隨著LTE在全球部署的加快，業(yè)內(nèi)普遍認為，2012年是LTE發(fā)展的關(guān)鍵一年。由于LTE是純數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)，只提供高速數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)，因而需要與具有高質(zhì)量語音業(yè)務(wù)的2G、3G技術(shù)融合發(fā)展，多模LTE解決方案成為必備技術(shù)。美滿電子(Marvell)移動產(chǎn)品市場總監(jiān)張路博士在接受《中國電子報》記者采訪時指出，因為多模LTE提供最高程度的集成技術(shù)，從而為優(yōu)化和再利用提供了機會和可能。
需協(xié)調(diào)不同頻譜資源
如何協(xié)調(diào)不同的頻譜資源，對TD-LTE乃至LTE是否得以廣泛采納和部署至關(guān)重要。
張路進一步提到，多模LTE解決方案面臨多重挑戰(zhàn)，主要挑戰(zhàn)是要支持日漸增多的頻段，以滿足部署和漫游需求。在TD-LTE方面，目前，中國移動需要為TD-LTE應(yīng)用在38頻段、39頻段和40頻段提供支持;在日本，Softbank在41頻段上提供TD-LTE服務(wù);而在美國，ClearWire也計劃在41頻段上部署TD-LTE技術(shù)。對于LTEFDD，使用的光譜頻段更具多樣性。在美國，VerizonWireless利用700兆赫的13頻段，而AT&T則利用700兆赫的不同的次頻段。根據(jù)GTI的數(shù)據(jù)，為了支持在不同的LTE應(yīng)用(網(wǎng)絡(luò))上的漫游，一臺終端設(shè)備需要支持近17個不同的頻段，顯而易見，這對成本和性能有很大的影響。如何協(xié)調(diào)不同地域和國家之間的頻譜資源，將對TD-LTE乃至LTE得以廣泛采納和部署起著至關(guān)重要的作用。
“因而在設(shè)計上，需要能夠適應(yīng)不斷提升的LTE互操作需求;在技術(shù)上，需要提供穩(wěn)健的切換能力及低功耗性能。”張路表示。
前不久Marvell發(fā)布了業(yè)界最先進的多模TD-LTE調(diào)制解調(diào)芯片PXA1802，能夠支持無縫的移動通信，實現(xiàn)在TD-LTE和TD-SCDMA、TD-LTE和EDGE及TD-LTE和LTEFDD之間平滑的切換。
系統(tǒng)級解決方案是開發(fā)重點
OFDM信號包含了多個窄頻訊號，降低了發(fā)射效率，因此需要針對此開發(fā)更好的解決方案。
而由于多模LTE智能手機一般需要配備3G芯片和LTE基帶芯片，這樣的架構(gòu)對功耗優(yōu)化帶來很大的挑戰(zhàn)。張路指出，因為3G和4G無線接收發(fā)射器各自獨立運行，這樣在測量、處理、協(xié)調(diào)等方面會造成許多重復(fù)。
而Marvell在這方面已有所準備。張路提到，由于Marvell的多模LTE基帶芯片將GSM/EDGE、TD-SCDMAHSPA+、TD-LTE及LTEFDD基帶集成到單芯片上，因此可以利用多射頻方面的知識，在協(xié)議棧中最大化地實現(xiàn)重復(fù)利用，從而提升切換性能，同時降低功耗。此外，Marvell也在積極為包括CSFB、VoLTE在內(nèi)的語音解決方案研究開發(fā)新的技術(shù)。
工藝也是影響TD-LTE芯片功耗的關(guān)鍵，業(yè)界認為TD-LTE芯片較為適用28nm工藝，而目前這一工藝尚未成熟。張路對此表示，雖然包括28nm甚至是14nm在內(nèi)的、更高的半導(dǎo)體制程節(jié)點使芯片設(shè)計面積和相關(guān)功耗能得以降低，但是最根本的問題是怎樣開發(fā)出一個系統(tǒng)級的解決方案，以提高OFDM無線電技術(shù)的功率。OFDM信號的特性是它包含了多個窄頻訊號，其信號輪廓和峰均比值很高，導(dǎo)致了發(fā)射效率的降低，因此需要針對OFDM信號開發(fā)更好的解決方案。
明年將推SoC系統(tǒng)方案
TD-LTE可能首先在中國之外的地區(qū)實現(xiàn)商業(yè)化部署，但中國仍然是最大的TD-LTE移動市場。
目前TD-LTE在全球的部署正在展開，但市場表現(xiàn)不一。張路提到，由于各國頻譜管制政策和法規(guī)不同，TD-LTE可能首先在中國之外的地區(qū)實現(xiàn)商業(yè)化部署。然而，中國仍然是最大的TD-LTE移動市場，中國移動為部署TD-LTE也出臺了一系列的策略，推動了TD-LTE走強。Marvell將繼續(xù)和中國移動及全球主要的移動運營商展開合作，進而開發(fā)和提供單模和多模LTE解決方案。