美國(guó)Kyma公司新推出高摻雜n+型氮化鎵體單晶襯底，尺寸為10´10mm-2和18´18mm-2,同時(shí)他們也正在研發(fā)直徑2英寸的氮化鎵襯底，下一步是進(jìn)入量產(chǎn)階段。這次Kyma新研制的高摻雜n+型氮化鎵襯底的電阻率小于0.02歐姆厘米，導(dǎo)電能力得到極大提高，電阻率比他們以前的n型氮化鎵襯底低兩個(gè)數(shù)量級(jí)。此外，Kyma也成功開(kāi)發(fā)了高摻雜n+型氮化鎵襯底晶片，n型載流子濃度達(dá)到了6´1018cm-3，對(duì)應(yīng)電阻率僅為0.005歐姆厘米。Kyma公司此前的n型氮化鎵產(chǎn)品仍然在出售，以后將被標(biāo)記為n-型號(hào)。
　　
　　對(duì)于很多半導(dǎo)體材料和器件研究而言，盡管n-型氮化鎵仍可作為一種較好的初始生長(zhǎng)材料，n+型氮化鎵則更有優(yōu)勢(shì)，特別是對(duì)于垂直結(jié)構(gòu)器件和降低器件接觸電阻方面。在垂直功率電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得超低的電阻，同時(shí)也降低了寄生電阻。而在LED等光電子器件方面，n+型氮化鎵可獲得低的垂直電阻，有效降低電流擁擠效應(yīng)的發(fā)生。通過(guò)這些具有高電子濃度導(dǎo)電襯底的使用，將會(huì)使功率電子器件和光電子器件的性能和使用壽命得到大幅度提高，具有重大應(yīng)用價(jià)值。
　　
　　Kyma公司是一家專門生產(chǎn)氮化鎵和氮化鋁晶體材料的公司，這些材料在高性能的氮化物半導(dǎo)體器件方面具有廣泛應(yīng)用。從長(zhǎng)期看，氮化物半導(dǎo)體器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)超過(guò)900億美元，其中在可見(jiàn)光領(lǐng)域的市場(chǎng)應(yīng)用超過(guò)600億美元，在功率微電子器件方面的應(yīng)用超過(guò)300億美元，市場(chǎng)前景廣闊。