《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay發(fā)布業(yè)界導(dǎo)通電阻最低的60V TrenchFET功率MOSFET

器件采用雙面冷卻、SO-8尺寸封裝、導(dǎo)通電阻低至6.1mΩ
2009-08-25
作者:Vishay Intertech

??? Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出采用雙面冷卻、導(dǎo)通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK封裝,在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻為6.1Ω,比市場(chǎng)上可供比較的最接近器件減小了13%。?

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??? N溝道SiE876DF的目標(biāo)應(yīng)用是工業(yè)型電源、馬達(dá)控制電路、用于服務(wù)器和路由器的AC/DC電源,以及使用負(fù)載點(diǎn)(POL)功率轉(zhuǎn)換的系統(tǒng),還可以在更高電壓的中間總線轉(zhuǎn)換(IBC)設(shè)計(jì)中用做初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)或次級(jí)側(cè)整流。?

??? 在這些應(yīng)用中,低導(dǎo)通電阻的SiE876DF可以產(chǎn)生更低的傳導(dǎo)損耗,從而節(jié)約能源。除了TrenchFET硅技術(shù)對(duì)降低導(dǎo)通損耗的貢獻(xiàn)外,PolarPAK封裝的雙面冷卻還能為高電流應(yīng)用提供更好的熱性能,這樣器件可以在更低的結(jié)溫下工作。PolarPAK的引線框封裝設(shè)計(jì)還能提高保護(hù)性能和可靠性,此外,由于硅片不是暴露在外的,這種封裝還能簡(jiǎn)化制造過(guò)程。器件的布版和其他PolarPAK器件是相同的,漏源電壓等級(jí)低于150V,因此能簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)。SiE876DF還百分之百通過(guò)了Rg和UIS測(cè)試。?

??? 60V的SiE876DF現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。?

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??? VISHAY簡(jiǎn)介

??? Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富 1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無(wú)源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場(chǎng)的各種類(lèi)型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com
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