CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統(tǒng)時鐘頻率升高至千兆赫茲級別。在這些高時鐘頻率下，阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合，帶來高保真度的時鐘信號。傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對一個時鐘沿的數(shù)據(jù)計時，而雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) 內(nèi)存同時對時鐘的前沿和下降沿計時。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。

    高數(shù)據(jù)速率要求時鐘分配網(wǎng)絡設(shè)計要倍加小心，以此來最小化振鈴和反射效應，否則可能會導致對邏輯器件非有意計時。圖1顯示了兩種備選總線終止方案。第一種方案（A）中，總線終止電阻器放置于分配網(wǎng)絡的末端，并連接至接地。如果總線驅(qū)動器處于低態(tài)下，電阻器的功耗便為零。在高態(tài)下時，電阻器功耗等于電源電壓（V_DD）平方除以總線電阻（源阻抗加端接電阻）。平均功耗為電源電壓平方除以兩倍總線電阻。

圖1 V_TT 端接電壓降低一半端接功耗

    第二種方案（B）中，端接電阻器連接至電源電壓(V_TT)，電源電壓為 V_DD 電壓的一半。電阻器功耗恒定，且與電源電壓無關(guān)，其等于 V_TT（或（Vdd/2））平方除以端接電阻。相比第一種方法，這種方法產(chǎn)生的功耗僅為其1/2，但需要增加一個電源。同時，它對電源的要求有些特別。首先，其輸出需要為驅(qū)動器電壓(V_DD)的一半；其次，它需要同時輸出電流和汲取電流。當驅(qū)動器輸出電壓為低時，電流來自 V_TT 電源。然而，當驅(qū)動器為高電平時，電流流入電源。最后，電源還需要在系統(tǒng)數(shù)據(jù)變化時在各模式之間轉(zhuǎn)換，且必須提供低源阻抗，直到接近系統(tǒng)的時鐘速率。

    根據(jù)端接電阻、時鐘頻率和系統(tǒng)電容，確定峰值功耗相對容易。估算平均功耗要更困難一點，它可以比 1/10 峰值功耗低好幾倍。由于系統(tǒng)為動態(tài)且沒有真正固定不變的時鐘率，并非每個周期都對數(shù)據(jù)計時，而且會有一些三態(tài)的器件，因此您需要考慮所有這些因素。

    平均電流是驗證系統(tǒng)測量的一個重要數(shù)值，因為它對確定正確的電源拓撲很重要。例如，您可能會在開關(guān)式電源低功耗和線性穩(wěn)壓器的低成本和小體積之間進行權(quán)衡。表1 顯示了開關(guān)式電源和線性穩(wěn)壓器在組件數(shù)目、面積要求、功耗和成本等方面的對比情況。該表適用于可輸出 3 安峰值電流的一些穩(wěn)壓器。有趣的是，如果峰值電流一直存在的話，就很難處理高功耗。建立 DC 電流將有助于做出正確的選擇。很明顯，從各個方面來看，線性穩(wěn)壓器都是更佳的選擇。

表1 線性方法體積更小、成本更低但不如開關(guān)式電源高效。

    DDR 電源面臨的一個巨大挑戰(zhàn)是在高瞬態(tài)負載極端情況下如何控制輸出電壓。如表1 所示，線性方法擁有比開關(guān)方法更寬的控制帶寬。因此，它使用更小的電容器來控制輸出阻抗。例如，3 安負載下要將輸出控制在40mV 以內(nèi)，交叉頻率的輸出阻抗需要小于 0.013 Ohms，相當于約 10 uF電容。50 kHz下線性控制環(huán)路關(guān)閉的開關(guān)式電源使用 200 uF的電容，從而帶來更多的成本和電路板面積（參閱《電源設(shè)計小貼士#10》）

    總之，DDR 內(nèi)存通過同時對時鐘兩個沿的數(shù)據(jù)計時提高了系統(tǒng)速度，帶來更高的數(shù)據(jù)傳輸速度。由于是高頻運行，要求使用端接電阻器來降低電壓反射。通過將一端同一半電源電壓的電壓連接，可以最小化端接的損耗。這種電源需要能夠輸出或者汲取電流，同時還必須具有高交叉頻率，來最小化電容器要求。如果升高的功耗在可接受范圍以內(nèi)，則端接電源的線性穩(wěn)壓器方法可以節(jié)省成本和減小體積。

    下一次，我們將討論一些簡單的 FET 柵極驅(qū)動電路，敬請期待。

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