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Microsemi發(fā)布新一代超高效NPT IGBT

2012-05-17

 

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC)推出新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8技術,與競爭解決方案相比,總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

美高森美新的分立元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供,或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基(Schottky)二極管組合封裝提供,以便簡化產品開發(fā)和制造。其它特性包括:

 

·        相比競爭產品,柵極電荷(Qg)顯著減少,具有更快的開關性能;

·        硬開關運行頻率大于80 KHz,實現(xiàn)更高效的功率轉換;

·        易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數),提升大功率應用的可靠性;以及

·        額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time,SCWT),在需要短路能力的應用中實現(xiàn)可靠運作

 

APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝,APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝,APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝器件,包含了一個30A反并聯(lián)超快恢復二極管,采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。

 

供貨

 

美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品已具有以上全部待征并已量產,可通過當地分銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。要了解更多的信息,請通過電子郵件sales.support@microsemi.com聯(lián)系當地美高森美銷售代表或美高森美授權經銷商。

 


關于美高森美公司

 

美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 為航天、國防與安全、企業(yè)與商業(yè),以及醫(yī)療、工業(yè)與替代能源市場提供業(yè)界綜合性的半導體解決方案系列,包括高性能及高可靠性模擬與射頻器件、混合信號與射頻集成電路、可定制系統(tǒng)單芯片(cSoC)、FPGA,以及完整的子系統(tǒng)。美高森美總部設于美國加利福尼亞州Aliso Viejo,全球員工總數約3,000人。欲獲取更詳盡信息,請訪問網站:http://www.microsemi.com。 

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