??? 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH） 宣布推出業(yè)界首款采用 MICRO FOOT^? 芯片級封裝的 TrenchFET^? 功率 MOSFET --- Si8422DB，該器件具有背面絕緣的特點。?

??? Si8422DB 針對手機、PDA、數(shù)碼相機、MP3 播放器及智能電話等便攜設備中的功率放大器、電池和負載切換進行了優(yōu)化。該器件 2-mil背面涂層可實現(xiàn)對 MICRO FOOT 封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動部件暫時接觸而產(chǎn)生的電路短路。

??? 此絕緣設計令該器件可用于具有非常嚴格的高度要求的應用，從而設計人員可靈活放置 MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在 MOSFET 的上方，這在壓低上述部件空間時將進一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設計靈活性還可減少寄生效應，由于無需路由至PCB上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。?

??? 20V n通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時0.043 ? 至4.5V VGS時0.037?的低導通電阻范圍，且最大柵源電壓為±8 V。

??? 目前，新型 Si8422DB 可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為 10 至 12 周。?

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VISHAY SILICONIX簡介

??? Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率 MOSFET 和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應商。Vishay Siliconix 的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑，包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝（TrenchFET^?）的功率型 MOSFET 和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型 MOSFET（LITTLE FOOT^?）。?

??? 創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù)，例如被設計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率 MOSFET 的性能的硅技術(shù)，以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能（PowerPAK^?）和更小空間（ChipFET^?，MICRO FOOT^?）新的封裝選擇。除了功率 MOSFET 外，Vishay Siliconix 的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix 功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉(zhuǎn)換元件，而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。?

??? Siliconix 創(chuàng)建于 1962 年，在 1996 年 Vishay 購買了其 80.4% 的股份使其成為 Vishay子公司。?

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VISHAY簡介

??? Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富 1,000 強企業(yè)”，是全球分立半導體（二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器）的最大制造商之一，這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。

??? TrenchFET^?和 PowerPAK^?是 Siliconix Incorporated 的注冊商標?