MEMS（Micro Electromechanical System，即微電子機械系統(tǒng)）是指集微型傳感器、執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的微型機電系統(tǒng)。它是在融合多種微細加工技術，并應用現(xiàn)代信息技術的最新成果的基礎上發(fā)展起來的高科技前沿學科。

　　MEMS技術的發(fā)展開辟了一個全新的技術領域和產(chǎn)業(yè)，采用MEMS技術制作的微傳感器、微執(zhí)行器、微型構件、微機械光學器件、真空微電子器件、電力電子器件等在航空、航天、汽車、生物醫(yī)學、環(huán)境監(jiān)控、軍事以及幾乎人們所接觸到的所有領域中都有著十分廣闊的應用前景。MEMS技術正發(fā)展成為一個巨大的產(chǎn)業(yè)，就象近20年來微電子產(chǎn)業(yè)和計算機產(chǎn)業(yè)給人類帶來的巨大變化一樣，MEMS也正在孕育一場深刻的技術變革并對人類社會產(chǎn)生新一輪的影響。目前MEMS市場的主導產(chǎn)品為壓力傳感器、加速度計、微陀螺儀、墨水噴咀和硬盤驅(qū)動頭等。大多數(shù)工業(yè)觀察家預測，未來5年MEMS器件的銷售額將呈迅速增長之勢，年平均增加率約為18%，因此對對機械電子工程、精密機械及儀器、半導體物理等學科的發(fā)展提供了極好的機遇和嚴峻的挑戰(zhàn)。

        MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路的設計技術和制造工藝，進行高精度、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單、易用和智能化。傳統(tǒng)的機械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形，由機械量彈性變形到電量轉(zhuǎn)換輸出，因此它不可能如MEMS壓力傳感器那樣，像集成電路那么微小，而且成本也遠遠高于MEMS壓力傳感器。相對于傳統(tǒng)的機械量傳感器，MEMS壓力傳感器的尺寸更小，最大的不超過一個厘米，相對于傳統(tǒng)“機械”制造技術，其性價比大幅度提高。

圖1 惠斯頓電橋電路原理

圖2 應變片電橋的光刻版本

圖3 硅壓阻式壓力傳感器結構

　　MEMS壓力傳感器原理

　　目前的MEMS壓力傳感器有硅壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器，兩者都是在硅片上生成的微機械電子傳感器。

　　硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密半導體電阻應變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的，具有較高的測量精度、較低的功耗和極低的成本?；菟诡D電橋的壓阻式傳感器，如無壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電。其電原理如圖1所示。硅壓阻式壓力傳感器其應變片電橋的光刻版本如圖2。

圖4 硅壓阻式壓力傳感器實物

圖5

圖6 電容式壓力傳感器實物

　　MEMS硅壓阻式壓力傳感器采用周邊固定的圓形應力杯硅薄膜內(nèi)壁，采用MEMS技術直接將四個高精密半導體應變片刻制在其表面應力最大處，組成惠斯頓測量電橋，作為力電變換測量電路，將壓力這個物理量直接變換成電量，其測量精度能達0.01-0.03%FS。硅壓阻式壓力傳感器結構如圖3所示，上下二層是玻璃體，中間是硅片，硅片中部做成一應力杯，其應力硅薄膜上部有一真空腔，使之成為一個典型的絕壓壓力傳感器。應力硅薄膜與真空腔接觸這一面經(jīng)光刻生成如圖2的電阻應變片電橋電路。當外面的壓力經(jīng)引壓腔進入傳感器應力杯中，應力硅薄膜會因受外力作用而微微向上鼓起，發(fā)生彈性變形，四個電阻應變片因此而發(fā)生電阻變化，破壞原先的惠斯頓電橋電路平衡，電橋輸出與壓力成正比的電壓信號。圖4是封裝如集成電路的硅壓阻式壓力傳感器實物照片。

　　電容式壓力傳感器利用MEMS技術在硅片上制造出橫隔柵狀，上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器，上橫隔柵受壓力作用向下位移，改變了上下二根橫隔柵的間距，也就改變了板間電容量的大小，即△壓力=△電容量（圖5）。電容式壓力傳感器實物如圖6。

　　MEMS壓力傳感器的應用

　　MEMS壓力傳感器廣泛應用于汽車電子如TPMS、發(fā)動機機油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動機進氣歧管壓力傳感器（TMAP）、柴油機共軌壓力傳感器。消費電子如胎壓計、血壓計、櫥用秤、健康秤，洗衣機、洗碗機、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機、飲水機、洗碗機、太陽能熱水器用液位控制壓力傳感器。工業(yè)電子如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等。

　　典型的MEMS壓力傳感器管芯（die）結構和電原理如圖7所示，左是電原理圖，即由電阻應變片組成的惠斯頓電橋，右為管芯內(nèi)部結構圖。典型的MEMS壓力傳感器管芯可以用來生產(chǎn)各種壓力傳感器產(chǎn)品，如圖8所示。MEMS壓力傳感器管芯可以與儀表放大器和ADC管芯封裝在一個封裝內(nèi)（MCM），使產(chǎn)品設計師很容易使用這個高度集成的產(chǎn)品設計最終產(chǎn)品。

　　MEMS壓力傳感器Die的設計、生產(chǎn)、銷售鏈

　　MEMS壓力傳感器Die的設計、生產(chǎn)、銷售鏈如圖9所示。目前集成電路的4寸圓晶片生產(chǎn)線的大多數(shù)工藝可為MEMS生產(chǎn)所用。但是需要增加雙面光刻機、濕法腐蝕臺和鍵合機三項MEMS特有的工藝設備。壓力傳感器產(chǎn)品生產(chǎn)廠商需要增加價格不菲的標準壓力檢測設備。

　　對于MEMS壓力傳感器生產(chǎn)廠家來說，開拓汽車電子以及消費電子領域的銷售經(jīng)驗和渠道是十分重要和急需的。特別是汽車電子對MEMS壓力傳感器的需要量在近幾年激增，如捷伸電子的年需求量約為200-300萬個。

　　MEMS芯片在設計、工藝、生產(chǎn)方面與IC的異同

　　與傳統(tǒng)IC行業(yè)注重二維靜止的電路設計不同，MEMS以理論力學為基礎，結合電路知識設計三維動態(tài)產(chǎn)品。對于在微米尺度進行機械設計會更多地依靠經(jīng)驗，設計開發(fā)工具（Ansys）也與傳統(tǒng)IC（如EDA）不同。MEMS加工除了使用大量傳統(tǒng)的IC工藝，還需要一些特殊工藝，如雙面刻蝕，雙面光刻等。MEMS比較傳統(tǒng)IC，工藝簡單，光刻步驟少，MEMS生產(chǎn)的一些非標準的特殊工藝，工藝參數(shù)需要按照產(chǎn)品的要求來進行調(diào)整。由于需要產(chǎn)品設計、工藝設計和生產(chǎn)三方面的密切配合，IDM的模式要優(yōu)于Fabless+Foundry的模式。MEMS對封裝技術的要求很高。傳統(tǒng)半導體廠商的4〃生產(chǎn)線正面臨淘汰，即使用來生產(chǎn)LDO，其利潤也非常低，但是，如果生產(chǎn)MEMS，則可獲得較高的利潤。4〃線上的每一個圓晶片可生產(chǎn)合格的MEMS壓力傳感器Die5-6K個，每個出售后，可獲成本7-10倍的毛利（如圖10）。轉(zhuǎn)產(chǎn)MEMS對廠家的工藝要求改動不大，新增輔助設備有限，投資少、效益高。MEMS芯片與IC芯片整合封裝是集成電路技術發(fā)展的新趨勢，也是傳統(tǒng)IC廠商的新機遇。圖11是MEMS在4〃圓晶片生產(chǎn)線上。

　　4〃生產(chǎn)MEMS壓力傳感器Die成本估計

　　4”圓晶片生產(chǎn)線生產(chǎn)MEMS壓力傳感器Die成本估計如表所示，新增固定成本是指為該項目投入的人員成本和新設備的折舊（人員：專家1名+MEMS設計師2名+工程師4名+工藝師5名+技工12名，年成本147萬元，新增設備投入650萬元，按90%四年折舊計算）；現(xiàn)有4”線成本是指在5次光刻條件下使用4”線的成本（包括人工、化劑、水電、備件等的均攤成本）；硅片材料成本是指雙拋4寸硅片的價格。