《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay推出業(yè)界首款190VN通道功率MOSFET

2009-01-06
作者:Vishay Intertech

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  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的190V功率二極管的190V n通道功率MOSFET,該器件具有2mm×2mm的較小占位面積以及 0.75mm的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70封裝的SiA850DJ還是在1.8V VGS時具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

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  該SiA850DJ的典型應(yīng)用將包括面向高壓壓電電動機(jī)的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機(jī)、PDA、MP3播放器及智能電話等便攜式設(shè)備中的有機(jī)LED(OLED)背光。

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  將MOSFET及功率二極管整合到同一封裝可幫助設(shè)計人員節(jié)約至少三分之一的pcb面積,同時由于無需使用外部二極管,因此可降低解決方案成本。較大器件在2.5V時達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值,而 SiA850DJ在1.8V時便可達(dá)到導(dǎo)通電阻額定值,由于無需使用電平位移電路,這進(jìn)一步節(jié)約了板面空間。該器件的導(dǎo)通電阻值范圍介于1.8V VGS時17Ω~4.5V VGS時3.8Ω,0.5A時二極管正向電壓為1.2 V。

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  該SiA850DJ 100%無鉛(Pb),無鹵素,并且符合RoHs規(guī)范,因此符合有關(guān)消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

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  目前,新型 SiA850DJ的樣品及量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為10~12周。

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