《電子技術(shù)應(yīng)用》
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60年代:中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史大事記

2009-09-22
作者:AET

?? 1960年,中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所,同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所(河北半導(dǎo)體研究所)。

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?? 1962年,天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs),為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。

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?? 1962年,我國(guó)研究制成硅外延工藝,并開(kāi)始研究采用照相制版,光刻工藝。

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?? 1963年,河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。

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?? 1964年,河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

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?? 1965年12月,河北半導(dǎo)體研究所召開(kāi)鑒定會(huì),鑒定了第一批半導(dǎo)體管,并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數(shù)字邏輯電路。

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?? 1966年底,在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主,還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

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?? 1968年,組建國(guó)營(yíng)東光電工廠(878廠)、上海無(wú)線電十九廠,至1970年建成投產(chǎn),形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

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? ?1968年,上海無(wú)線電十四廠首家制成PMOS(P型金屬-氧化物半導(dǎo)體)電路(MOSIC)。拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕,并在七十年代初,永川半導(dǎo)體研究所(現(xiàn)電子第24所)、上無(wú)十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后,又研制成CMOS電路。

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