三星電子(SamsungElectronics)2012年第2季將推出電力芯片產(chǎn)品，這是自1999年三星將電力半導(dǎo)體廠拋售給快捷半導(dǎo)體(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的電力芯片產(chǎn)品。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星2011年5月與三星綜合技術(shù)院組成電力芯片共同研究開發(fā)小組，才經(jīng)過(guò)3個(gè)月時(shí)間，已完成制程技術(shù)研發(fā)，正以飛快的速度推動(dòng)商業(yè)化。
　　
　　三星相關(guān)人員指出，三星已開發(fā)出電力芯片中需求驟增的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)的生產(chǎn)制程技術(shù)，該制程安定化、磊晶成長(zhǎng)、封裝等技術(shù)研發(fā)則仍在進(jìn)行當(dāng)中，預(yù)計(jì)2011年內(nèi)可完成產(chǎn)品開發(fā)。三星計(jì)劃2012年第2季投入IGBT量產(chǎn)，并正式展開電力芯片事業(yè)。
　　
　　三星在研發(fā)制程技術(shù)的同時(shí)，為避免產(chǎn)生電力芯片相關(guān)專利紛爭(zhēng)，已事先取得快捷半導(dǎo)體及相關(guān)業(yè)者的交*授權(quán)。1999年面臨匯率危機(jī)和專利糾紛，成為三星決定終止電力芯片事業(yè)的主要原因。在三星決定重新展開電力芯片事業(yè)之余，將盡力避免重蹈覆轍。
　　
　　快捷半導(dǎo)體表示，無(wú)法對(duì)外透露相關(guān)詳情。三星將電力芯片事業(yè)拋售給快捷半導(dǎo)體，然近來(lái)IGBT相關(guān)業(yè)者已增加至10多間。
　　
　　三星將研究范圍擴(kuò)大至氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等新原料。推估電力芯片事業(yè)將會(huì)成為非內(nèi)存事業(yè)的一大軸心。IGBT為控制10A以上大電流的芯片原料，可應(yīng)用在電動(dòng)車、汽車、電梯等用電量較大的產(chǎn)品上，可控制流通或阻斷電流。2011年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)9億美元。
　　
　　南韓業(yè)者指出，由于內(nèi)存事業(yè)逐漸走下坡，三星將重心轉(zhuǎn)移到行動(dòng)應(yīng)用處理器、CMOS影像傳感器等系統(tǒng)LSI事業(yè)。三星的生產(chǎn)能力優(yōu)秀，若決定進(jìn)入2011年全球市場(chǎng)規(guī)模達(dá)152億美元、每年出現(xiàn)11.5%高成長(zhǎng)的電力芯片市場(chǎng)，成為市場(chǎng)核心的可能性破高。