《電子技術(shù)應(yīng)用》
您所在的位置:首頁 > 電源技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 鎖存繼電器的CMOS電路研究
鎖存繼電器的CMOS電路研究
摘要:  瞬動(dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信號(hào)。電路使用一個(gè)簡單的下拉開關(guān)動(dòng)作(按下/釋放),如由RS、CS和S2構(gòu)成,或一個(gè)觸發(fā)器的鎖存動(dòng)作(按下/按起),如由IC1A、IC1B、R1、R2、C1和S1構(gòu)成。對(duì)簡單的下拉情況,我們還可以增加一個(gè)去抖動(dòng)電路。在電路連接到其它輸入源以前,可以用按鍵開關(guān)對(duì)其作測試。
關(guān)鍵詞: 電路 CMOS 繼電器
Abstract:
Key words :

圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖,切換一個(gè)DPDT(雙刀雙擲)鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器,一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器,一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器,以及一個(gè)繼電器線圈。

  瞬動(dòng)開關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信號(hào)。電路使用一個(gè)簡單的下拉開關(guān)動(dòng)作(按下/釋放),如由RS、CS和S2構(gòu)成,或一個(gè)觸發(fā)器的鎖存動(dòng)作(按下/按起),如由IC1A、IC1B、R1、R2、C1和S1構(gòu)成。對(duì)簡單的下拉情況,我們還可以增加一個(gè)去抖動(dòng)電路。在電路連接到其它輸入源以前,可以用按鍵開關(guān)對(duì)其作測試。

  差分脈沖轉(zhuǎn)換器由IC1C、IC1D、IC1E和IC1F組成。CD4069六反相器的最后兩級(jí)自偏置在大約VDD/2的線性模式,其中VDD是漏漏電壓,對(duì)應(yīng)于IC1F的Pin 14。電路獲得IC1C的一個(gè)上升或下降,將其轉(zhuǎn)換為在IC1E 和 IC1F輸出端的等長相反脈沖。脈沖的次序與IC1C輸入的邊沿方向同步。

  輸出驅(qū)動(dòng)級(jí)緩沖IC1E和IC1F的電壓輸出,用于驅(qū)動(dòng)繼電器線圈。運(yùn)放為負(fù)載提供差分電流轉(zhuǎn)儲(chǔ),而不致在空閑模式造成大的浪費(fèi)。由R4 和 D1組成的LED指示燈電路給出繼電器開關(guān)的方向。

  假設(shè)C1未充電時(shí)電路上電, IC1A與IC1B開始工作時(shí)R1兩端為VDD。所有反相級(jí)都工作在數(shù)字模式,除了IC1E和IC1F。

  當(dāng)為電路加電時(shí),這兩級(jí)自偏在約VDD/2,并工作在線性模式。接成跟隨器的運(yùn)算放大器也將輸出偏置在接近VDD/2。這個(gè)動(dòng)作使繼電器線圈有一個(gè)可忽略的偏移/誤差電壓,這是因?yàn)榱聪嗥鱅C中的器件匹配,以及運(yùn)放的高開環(huán)增益。

  IC1E與IC1F級(jí)分別通過電容C5和C3交流耦合。電容從IC1C和IC1D的步進(jìn)輸出,為IC1E與IC1F的輸入端提供一個(gè)脈沖。有損積分器IC1E和IC1F延長了輸出端的反相脈沖。在這些事件后,IC1E和IC1F的輸出端最終返回到自己的均衡狀態(tài),這有助于防止繼電器線圈內(nèi)形成一個(gè)反向場,并且轉(zhuǎn)換回去。圖2顯示了脈沖的形狀與時(shí)序。

      電源的串聯(lián)電阻R5用于降低IC1F的VDD,限制線性偏置級(jí)IC1E和IC1F的空閑電流。這只電阻代表著在這兩級(jí)所需耗散功率與通過運(yùn)放切換繼電器的可用電壓擺幅之間的一種折衷。

   電路運(yùn)行在一個(gè)9V電源下,采用圖1中的元件值時(shí),IC1F的VDD約為5.5V。切換之間的總電流大約為8 mA。

  R3/C3和R4/C4建立時(shí)間常數(shù),并粗略地將這些脈沖尾部的總長度設(shè)為500ms。這個(gè)時(shí)間足以滿足繼電器線圈的保持要求,如松下TQ2-L-5V是3ms或更低。如果繼電器線圈首先在一個(gè)異步位置發(fā)現(xiàn)自己,則必要時(shí)可在按一次開關(guān)后,重新調(diào)整自己。

此內(nèi)容為AET網(wǎng)站原創(chuàng),未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。