在近日于美國舉行的閃存高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因為市場產(chǎn)能供應與需求之間存在“隔閡”。
?
以下是Harari對NAND閃存市場的8個預言：
1. 產(chǎn)業(yè)已經(jīng)開始復蘇。在經(jīng)歷衰退之后，NAND正朝向復蘇之路，目前的市場供需平衡處于較佳的狀態(tài)。
2. NAND平均價格(ASP)并沒有像過去下跌得那么快。預計在2010~2013年之間，NAND價格的年衰退幅度在40%左右；而該數(shù)字在2005年~2009年之間大約是60%。
3. 多位(multi-bit)技術持續(xù)當?shù)馈Ｔ?009年~2015年之間，x3 (3-bit-per-cell)與x4 (4-bit-per-cell)技術將會取代目前的2-bit-per-cell主流技術。
4. 受管理型(Managed) NAND將成市場主角?？刂破餍酒瑢⒊蔀镹AND市場關鍵，以支持NAND包括固態(tài)硬盤(SSD)在內(nèi)的不同應用；未來市場焦點將會由未加工(raw) NAND──或者說是離散式零件──轉(zhuǎn)向受管理型NAND。
5. NAND仍將稱霸通用內(nèi)存技術。在NAND之外尚未誕生可行的通用內(nèi)存技術，包括FRAM、MRAM與相變化(phase-change)內(nèi)存等等，都還上不了臺面。
6. 3D技術可望冒出頭。3D讀寫(3-D read/write)有可能從通用內(nèi)存技術競爭中嶄露頭角；SanDisk與Toshiba正在研發(fā)可能取代NAND的3D技術。不過盡管材料上能取得突破，向3D內(nèi)存技術的轉(zhuǎn)移還需要數(shù)年時間。
7. 18吋晶圓技術是未知數(shù)。NAND廠應該不會從12吋晶圓轉(zhuǎn)向18吋晶圓，所需的資本支出成本實在太高。
8. 超紫外光(EUV)技術瀕臨危機。目前的先進NAND制程是采用193納米浸潤式微影(immersion lithography)；而NAND供貨商們將會發(fā)現(xiàn)要轉(zhuǎn)向EUV是件困難的工作。