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應對智能手機和平板電腦需求,更多形式的移動DRAM浮現

2011-04-11

    據IHS iSuppli公司的研究,目前形式的移動DRAM可能不足以滿足智能手機平板電腦的需求,因其在處理各種應用時涉及大量數據。其它形式的移動DRAM正在浮現,可能取代現有解決方案。

    低功耗DDR2 (LPDDR2)正在成為移動DRAM領域中的主要技術,預計到今年第二季度將占據40%的份額,高于第一季度的31%。大部分移動DRAM市場仍然由較舊的LPDDR1技術控制,但時間不會太長了。


    到今年第四季度,情況將會發(fā)生改變,屆時LLPDDR2將首次取得優(yōu)勢,控制58%的市場份額,如下圖所示。

    移動DRAM曾經是DRAM市場中的一潭死水,但現在三星、海力士半導體、爾必達和美光等重要廠商正在向這個領域投入更多的工程與開發(fā)努力。不同于標準DRAM,移動DRAM功耗較低、發(fā)熱較少而且占用的空間較小,特別適合智能手機和其它小型電子產品。這些產品都需要更強的計算能力和更小的占用空間。移動DRAM也用于數碼相機、便攜媒體播放器、便攜游戲產品和平板電腦。

    移動DRAM面臨的一個主要挑戰(zhàn),是其性能能否滿足未來產品的要求。雖然LPDDR2現在對于手機和平板電腦來說已足夠,但功耗和寬帶問題仍然令人關注。


    例如,工作電壓為1.2V的時候,LPDDR2在每次數據傳輸中可以比LPDDR1節(jié)省50%左右的功耗。但是,如果未來設備的數據傳輸量是目前的10倍——很快就會達到這樣的水平,則LPDDR2將根本無法滿足要求。


    LPDDR2的傳輸速度是每秒8.5GB,而LPDDR1只有1066MHz,這點也很突出。但LPDDR2這樣的速度可能不足以滿足即將推出的產品。智能手機廠商的反饋顯示,需要數據率高達每秒12.8GB,這將要求LPDDR2把時鐘頻率提高到800MHz,而IHS公司認為這似乎不太可行。


下一步是什么?


    由于LPDDR2可能達到性能極限,并很快無力滿足更高的要求,幾種移動DRAM技術正在爭取人們的關注,試圖取而代之,如下表所示。

 

    目前處于前列的包括:Rambus公司的移動XDR;SPMT聯(lián)盟開發(fā)的串行端口內存技術,準備充當免授權費的內存接口。


    其它移動DRAM技術包括Wide I/O,聲稱要在硅片層面連接DRAM內核,但不一定是移動技術;LPDDR3,其參數仍然未定;DDR4,一種標準DRAM,在2013年以前可能不會面世。

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