?? 1960年，中科院在北京建立半導(dǎo)體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專(zhuān)業(yè)化研究所――第十三所（河北半導(dǎo)體研究所）。

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?? 1962年，天津拉制出砷化鎵單晶（GaAs），為研究制備其他化合物半導(dǎo)體打下了基礎(chǔ)。

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?? 1962年，我國(guó)研究制成硅外延工藝，并開(kāi)始研究采用照相制版，光刻工藝。

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?? 1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。

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?? 1964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

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?? 1965年12月，河北半導(dǎo)體研究所召開(kāi)鑒定會(huì)，鑒定了第一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管――晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。

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?? 1966年底，在工廠(chǎng)范圍內(nèi)上海元件五廠(chǎng)鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門(mén)為主，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門(mén)、或非門(mén)、或門(mén)、以及與或非電路等。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

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?? 1968年，組建國(guó)營(yíng)東光電工廠(chǎng)（878廠(chǎng)）、上海無(wú)線(xiàn)電十九廠(chǎng)，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國(guó)IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

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? ?1968年，上海無(wú)線(xiàn)電十四廠(chǎng)首家制成PMOS（P型金屬－氧化物半導(dǎo)體）電路（MOSIC）。拉開(kāi)了我國(guó)發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導(dǎo)體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無(wú)十四廠(chǎng)和北京878廠(chǎng)相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。