2011年5月26日 – 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出一批新的共模濾波器(CMF)，這些器件集成了靜電放電(ESD)保護，用于抑制噪聲及提供高信號完整性。新器件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常適合于應用在智能手機、多媒體平板電腦、無線連接底座(dongle)、數(shù)碼攝像機及機頂盒和DVD播放機。

    安森美半導體推出的這些新的共模濾波器不同于傳統(tǒng)的電磁干擾(EMI)濾波器，乃是基于硅片制造，更適合以更深度及更高頻率抑制EMI，非基于陶瓷或鐵氧體的方案可比。這些集成ESD保護及EMI抑制功能的新器件，比競爭方案節(jié)省空間多達50%，從而可以可觀的節(jié)省物料單(BOM)，且為無線手機設計人員提供了整體(turnkey)解決方案。
    安森美半導體保護產(chǎn)品分部副總裁兼總經(jīng)理Gary Straker說：“集成的ESD保護是設計工程師進行高速串行接口元件選型時考慮的一項重要因素。EMI2121、EMI4182和EMI4183是我們與八大智能手機及平板電腦制造商其中數(shù)家持續(xù)協(xié)作的成果；這些制造商正在創(chuàng)構屏幕尺寸更大、分辨率更高并配合帶寬越來越高之應用的產(chǎn)品，同時還希望能符合消費者對時尚小巧設計的需求。”
    EMI2121是單對共模濾波器，EMI4182是雙對共模濾波器，EMI4183是三對共模濾波器，全都提供500兆赫茲(MHz)時典型值15分貝(dB)的共模抑制，及500 MHz時典型值僅1.0 dB的插入損耗。它們的高差模帶寬截止頻率確保高度的信號完整性。這些器件提供集成的ESD保護，符合IEC61000-4-2標準15千伏(kV)峰值放電的保護要求。它們提供?40 ?C至+85 ?C的工作溫度范圍，每款器件都提供32伏(V)鉗位電壓，通常優(yōu)于現(xiàn)有陶瓷方案最少三十倍。
    IHS iSuppli高級分析師Tina Teng說：“相比串行接口的配備率(attachment rate)，手機市場以倍數(shù)增長，這主要歸因于采用如MIPI等高速接口的相機及顯示屏、HDMI的新增功能和高端功能型手機、智能手機及多媒體平臺電腦等市場。”
    這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件用于保護使用移動行業(yè)處理器接口(MIPI) DSI及MIPI CSI2接口標準以及USB 2.0（當前高清多媒體接口(HDMI)的高速串行端口版本）。這系列集成保護的共模濾波器產(chǎn)品支持高達3.4 Gbps的數(shù)據(jù)速率，遠高于MIPI、USB 2.0及HDMI接口的要求，同時提供高度的信號完整性。
封裝及價格
    EMI2121采用2.2 mm x 2.0 mm x 0.75 mm QDFN8封裝，每10,000片批量的單價為0.19美元。EMI4182采用2.5 mm x 2.0 mm x 0.75 mm 10引腳WDFN封裝，每10,000片批量的單價為0.25美元。EMI4183采用 4.0 mm x 2.0 mm x 0.75 mm 16引腳WDFN封裝，每10,000片批量的單價為0.39美元。EMI4183及EMI4182均已供貨，EMI2121將于6月發(fā)布。