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三星半導(dǎo)體部門資本支出大減50% DRAM價(jià)格大漲

2009-01-08
作者:三星半導(dǎo)體

???1月6日,據(jù)臺灣媒體報(bào)道,三星傳出有意調(diào)降今年半導(dǎo)體部門資本支出,由6兆韓元大減五成至3兆韓元,而且僅達(dá)去年10兆韓元的30%,激勵昨(5)日DRAM現(xiàn)貨價(jià)開新春紅盤大漲逾4%,并朝1美元關(guān)卡靠攏,創(chuàng)波段新高。

????三星是全球DRAM與NAND Flash龍頭,DRAM市占率更超過25%,三星大砍資本支出,意味大舉減產(chǎn)時(shí)代來臨,有助舒緩供過于求問題,促使價(jià)格回升,使得上周DRAM報(bào)價(jià)大漲逾四成的狀況可能重現(xiàn),力晶等臺灣內(nèi)存芯片廠將受惠。

????業(yè)界認(rèn)為,三星節(jié)制資本支出,對抒解市場供過于求絕對是好事一樁,以其削減金額龐大來看,應(yīng)該是針對目前內(nèi)存主力12吋晶圓的配置,絕非僅有6吋與8吋晶圓。

????根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)報(bào)價(jià),1Gb DDRII DRAM有效測試顆粒(eTT)昨天已起漲,均價(jià)站上0.91美元的波段新高,漲幅超過4%;品牌顆粒報(bào)價(jià)更大漲逾5%。法人預(yù)期,有效測試顆粒報(bào)價(jià)短期將先朝1美元靠攏,若能再度掀起大漲行情,有助DRAM廠轉(zhuǎn)虧為盈。

????三星上個月初才表示,今年半導(dǎo)體部門的資本支出,將由去年的10兆韓元縮減四成至6兆韓元,迄今不到一個月,三星消息人士再次透露,今年三星半導(dǎo)體部門資本支再降至不超過3兆韓元,大砍五成。

????臺灣DRAM廠也紛紛縮手今年資本支出。力晶今年資本支出,由去年的300億元降到只剩數(shù)十億元,創(chuàng)近年來最低紀(jì)錄。南科、華亞科、茂德雖然尚未公布今年?duì)顩r,但各公司內(nèi)部已有保守的共識。

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