開關(guān)運(yùn)行頻率大于80 KHz，實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換；
· 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性；以及
· 額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作
APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝器件，包含了一個(gè)30A反并聯(lián)超快恢復(fù)二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關(guān)損耗、額定雪崩能量二極管技術(shù)制造。
供貨
美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產(chǎn)品已具有以上全部待征并已量產(chǎn)，可通過當(dāng)?shù)胤咒N商或美高森美銷售代表獲取樣品。要了解更多的信息，請(qǐng)通過電子郵件sales.support@microsemi.com聯(lián)系當(dāng)?shù)孛栏呱冷N售代表或美高森美授權(quán)經(jīng)銷商。
關(guān)于美高森美公司
美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 為航天、國防與安全、企業(yè)與商業(yè)，以及醫(yī)療、工業(yè)與替代能源市場(chǎng)提供業(yè)界綜合性的半導(dǎo)體解決方案系列，包括高性能及高可靠性模擬與射頻器件、混合信號(hào)與射頻集成電路、可定制系統(tǒng)單芯片(cSoC)、FPGA，以及完整的子系統(tǒng)。美高森美總部設(shè)于美國加利福尼亞州Aliso Viejo，全球員工總數(shù)約3,000人。欲獲取更詳盡信息，請(qǐng)?jiān)L問網(wǎng)站：http://www.microsemi.com。